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[发明专利]动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构-CN201811042392.2有效
发明人：颜士贵;刘立伟;戎乐天;施泓林;朱玄通;李明哲;刘冠毅;邢怀锦 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构，该闪存存储器包含一基底包含一主动区域和两个电荷存储结构分别位于主动区域的两侧，其中各个电荷存储结构内包含一氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层，一埋入式栅极埋入于主动区域，其中埋入式栅极仅包含一控制栅极和一栅极介电层，栅极介电层为单一材料，两个源极/漏极掺杂区分别位于埋入式栅极的两侧的主动区域内。
动态随机存取存储器闪存存储器制作方法及其结构

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810586454.X有效
发明人：陈坤新;朱玄通;吕佐文;陈柏均 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底，该基底包含一存储器区以及一周边区，然后形成一第一凹槽以及一第二凹槽于该存储器区的基底内，其中第二凹槽宽度大于第一凹槽宽度。接着形成一第一衬垫层于第一凹槽以及第二凹槽内，形成一第二衬垫层于第一凹槽上，其中第二衬垫层完全填满第一凹槽并部分填满第二凹槽，之后再平坦化第二衬垫层以及第一衬垫层以形成一第一隔离结构以及一第二隔离结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种电子元件结构-CN201910593206.2在审
发明人： 朱玄通;朴成 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种电子元件结构，该电子元件结构至少包括：衬底和位于其上的有源区；位于有源区上的栅极结构；栅极结构自下而上依次由多晶硅层、金属层、第一硬掩膜及第二硬掩膜层叠而成；设于栅极结构侧壁的第一、第二侧墙；第一、第二侧墙的顶部相互错开，且第一侧墙顶部高于第二侧墙顶部；第一侧墙顶部呈尖角状，且第一侧墙顶部高于第一硬掩膜顶部。本发明将电子元件结构的栅极制作成多层的层叠结构，有效缩短了栅极的高度，降低了栅极占用的空间比例，并使得栅极刻蚀工艺容易实现；另一方面将栅极的侧墙由现有工艺的单一型和较薄的结构制作成多层的、较厚的侧墙结构，提高了栅极与栅极之间的有效隔离，避免短路，提高了产品的良率。
一种电子元件结构

[发明专利]形成绝缘结构的方法-CN201810995795.2在审
发明人：陈柏均;朱玄通;陈意维;刘玮鑫;童宇诚;张家隆 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种形成绝缘结构的方法，包含有下述步骤。首先，提供一基底，具有一第一凹槽、一第二凹槽、以及一第三凹槽，其中第三凹槽的开口大于第二凹槽的开口，且第二凹槽的开口大于第一凹槽的开口。接着，以一原子层沉积制作工艺形成一第一氧化层，且第一氧化层顺应覆盖第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽。接续，以一原位蒸汽产生制作工艺，将一第二氧化层填满第一凹槽。
氧化层开口制作工艺原位蒸汽产生原子层沉积绝缘结构基底填满接续覆盖

[实用新型]一种电子元件结构-CN201921023589.1有效
发明人： 朱玄通;朴成 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电子元件结构，该电子元件结构至少包括：衬底和位于其上的有源区；位于有源区上的栅极结构；栅极结构自下而上依次由多晶硅层、金属层、第一硬掩膜及第二硬掩膜层叠而成；设于栅极结构侧壁的第一、第二侧墙；第一、第二侧墙的顶部相互错开，且第一侧墙顶部高于第二侧墙顶部；第一侧墙顶部呈尖角状，且第一侧墙顶部高于第一硬掩膜顶部。本实用新型将电子元件结构的栅极制作成多层的层叠结构，有效缩短了栅极的高度，降低了栅极占用的空间比例，并使得栅极刻蚀工艺容易实现；另一方面将栅极的侧墙由现有工艺的单一型和较薄的结构制作成多层的、较厚的侧墙结构，提高了栅极与栅极之间的有效隔离，避免短路，提高了产品的良率。
侧墙电子元件结构硬掩膜本实用新型栅极结构多层源区栅极结构侧壁侧墙结构层叠结构多晶硅层结构制作刻蚀工艺有效隔离栅极制作尖角状金属层短路错开衬底良率占用