“朱为为”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种土工膜裁切装置-CN202223175996.9有效
发明人：何勇;何仕聪;朱为为 -专利权人：上海盈帆工程材料有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B26D1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种土工膜裁切装置，包括底板，所述底板转动贯穿设有两根转轴，两根所述转轴的两端均同轴固定连接有滚轮，所述底板上安装有推柄，所述底板的下端设有凹槽，所述凹槽内设有U型板，所述U型板内转动连接有转动轴，所述转动轴外同轴固定连接有切割轮，所述凹槽内设有用于对U型板进行升降的升降机构，所述转动轴的一端转动贯穿U型板并与其中一根转轴之间通过传动机构传动连接。本实用新型对土工膜裁切较为省力且方便，且裁切时较为节约电力。
一种土工膜裁切装置

[发明专利]一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法-CN201910130103.2有效
发明人：高军;朱为为;操国宏;银登杰;唐革;李勇;刘军;王政英;王东东 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。
一种硅片承载装置以及对称扩散掺杂方法

[发明专利]一种双向晶闸管及其制造方法-CN201911109074.8有效
发明人：王政英;姚震洋;朱为为;李勇;操国宏;王东东;郭润庆;王亚飞;张西应;高军;银登杰 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。
一种双向晶闸管及其制造方法

[发明专利]一种晶闸管-CN201710816587.7有效
发明人： 朱为为;刘芹;谢腾飞;唐革;操国宏;颜骥;王政英;姚震洋 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管，包括自上至下依次设置的管盖、上钼片、芯片、下钼片和管座，所述管盖上与所述上钼片接触的一侧设有用于引出门极线的预设路径，所述预设路径包括预设段长的第一引出孔，所述预设路径的其他段设有第二引出孔或引出槽。应用本发明公开的晶闸管，通过在管盖上设置第一引出孔将门极线引出，以防止上钼片旋转对门极线进行拉扯而影响晶闸管门极的导通，且在封装过程中，降低门极组装难度，且保证上钼片与芯片的直接接触，保证装置的散热。
一种晶闸管

[发明专利]一种轻型晶闸管元件管壳-CN201811548263.0有效
发明人：全靓;刘军;刘芹;朱为为;李勇;操国宏 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种轻型晶闸管元件管壳，包括依次层叠设置的阴极电极、阴极钼片、芯片、阳极钼片和阳极电极，阳极电极包括沿管壳厚度方向设置的铜层和铝层，阳极电极中的铜层靠近所述芯片一侧，阴极电极的厚度小于所述阳极电极的厚度。通过本申请提供的管壳结构，用纯铝代替大部分铜，达到了管壳减重的目的，利于器件及组件的轻型化。将纯铝设置在阳极电极，与阳极电极中的铜层组装在一起，所形成的铝层与单面的铜层接触的非对称结构减小了接触电阻，降低了接触压降。此外，阳极电极中的铝层更适合与铝散热器直接压接，能够降低接触压降，拓宽了器件的应用领域。
一种轻型晶闸管元件管壳

[发明专利]一种整流管管壳-CN201811276213.1有效
发明人：全靓;刘芹;刘军;朱为为;李勇;操国宏 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种整流器管壳，整流器管壳包括彼此连接的整流器管盖和整流器管座、包括在整流器管盖内的阴极电极、包括在整流器管座内的阳极电极、阴极法兰和阳极法兰。阴极电极包括第一铝块和贴合在所述第一铝块下表面的第一铜片，阳极电极包括第二铝块和贴合在所述第二铝块上表面的第二铜片，阴极法兰与第一铜片连接；阳极法兰与第二铜片连接。本发明在保证整流器高强度、良好气密性、耐高压、良好绝缘性能的情况下，还降低了整流器管壳的重量，满足了对重量要求严格的领域的使用需求。
一种整流管管壳

[发明专利]一种大功率整流管芯的制造方法-CN201710765588.3有效
发明人：王东东;王政英;刘锐鸣;刘芹;朱为为;唐革;姚震洋;高军;邹昌 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间，节省大量人力物力，降低环境污染，避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。
一种大功率整流管芯制造方法

[发明专利]晶闸管及其制造方法-CN201710990256.5有效
发明人：高军;姚震洋;操国宏;唐革;朱为为;刘芹;王东东 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及晶闸管及其制造方法。该晶闸管包括芯片，所述芯片包括板状的芯片主体，所述芯片主体构造有工作表面，所述芯片还包括从所述工作表面向外凸出的第一电极凸起和第二电极凸起，所述第一电极凸起和所述第二电极凸起相互间隔开，在所述第一电极凸起和所述第二电极凸起之间形成间隔空间。通过这种晶闸管能有效地确保电极之间的绝缘性。
晶闸管及其制造方法

[发明专利]一种快恢复二极管的制造方法-CN201910680254.5在审
发明人：郭润庆;郭继军;操国宏;李勇;朱为为;王政英;宋胜兰;姚震洋;王东东;吴志华 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法通过工艺流程的巧妙设计实现了铝杂质在硅圆片上的单面扩散，从而规避了单面机械研磨工艺，提高了芯片成品率及长期可靠性；采用液态硼源涂敷工艺进行硼杂质掺杂，该工艺成本更低，效率更高；采用质子辐照工艺精确控制FRD芯片的纵向少子寿命，该工艺的重复性高，器件参数的一致性好，采用该工艺的FRD的反向恢复软度因子大于0.7，有效降低了反向恢复峰值电压VRM，降低了器件工作过程中所需承受的电应力。
一种恢复二极管制造方法

[发明专利]一种快恢复二极管的制造方法-CN201910681759.3在审
发明人：郭润庆;郭继军;操国宏;李勇;朱为为;王政英;宋胜兰;姚震洋;王东东;吴志华 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法采用液态硼源涂敷工艺替代硼离子注入工艺，在现有生产线条件下即可实现硼源涂敷及扩散，且液态硼源的成本远低于硼离子注入用靶材，最重要的是避免了价格高昂的离子注入设备投入，显著降低了生产成本及固资投入费用；采用控制精度更高的质子辐照工艺以替换存在污染生产线风险且可控性差、重复性差的掺金/铂工艺，精确控制FRD芯片的少子寿命，提高了器件的参数一致性，同时将FRD的反向恢复软度因子提高到0.7以上，降低了FRD反向恢复峰值电压，进而降低了其工作中所需承受的电应力，提高了FRD的应用长期可靠性。
一种恢复二极管制造方法

[发明专利]一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法及应用-CN201410756710.7有效
发明人： 朱为为;吴煜东;颜骥;张明;邹冰艳;操国宏;唐革;王政英;姚震洋;刘芹;高军 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
银层焊接硅片钼片半导体器件阳极变形量成品率焊接层空洞率应用

[发明专利]半导体芯片涂胶方法、装置及设备-CN201610449977.0在审
发明人：王政英;邹昌;王东东;唐革;操国宏;邹湘博;邹冰艳;朱为为;刘锐鸣;姚震洋 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片涂胶方法、装置及设备，其中，方法包括步骤将半导体芯片水平固定在旋转电机上；将出胶口移至半导体芯片的涂胶部位；启动旋转电机，使半导体芯片随旋转电机以第一预设旋转速度旋转；控制出胶口出胶预设时间，使胶水覆盖在半导体芯片的涂胶部位。上述方法通过定量控制出胶口的出胶时间和旋转电机的第一预设旋转速度，来控制涂覆在半导体芯片上的胶层厚度，使涂覆的胶层厚度均匀，没有气泡，且不会出现笔毛及刷毛脱落在胶层中的现象，由于整个涂胶过程采用全自动控制，提高了工作效率，同时提高了半导体芯片的涂胶质量。
半导体芯片涂胶方法装置设备

[实用新型]一种键合型晶闸管芯片测试用适配器-CN201420650096.1有效
发明人：刘芹;高军;朱为为;邹冰艳 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：一种键合型晶闸管芯片测试用适配器，其包括上盖、门极组件、阴极钼片、定位环及底座。该阴极钼片的中心开有内螺纹孔，并于内螺纹孔处向外延伸有线槽，该门极组件通过绝缘部的外螺纹与阴极钼片的内螺纹孔的螺合而固定于阴级钼片，门极组件的引线则埋入到阴极钼片的线槽中沿线槽伸至阴极钼片外。如此，通过改变门极组件在适配器内的固定形式，将门极组件与阴极钼片固定在一起。在进行芯片测试时，将结合门极组件的阴极钼片置于芯片的阴极面上，使门极组件与芯片同圆心后再压合，有效防止了因芯片在定位环内发生偏移而导致门极组件的顶针在芯片的中心门极区发生滑动而损伤芯片的中心门极区。
一种键合型晶闸管芯片测试适配器

[发明专利]一种半导体芯片台面的钝化方法-CN201410153442.X在审
发明人： 朱为为;吴煜东;颜骥;邹冰艳;王政英 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体芯片台面的钝化方法，包括，将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，并遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使所述半导体芯片的台面区域暴露在外；向所述反应室内通入反应性气体CH₄，所述反应性气体CH₄在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体；所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，以形成钝化层。该钝化方法具有效率高、均匀性好、可重复性高、灵活性强以及人工成本低的优点。
一种半导体芯片台面钝化方法

1
共 14 条