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[发明专利]一种TCAM存储单元、三值内容寻址存储器及电子设备-CN202310439175.1在审
发明人：吴祖恒;陈涛;冯哲;邹建勋;朱云来;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种TCAM存储单元、三值内容寻址存储器及电子设备，属于集成电路设计领域。本发明中使用非易失性存储器件(NVM)NVM进行信息的存储和搜索，避免了在两种宏单元中进行通信的操作，单个宏方案的TCAM消除了在电源开‑关操作期间基于SRAM的TCAM(sTCAM)和NVM宏之间移动数据的需要，减小了面积和信息交互的带来的功耗。
一种 tcam 存储单元内容寻址存储器电子设备

[发明专利]一种基于忆阻器的径向基神经元实现方法及设备-CN202310665788.7在审
发明人：吴祖恒;李威;陈涛;邹建勋;冯哲;徐祖雨;朱云来;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的径向基神经元实现方法及设备，涉及忆阻器技术领域，方法包括以下步骤：接收神经元电路的输入电压；将输入电压输送至预先建立的绝对值模块电路内，得到幅值为非负的电压信号；将幅值为负的电压信号输入预先建立的反向放大器模块内，得到反向电压；将反向电压和偏置模块提供的偏置电压通过求和模块输入至径向基神经元模块电路，得到不同频率的输出信号；通过不同频率的输出信号的叠加，得到高斯函数，以实现径向基神经元；本发明可以有效地以聚类的形式清理输入数据，防止黑箱攻击。
一种基于忆阻器径向神经元实现方法设备

[发明专利]一种针对Skip Structure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法-CN202310438357.7在审
发明人：吴祖恒;汪泽清;冯哲;朱云来;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开一种针对SkipStructure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法，属于忆阻器技术领域；原位补偿法包括S1，确定补偿方程的相关系数；S2，测试相关系数与输出误差之间的关系；S3，根据S2得到的测试数据，进行数据拟合，并建立补偿方程；S4，在阵列输出结果时，运用S3建立的补偿方程，对输出结果进行原位补偿；本发明的补偿方法能够解决忆阻器阵列在实现Skip Structure式深度神经网络时误差层层叠加所导致的精度下降问题，从而对于硬件实现跳跃式结构神经网络有很大的优化作用。
一种针对 skip structure 深度神经网络硬件精度问题原位补偿

[发明专利]一种可片上学习的物理RC网络的实现装置及方法-CN202310438361.3在审
发明人：朱云来;方修全;吴祖恒;冯哲;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06N3/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种可片上学习的物理RC网络的实现装置及方法，属于忆阻器类脑计算系统领域。本发明是基于下一代RC网络，对其进行硬件实现，解决了传统RC网络运算并行度不高。本发明的全硬件RC网络，不是简单权重映射后，再进行数据分类，还可以进行原位训练，这样可以提高网络因为器件的非线性导致的噪声的容忍程度，并且可以针对外界环境的变化，自适应的做出改变。
一种可片上学习物理 rc 网络实现装置方法

[发明专利]一种基于策略迭代的贝尔曼方程的硬件实现方法-CN202310055769.2在审
发明人：朱云来;郭文斌;冯哲;吴祖恒;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于策略迭代的贝尔曼方程的硬件实现方法，首先输入奖励值到贝尔曼期望方程电路中，求出该奖励值的策略价值；将得到的策略价值输入贝尔曼最优方程电路进行策略迭代求解，求出最优价值；将得到的最优价值映射到由忆阻器阵列组成的策略图谱中，完成每一个状态的最优价值求解，并根据最优价值的大小决定每一个状态的移动方向，达到利用硬件加速贝尔曼方程求解最优价值的目的。该方法能够使用忆阻器阵列乘加的方式将贝尔曼方程硬件化，从而对强化学习硬件系统性能有很大的优化作用。
一种基于策略贝尔方程硬件实现方法

[发明专利]一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用-CN202011326012.5有效
发明人：王华兵;齐在栋;徐祖雨;黎晓杰;吕阳阳;孙汉聪;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用，属于超导应用技术领域。本发明方法包括：使用石英针拉制器将外径1.0mm内径0.5mm的空心石英针拉伸至尖端直径约100nm；使用磁控溅射设备在针尖处生长50nm铌膜，将其表面完全包裹；使用电子束蒸发在石英针两侧生长两次铝膜作为掩膜，由于电子束蒸发设备属于点源溅射，其具有良好的各向异性，两次生长的铝膜不会互相接触短路，会在中间形成两条狭缝，再从顶端进行一次蒸镀，将顶端圆环处铌膜进行保护；使用反应离子刻蚀设备将未被铝膜保护的铌膜被去除，留下铌膜加铝膜的双层结构，即得所述铌基探针型SQUID电磁传感器，可用于检测高频电磁场。
一种探针 squid 电磁传感器制备方法应用

[发明专利]一种应用于多种低温平台的超导测试装置-CN202010764379.9有效
发明人：王华兵;陈士县;徐祖雨;田王昊;孙汉聪;吴培亨 -专利权人：南京大学;网络通信与安全紫金山实验室
申请日： 2020-08-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种内置于多种低温平台的超导测试装置，包括样品固定器、顶盖、超导线圈、接线PCB板与线圈支架，所述超导线圈位于线圈支架的中部，所述样品固定器位于线圈支架的内部，所述接线PCB板位于样品固定器的一侧，所述顶盖位于样品固定器一侧。本装置通过内置制冷机内部的方式，适用于多种类型低温测试系统的测试装置，能够集成微波测试天线。本发明能够利用低温环境和超导线材减小线圈导线电阻，能够增大相同匝数的磁场大小。为了减小热辐射，顶盖可以密封测试内部样品台，减小外部环境噪声。密封可以减小热辐射，超导线圈在较小的电流下能够产生较大的磁场，该装置能够满足低温测试环境需求。
一种应用于多种低温平台超导测试装置

[发明专利]一种解决反向传播的神经网络训练方法-CN202211225039.4在审
发明人： 徐祖雨;邹建勋;吴祖恒;冯哲;朱云来;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06N3/084 文献下载
摘要：本发明公开一种解决反向传播的神经网络训练方法，属于神经网络训练领域；训练方法步骤包括：S1，搭建忆阻器阵列；S2，将图片预处理为相应电压，并可作为输入信号向忆阻器阵列输入；S3，将图片预处理信号输入忆阻器阵列，先对单个图片进行训练，再对相同数字多个图片进行训练，得到数字对应的最有权重；S4，将不同数字的图片进行S2中的预处理操作，再按照S3，得到不同数字对应的最优权重；S5，将S3、S4训练所得到的不同数字所对应的最优权重组成最优忆阻器阵列，再将数字图片输入到最优忆阻器阵列中，输出值与目标值差的绝对值最小的列作为最终数字判断。
一种解决反向传播神经网络训练方法

[发明专利]一种基于PDMS的块材转移固定方法-CN202010761186.8有效
发明人：王华兵;田王昊;陈士县;徐祖雨;王永磊;孙汉聪;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PDMS的块材转移固定方法，具体步骤如下,打开二维转移平台，将平台加热装置温度设置在65度，并使平台的样品台温度维持在65度左右，提前配置好环氧树脂，将清洗干净的放在烘台上95度烘烤2分钟，然后放置在二维转移平台的样品台上，本发明的一种基于PDMS的块材转移固定方法，同时可以使单晶上表面不被环氧树脂覆盖，能够确保与PDMS接触的单晶面不会被环氧树脂覆盖，调节夹片台和样品台的平面的水平位置，使单晶表面与衬底表面平行,在制备电极时侧面固化的环氧树脂，阻挡电极短路单晶的不同层。
一种基于 pdms 转移固定方法

[发明专利]一种优化电导漂移的推理映射方案-CN202211010160.5在审
发明人：朱云来;方修全;冯哲;吴祖恒;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明属于电导漂移技术领域，具体涉及一种优化电导漂移的推理映射方案包括以下步骤：S1：根据电导漂移模型，对于实际的器件电导漂移数据进行拟合，得出模型参数；S2：对输入数据与权值分别进行放缩，作为权值输入电压V0与目的映射电导C；S3：将输入信号经过S2步骤处理为权值输入电压V0，并乘上一个衰减因子，得到最终输入电压V，然后经过外围板卡电路映射到忆阻器阵列中，与传统的方法相比，本专利提出的方案解决了电导漂移问题，通过对输入信号乘上一个补偿因子的独特机制优化了系统的性能，电导漂移的补偿可以直接由输入信号来提供，降低的硬件网络实现的难度，使用本方案的系统在训练了20次后可达到96％的准确率，相比传统方案的准确率提升了10％。
一种优化电导漂移推理映射方案

[发明专利]一种分压型RRAM阵列结构-CN202210851664.3在审
发明人： 徐祖雨;马学杨;陈涛;吴祖恒;朱云来;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种分压型RRAM阵列结构，包括1T1R单元和另一个1T单元，1T指的是MOS管，1R指的是RRAM单元，MOS管与RRAM单元相连，组成1T1R单元；多个1T1R单元并联形成1T1R阵列；另一个1T单元为MOS管，该MOS管的一端与所述1T1R单元中的SL端相连，另一端连接一个高电平VHI；通过将另一个1T单元的N个MOS管的电阻R进行并联，形成RN，这种由1T1R阵列和另一个1T单元组成的结构，称之为伪1T1R的RRAM阵列结构。上述结构可以在实现分压型RRAM阵列的情况下有效减少阵列面积，充分利用阵列资源，同时引入栅压传感方案减小读干扰。
一种分压型 rram 阵列结构

[实用新型]一种丁腈手套生产用凝固剂槽排水装置-CN202221244056.8有效
发明人：刘香香;李振;贺营;贾国龙;化雪艳;张康民;邓宇;陈雷雷;徐祖雨;刘自尧 -专利权人：安徽英科医疗用品有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B01D29/03 文献下载
摘要：本实用新型涉及手套加工领域，具体为一种丁腈手套生产用凝固剂槽排水装置，包括加工台，加工台上表面的中部固定安装有过滤箱，且加工台上表面的四个拐角处均固定安装有支撑柱，四个支撑柱的顶部之间固定安装有加工箱，加工箱的左侧和顶部分别固定安装有液泵和集水箱，且液泵的上下端分别连通有出水管和进水管，出水管的另一端与集水箱的左侧连通，进水管的另一端与过滤箱的左侧连通，集水箱内插接有导水管，且导水管的底部贯穿延伸至加工箱的内部并连通有喷头，加工箱的底部连通有下水管，且下水管的底部与过滤箱的顶部连通，加工箱的正面通过合页转动连接有箱门。解决了排水复杂，需要人工单独进行处理，同时水利用率低的问题。
一种手套生产凝固剂排水装置

[发明专利]一种用于优化忆阻器基神经网络的权值推理映射方法-CN202210816129.4在审
发明人：吴祖恒;李威;冯哲;朱云来;徐祖雨;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于优化忆阻器基神经网络的权值推理映射方法，首先根据忆阻器电导区间和权值区间求出权值映射参数Ct和信号输入转换参数θ；将权值矩阵按照权值映射参数Ct进行等比例放大，经过外围板卡电路映射到忆阻器阵列中；将输入忆阻器阵列的电压信号先按照信号输入转换参数θ进行等比例缩小，再输入映射完成的忆阻器阵列中，进行矩阵乘加运算；使用恒定电阻阵列将中忆阻器阵列运算输出的电流值转换为电压信号，将该电压信号与下一个时刻的电压信号相加作为下一个时刻的输入电压信号，以进行下一循环的权值推理映射过程。上述方法解决了权值推理映射过程中的时序信息丢失问题，使RNN类算法(如GRU、LSTM等)得以全硬件实现。
一种用于优化忆阻器基神经网络推理映射方法

[发明专利]一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法-CN202010764389.2在审
发明人：王华兵;徐祖雨;陈士县;田王昊;孙汉聪;吴培亨 -专利权人：南京大学;网络通信与安全紫金山实验室
申请日： 2020-08-02 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法，准备一片450微米厚2英寸的单抛100硅片和一块有若干2微米宽度微桥结构的掩模版，在清洗后的硅片表面上首先旋涂一层LOR10B底层胶，在硅片上滴上LOR10B使胶能够完全覆盖在硅片上。本发明的一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法，采用悬空掩模技术、角度蒸发生长薄膜法和反应离子刻蚀技术，制备出硅片上的纳米沟道；通过紫外曝光双层胶显影得到光刻胶悬空微桥，再通过电子束蒸发角度生长铝膜，得到铝膜的纳米间隙，最后使用铝薄膜作为掩模，通过反应离子刻蚀技术刻蚀硅片，去除铝膜后即可得到硅的纳米沟道，同时这种方法可以实现大规模量化生产，价格低廉。
一种基于悬空生长薄膜法制大面积可控纳米沟道方法

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