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[发明专利]薄膜体声波滤波器及其封装方法-CN201811580862.0有效
发明人：范亚明;刘斌;朱璞成;刘芹篁;陈诗伟;黄蓉 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种薄膜体声波滤波器及其封装方法，所述滤波器包括硅衬底、沉积于硅衬底正面上的多层绝缘层、沉积于最顶层的绝缘层上的FBAR器件、背腔和至少两个导电柱，FBAR器件包括自绝缘层的顶面从下往上依次沉积的下电极、压电材料层和上电极；背腔自硅衬底的背面刻蚀至下电极形成，且背腔对应的位置为压电振荡有效区域，导电柱从硅衬底的背面引出上、下电极。本发明具有增加FBAR器件机械牢固性、提高FBAR器件性能、节约电极引出空间，可靠性更高、可以保护FBAR器件的压电振荡有效区域等优点。
薄膜声波滤波器及其封装方法

[发明专利]一种晶圆测试中测试仪自动读取参数的方法-CN201811389896.1有效
发明人：刘芹篁;范亚明;朱璞成;刘斌;陈诗伟;黄蓉;宋振磊 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆测试中测试仪自动读取参数的方法，包括：探针台将探针卡识别号传输至伺服器，由伺服器传输给测试仪；测试仪识别探针卡识别号，并根据探针卡识别号在伺服器内选取对应的测试程序；测试仪读取并下载测试程序，将其载入测试软件，载入完成后发送完成信号给探针台；探针台接收到完成信号，发出警报告知测试操作人员。本发明既保证了晶圆测试程序的有效性，又减少过多返工对晶圆的损耗，增加良率。
一种测试测试仪自动读取参数方法

[发明专利]压力传感器结构及其制作方法-CN201811490882.9有效
发明人：刘斌;范亚明;朱璞成;陈诗伟;刘芹篁;黄蓉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种压力传感器结构及其制作方法。所述压力传感器结构采用背压式倒装焊接结构，包括基座、盖帽和压敏组件等，所述压敏组件被封装于基座与盖帽之间的封装区域内，所述基座上设置有导电图形，所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部。本发明提供的压力传感器结构的传感精度高，可靠性好，适用于绝大部分非腐蚀性环境。
压力传感器结构及其制作方法

[发明专利]GaN基功率器件的栅极结构及其制作方法-CN201811372283.7在审
发明人：刘斌;范亚明;朱璞成;熊其平 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基功率器件的栅极结构及其制作方法。栅极结构包括依次设置的介质层、第一过渡层、第二过渡层和堆叠栅电极层，在第一过渡层和第二过渡层之间还设置有一层以上的功函数层，功函数层包括基础材料层，在基础材料层上设置有一个以上的窗口，窗口内填充有复合材料，复合材料至少由形成基础材料层的基础材料与功函数调节材料复合形成；基础材料选自金属化合物，功函数调节材料选自金属材料。本发明实施例提供的GaN基功率器件的栅极结构功函数层内的功函数调节材料元素分层分布和/或图形化分布控，能有效调制GaN基功率器件的栅极区域电流和电场密度分布，解决引入功函数层带来的不利影响，使器件达到热平衡以及能够提高器件的击穿电压。
gan 功率器件栅极结构及其制作方法

[实用新型]GaN基功率器件的栅极结构-CN201821896945.6有效
发明人：刘斌;范亚明;朱璞成;熊其平 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN基功率器件的栅极结构。所述栅极结构包括依次设置的介质层、第一过渡层、第二过渡层和堆叠栅电极层，在第一过渡层和第二过渡层之间还设置有一层以上的功函数层，功函数层包括基础材料层，在基础材料层上设置有一个以上的窗口，窗口内填充有复合材料，复合材料至少由形成基础材料层的基础材料与功函数调节材料复合形成；基础材料选自金属化合物，功函数调节材料选自金属材料。本实用新型实施例提供的GaN基功率器件的栅极结构功函数层内的功函数调节材料元素分层分布和/或图形化分布控，能有效调制GaN基功率器件的栅极区域电流和电场密度分布，解决引入功函数层带来的不利影响，使器件达到热平衡以及能够提高器件的击穿电压。
功函数层功率器件栅极结构过渡层功函数调节基础材料层本实用新型基础材料复合材料金属化合物金属材料电场材料复合材料元素分层分布击穿电压密度分布依次设置栅极区域电极层堆叠栅介质层热平衡布控调制填充引入

[实用新型]一种芯片封装结构-CN201821838825.0有效
发明人：范亚明;朱璞成;刘斌 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片封装结构，包括：基板；散热层，设置于所述基板的一侧表面；晶圆，设置于所述散热层的远离基板的一侧；屏蔽结构，固定安装于所述基板上并罩于所述晶圆的外围，所述屏蔽结构与所述晶圆之间形成空腔。本实用新型的芯片封装结构，散热性能好，安全可靠。同时，通过设置屏蔽结构，不仅可以对晶圆表面的电路结构起到保护作用，增强芯片封装结构的可靠性，同时屏蔽结构具有抗电磁干扰能力，可以有效防止芯片封装结构在工作中受到电磁波的干扰，确保了芯片封装结构的控制系统的工作稳定性，提高了芯片封装结构的使用安全性。
芯片封装结构屏蔽结构基板晶圆本实用新型散热层抗电磁干扰能力工作稳定性使用安全性电路结构晶圆表面控制系统散热性能电磁波空腔外围

[实用新型]一种多芯片封装互联结构-CN201821915385.4有效
发明人：范亚明;朱璞成 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多芯片封装互联结构，包括：层叠设置的第一基板和第二基板；所述第一基板上设有若干第一腔体，第一腔体内设有若干第一芯片，第一基板的上表面设有第一焊盘，第一焊盘与第一芯片电气连接；所述第二基板上设有若干第二腔体，第二腔体内设有若干第二芯片，第二基板的上表面设有第二焊盘，第二焊盘与第二芯片电气连接；所述第一焊盘与第二焊盘之间通过贯穿第二基板的导电介质电气连接。本实用新型的多芯片封装互联结构，直接焊接，实现基板的垂直互联，多芯片封装集成度高，可靠性好，工艺简单，成本低。对微波射频信号插入损耗不超过0.5dB，可解决基板高密度垂直互联的问题，广泛应用于射频微波电路的多芯片封装系统中。
焊盘多芯片封装第二基板第一基板互联结构本实用新型芯片电气上表面基板垂直多芯片封装系统体内芯片射频微波电路微波射频信号互联层叠设置插入损耗导电介质第二腔体第一腔体电气连接直接焊接集成度贯穿应用

[发明专利]一种晶圆测试探针卡磨损度的监控方法-CN201811389845.9在审
发明人：刘芹篁;范亚明;朱璞成;刘斌;陈诗伟;黄蓉;宋振磊 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G01B15/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆测试探针卡磨损度的监控方法，包括由探针管理系统读取并对探针台所发出的晶圆测试数据包进行数据分析，得到探针卡下针总数；探针管理系统根据探针卡实际针头尺寸与该探针卡下针总数，计算得到探针针头每个磨损值所能测试的下针针数；探针管理系统将该每个磨损值所能测试的下针针数与预先设置的磨损度极限值进行比较，并将比较结果反馈给探针台，由探针台对晶圆测试进行相应操作。本发明提高了探针卡的测试效率，降低晶圆的测试成本，避免晶圆不必要的良率损失，从而有效提高晶圆的良率，同时对探针卡进行有效的监控。
探针卡下针管理系统磨损度探针台晶圆探针测试探针卡晶圆测试良率针数种晶监控磨损读取测试测试成本测试效率数据分析探针针头预先设置数据包针头反馈

[发明专利]晶圆键合方法-CN201811255951.8在审
发明人：范亚明;朱璞成;刘斌;熊其平 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆键合方法，其包括：至少对晶圆表面的键合区进行清洗处理；至少以活化液体对所述晶圆表面的键合区进行表面活化处理，之后进行干燥处理；以及在真空环境中将两个晶圆表面的相应键合区彼此贴合，并进行热压键合处理；其中热压处理的温度为200‑250℃、时间为2‑10h，所述热压处理的压力为200‑250KN。本发明提供的晶圆键合方法，可以在非超净实验环境下实现晶圆之间的键合，键合工艺成本较低，键合成功率在95％以上，平均键合强度超过4MPa。
晶圆表面键合区键合晶圆键合热压处理表面活化处理干燥处理键合工艺清洗处理热压键合实验环境真空环境活化晶圆贴合圆键种晶成功率

[发明专利]一种多芯片封装互联结构及多芯片封装互联方法-CN201811382054.3在审
发明人：范亚明;朱璞成 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯片封装互联结构，包括：层叠设置的第一基板和第二基板；所述第一基板上设有若干第一腔体，第一腔体内设有若干第一芯片，第一基板的上表面设有第一焊盘，第一焊盘与第一芯片电气连接；所述第二基板上设有若干第二腔体，第二腔体内设有若干第二芯片，第二基板的上表面设有第二焊盘，第二焊盘与第二芯片电气连接；所述第一焊盘与第二焊盘之间通过贯穿第二基板的导电介质电气连接。本发明的多芯片封装互联结构，采用直接焊接的方式，实现基板的垂直互联，多芯片封装集成度高，可靠性好，工艺简单，成本低。对微波射频信号插入损耗不超过0.5dB，可解决基板高密度垂直互联的问题，广泛应用于射频微波电路的多芯片封装系统中。
焊盘多芯片封装第二基板第一基板互联结构芯片电气上表面互联基板垂直多芯片封装系统体内芯片射频微波电路微波射频信号层叠设置插入损耗导电介质第二腔体第一腔体电气连接直接焊接集成度贯穿应用

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