“朱云来”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于忆阻器的稳压电路-CN202210330155.6有效
发明人： 朱云来;张长伟;吴祖恒;彭春雨;蔺智挺;吴秀龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G05F3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的稳压电路，所述电路由两个部分串联组成，第一个部分由一个阻值为5～20k的电阻R1和一个IMT1忆阻器串联组成，且在所述IMT1忆阻器的两端并联有一个电容C1，电容C1的大小为1～100p；所述电阻R1的另一端接输入端VIN；第二个部分是由一个阻值为120～150k的电阻R2和一个IMT2忆阻器串联组成，且在所述电阻R2和IMT2忆阻器两端并联有一个电容C2，电容C2的大小为20～50n；所述IMT2忆阻器的另一端接地；第一部分和第二部分串联于点V3。该电路通过忆阻器阈值转变的特性来实现稳压输出，可以大大降低稳压电路的复杂度。
一种基于忆阻器稳压电路

[发明专利]一种TCAM存储单元、三值内容寻址存储器及电子设备-CN202310439175.1在审
发明人：吴祖恒;陈涛;冯哲;邹建勋;朱云来;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种TCAM存储单元、三值内容寻址存储器及电子设备，属于集成电路设计领域。本发明中使用非易失性存储器件(NVM)NVM进行信息的存储和搜索，避免了在两种宏单元中进行通信的操作，单个宏方案的TCAM消除了在电源开‑关操作期间基于SRAM的TCAM(sTCAM)和NVM宏之间移动数据的需要，减小了面积和信息交互的带来的功耗。
一种 tcam 存储单元内容寻址存储器电子设备

[发明专利]一种基于忆阻器的径向基神经元实现方法及设备-CN202310665788.7在审
发明人：吴祖恒;李威;陈涛;邹建勋;冯哲;徐祖雨;朱云来;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的径向基神经元实现方法及设备，涉及忆阻器技术领域，方法包括以下步骤：接收神经元电路的输入电压；将输入电压输送至预先建立的绝对值模块电路内，得到幅值为非负的电压信号；将幅值为负的电压信号输入预先建立的反向放大器模块内，得到反向电压；将反向电压和偏置模块提供的偏置电压通过求和模块输入至径向基神经元模块电路，得到不同频率的输出信号；通过不同频率的输出信号的叠加，得到高斯函数，以实现径向基神经元；本发明可以有效地以聚类的形式清理输入数据，防止黑箱攻击。
一种基于忆阻器径向神经元实现方法设备

[发明专利]一种针对Skip Structure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法-CN202310438357.7在审
发明人：吴祖恒;汪泽清;冯哲;朱云来;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开一种针对SkipStructure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法，属于忆阻器技术领域；原位补偿法包括S1，确定补偿方程的相关系数；S2，测试相关系数与输出误差之间的关系；S3，根据S2得到的测试数据，进行数据拟合，并建立补偿方程；S4，在阵列输出结果时，运用S3建立的补偿方程，对输出结果进行原位补偿；本发明的补偿方法能够解决忆阻器阵列在实现Skip Structure式深度神经网络时误差层层叠加所导致的精度下降问题，从而对于硬件实现跳跃式结构神经网络有很大的优化作用。
一种针对 skip structure 深度神经网络硬件精度问题原位补偿

[发明专利]一种可片上学习的物理RC网络的实现装置及方法-CN202310438361.3在审
发明人： 朱云来;方修全;吴祖恒;冯哲;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06N3/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种可片上学习的物理RC网络的实现装置及方法，属于忆阻器类脑计算系统领域。本发明是基于下一代RC网络，对其进行硬件实现，解决了传统RC网络运算并行度不高。本发明的全硬件RC网络，不是简单权重映射后，再进行数据分类，还可以进行原位训练，这样可以提高网络因为器件的非线性导致的噪声的容忍程度，并且可以针对外界环境的变化，自适应的做出改变。
一种可片上学习物理 rc 网络实现装置方法

[发明专利]一种基于界面掺杂的忆阻器及其制备方法-CN202011216972.6有效
发明人：程晓敏;朱云来;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于界面掺杂的忆阻器及其制备方法，属于集成微电子器件技术领域。忆阻器包括上电极、功能层和下电极，功能层为金属氧化物，上电极和功能层之间的界面为均匀掺杂。本发明通过对忆阻器中关键的功能层和电极之间的界面进行改进，在惰性电极和功能层之间的界面进行均匀掺杂，会导致界面层产生更多的氧空位，导电丝在该层会比较粗壮，利于稳定导电丝生长；由于未掺杂的介质层氧空位形成能要比掺杂后的介质层氧空位形成能大，热稳定相对较好，因此可以提高器件的高阻态稳定性，使得导电丝形成和断裂的随机性大大减小，提高了忆阻器的开关稳定性和一致性。
一种基于界面掺杂忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于ZnS·SiO2-CN202110214818.3有效
发明人：程晓敏;朱云来;李瀚;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ZnS·SiO2的双向自限流忆阻器件及其制备方法，属于集成微电子技术领域；双向自限流忆阻器件包括：上电极、功能层和下电极，功能层由ZnS和SiO2复合形成单层复合结构ZnS·SiO2；单层复合结构ZnS·SiO2中ZnS和SiO2的复合比例满足以下要求：ZnS的成分大于或等于SiO2。本发明通过对该忆阻器中功能层进行改进，利用ZnS和SiO2的复合材料作为忆阻器单元的阻变功能层，导电丝会沿着ZnS的晶界生长，从而降低导电丝生长的随机性，起到定向诱导导电丝生长的作用，提高器件的高低阻态稳定性和操作电压的一致性。同时，ZnS和SiO2的复合会产生一个额外的接触电阻，起到外接串联电阻的作用，实现双向自限流。
一种基于 zns sio base sub

[发明专利]一种基于策略迭代的贝尔曼方程的硬件实现方法-CN202310055769.2在审
发明人： 朱云来;郭文斌;冯哲;吴祖恒;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于策略迭代的贝尔曼方程的硬件实现方法，首先输入奖励值到贝尔曼期望方程电路中，求出该奖励值的策略价值；将得到的策略价值输入贝尔曼最优方程电路进行策略迭代求解，求出最优价值；将得到的最优价值映射到由忆阻器阵列组成的策略图谱中，完成每一个状态的最优价值求解，并根据最优价值的大小决定每一个状态的移动方向，达到利用硬件加速贝尔曼方程求解最优价值的目的。该方法能够使用忆阻器阵列乘加的方式将贝尔曼方程硬件化，从而对强化学习硬件系统性能有很大的优化作用。
一种基于策略贝尔方程硬件实现方法

[发明专利]一种基于二维电子气的互补型忆阻器及其制备方法-CN202110245476.1有效
发明人：程晓敏;朱云来;何柱力;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维电子气的互补型忆阻器及其制备方法，属于集成微电子器件技术领域。本发明通过对上下电极进行改进，利用异质结产生的二维电子气作为电极，由于二维电子气的局域传导特性，导致器件上下双极性忆阻器导电丝定向生长，从而可以提高互补型忆阻器的高低阻态和操作电压(Set和Reset电压)的一致性。由于该互补型忆阻器结构阻变开关层采用的是突变异质结一部分，所以器件本身电阻很大，这导致器件操作电流小，具有低功耗的特征。
一种基于二维电子互补型忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种具有类超晶格材料功能层的忆阻器及其制备方法-CN202110280030.2有效
发明人：程晓敏;朱云来;何柱力;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种具有类超晶格材料功能层的忆阻器及其制备方法，属于集成微电子器件技术领域，其包括上电极、功能层和下电极，所述功能层由硫系材料和氧化物材料层叠而成，硫系材料和氧化物材料均为类超晶格材料。其功能层具有多个重复单元，每个单元为一层硫系材料和一层氧化物材料层叠而成，整个功能层中，硫系材料和氧化物材料交替层叠。本发明还提供了以上忆阻器的制备方法。本发明通过对该忆阻器中功能层进行改进，采用基于硫系/氧化物的类超晶格结构，利用硫系材料的晶体特性，金属导电丝沿着晶界生长，降低金属导电丝的随机性，提高忆阻器的电阻一致性。本发明制备方法步骤简单，方便易行。
一种具有晶格材料功能忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种解决反向传播的神经网络训练方法-CN202211225039.4在审
发明人：徐祖雨;邹建勋;吴祖恒;冯哲;朱云来;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06N3/084 文献下载
摘要：本发明公开一种解决反向传播的神经网络训练方法，属于神经网络训练领域；训练方法步骤包括：S1，搭建忆阻器阵列；S2，将图片预处理为相应电压，并可作为输入信号向忆阻器阵列输入；S3，将图片预处理信号输入忆阻器阵列，先对单个图片进行训练，再对相同数字多个图片进行训练，得到数字对应的最有权重；S4，将不同数字的图片进行S2中的预处理操作，再按照S3，得到不同数字对应的最优权重；S5，将S3、S4训练所得到的不同数字所对应的最优权重组成最优忆阻器阵列，再将数字图片输入到最优忆阻器阵列中，输出值与目标值差的绝对值最小的列作为最终数字判断。
一种解决反向传播神经网络训练方法

[发明专利]一种优化电导漂移的推理映射方案-CN202211010160.5在审
发明人： 朱云来;方修全;冯哲;吴祖恒;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明属于电导漂移技术领域，具体涉及一种优化电导漂移的推理映射方案包括以下步骤：S1：根据电导漂移模型，对于实际的器件电导漂移数据进行拟合，得出模型参数；S2：对输入数据与权值分别进行放缩，作为权值输入电压V0与目的映射电导C；S3：将输入信号经过S2步骤处理为权值输入电压V0，并乘上一个衰减因子，得到最终输入电压V，然后经过外围板卡电路映射到忆阻器阵列中，与传统的方法相比，本专利提出的方案解决了电导漂移问题，通过对输入信号乘上一个补偿因子的独特机制优化了系统的性能，电导漂移的补偿可以直接由输入信号来提供，降低的硬件网络实现的难度，使用本方案的系统在训练了20次后可达到96％的准确率，相比传统方案的准确率提升了10％。
一种优化电导漂移推理映射方案

[发明专利]一种分压型RRAM阵列结构-CN202210851664.3在审
发明人：徐祖雨;马学杨;陈涛;吴祖恒;朱云来;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种分压型RRAM阵列结构，包括1T1R单元和另一个1T单元，1T指的是MOS管，1R指的是RRAM单元，MOS管与RRAM单元相连，组成1T1R单元；多个1T1R单元并联形成1T1R阵列；另一个1T单元为MOS管，该MOS管的一端与所述1T1R单元中的SL端相连，另一端连接一个高电平VHI；通过将另一个1T单元的N个MOS管的电阻R进行并联，形成RN，这种由1T1R阵列和另一个1T单元组成的结构，称之为伪1T1R的RRAM阵列结构。上述结构可以在实现分压型RRAM阵列的情况下有效减少阵列面积，充分利用阵列资源，同时引入栅压传感方案减小读干扰。
一种分压型 rram 阵列结构

[发明专利]一种用于优化忆阻器基神经网络的权值推理映射方法-CN202210816129.4在审
发明人：吴祖恒;李威;冯哲;朱云来;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于优化忆阻器基神经网络的权值推理映射方法，首先根据忆阻器电导区间和权值区间求出权值映射参数Ct和信号输入转换参数θ；将权值矩阵按照权值映射参数Ct进行等比例放大，经过外围板卡电路映射到忆阻器阵列中；将输入忆阻器阵列的电压信号先按照信号输入转换参数θ进行等比例缩小，再输入映射完成的忆阻器阵列中，进行矩阵乘加运算；使用恒定电阻阵列将中忆阻器阵列运算输出的电流值转换为电压信号，将该电压信号与下一个时刻的电压信号相加作为下一个时刻的输入电压信号，以进行下一循环的权值推理映射过程。上述方法解决了权值推理映射过程中的时序信息丢失问题，使RNN类算法(如GRU、LSTM等)得以全硬件实现。
一种用于优化忆阻器基神经网络推理映射方法

[发明专利]一种基于纳米电流通道的相变存储器-CN202011565602.3有效
发明人：程晓敏;李瀚;曾运韬;朱云来;刘香君;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米电流通道的相变存储器，使用的纳米电流通道层结构用以限制电流的路径，使得电流在流经该层时从高电导率纳米晶粒进入相变层，电流被限制在纳米电流通道中，该纳米级导电通道大大减小了相变层与电极层之间的接触面积，并极大地提高了局部接触部位的电流密度，提高了电流在相变层中的产热效率。同时，低电导率低热导率的绝缘绝热材料阻止了相变层中的热量向电极层散失，提高了相变层的电热利用效率。与采用更先进制程制作的尽可能小的相变单元相比，本发明能够突破工艺限制，进一步缩小电极与相变材料的有效接触面积，工艺简单，使得相变存储器能够轻松实现操作功耗降低。
一种基于纳米电流通道相变存储器

1
2
下一页»
尾页
共 25 条