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[发明专利]一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法-CN201210539425.0有效
发明人：李明飞;刘志伟;闫志瑞;陈海滨;付斌;黄龙辉 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，电阻率可达4000-5000Ω·cm，它包括以下工序：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩及放肩至等径，收尾工序，其中：所用的多晶料为高纯度REC多晶硅料，所用多晶料的直径大于拉制获得的单晶，多晶料与单晶直径比控制为3∶2。本发明的优点是本工艺方法简单，实用，可满足人们对高电阻率区熔单晶硅的需求。
一种拉制直径 80 mm 电阻率单晶硅工艺方法

[发明专利]一种硅片热处理恒温区的固定方法-CN201210545483.4有效
发明人：刘佐星;王海涛;鲁进军 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片热处理恒温区的固定方法，预先测出退火炉内恒温区的位置，并在碳化硅舟桨上标识出与该位置对应的区域，然后将两个固定器分别固定在碳化硅舟桨上该区域的两端。本发明通过在碳化硅舟桨对应于退火炉内恒温区的区域两端设置固定器，对恒温区进行明确的固定，起到防呆防错的效果，简化了操作，降低了管理的成本，彻底解决了硅片超出恒温区造成电阻率不合格的问题。
一种硅片热处理恒温固定方法

[发明专利]一种获得宽范围电阻率区熔硅单晶的气掺系统装置及方法-CN201210545918.5有效
发明人：陈海滨;闫志瑞;梁开金;黄龙辉;李明飞;刘志伟;付斌 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明提供一种获得宽范围电阻率区熔硅单晶的气掺系统装置及方法，该气掺系统装置包括磷烷气体管道、氩气管道、入炉气体管道、排空管道，该四路管道分别通过VCO接口连接至一桥形管路上，其中，磷烷气体管道和氩气管道连接在该桥形管路的一端，入炉气体管道和排空管道连接在该桥形管路的另一端；磷烷气体管道、氩气管道和入炉气体管道上分别安装有质量流量计，排空管道上安装有压力控制计。采用该气掺系统装置进行气相掺杂，在区熔法生长单晶硅的熔球阶段，磷烷气体与氩气在桥形管路内混合后进入入炉气体管道，熔球阶段结束后，进行引晶、放肩、等径、收尾，通过改变注入区熔炉的磷烷气体的剂量，可以获得电阻率范围在0.1～2000Ω·cm的区熔硅单晶。
一种获得范围电阻率区熔硅单晶系统装置方法

[发明专利]一种掺杂区熔硅单晶的制备方法-CN201210530394.2有效
发明人：刘志伟;闫志瑞;陈海滨;付斌;黄龙辉;李明飞 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：一种掺杂区熔硅单晶的制备方法，它包括以下步骤(1)将多晶硅料磨锥、腐蚀、清洗、干燥；(2)将多晶硅料固定在磁控溅射仪空腔中，掺磷硅靶装好，抽真空至5*10^-3Pa，然后通入氩气，腔内压强为1Pa，在两电极之间施加500Kv的高电压，电离出的氩离子不断轰击靶材，靶材中的磷和硅原子获得能量溅射出来，沉积到多晶硅表面，形成一层均匀致密的磷/硅薄膜，溅射经过30～90分钟后中止溅射，打开溅射腔将多晶硅旋转180°，重复上述步骤，继续溅射相同时间；(3)取出多晶硅料，放入区熔硅单晶炉中，将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩，直至等径保持，收尾。本方法的优点是：不仅成本低廉，生产效率高，无毒害，而且径向轴向电阻率均匀性均比较好。
一种掺杂区熔硅单晶制备方法

[发明专利]一种直拉法生长低电阻率单晶硅用掺杂装置及掺杂方法-CN201210505550.X有效
发明人：王学锋;邓德辉;高朝阳;曾泽红;郑沉;方峰 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：一种直拉法生长低电阻率单晶硅用掺杂装置，包括固定支架、盛料杯、导流管、卸料杯、锥形底托及连接杆，固定支架上开设有通孔；盛料杯穿过该通孔并由其外壁上的凸缘搭载在固定支架上，盛料杯的下端连接导流管；卸料杯呈两端开口的筒状，其外壁上设有凸缘，该卸料杯套设在该盛料杯内，并可以沿盛料杯的内壁上下移动；锥形底托的下端恰与卸料杯的内壁接触，并可沿卸料杯的内壁上下移动；连接杆的上端连接单晶炉的籽晶提拉轴，并通过连接件连接固定支架，连接杆的下端连接锥形底托的上端。掺杂剂经锥形底托与卸料杯间形成的缝隙流入盛料杯，并通过导流管流进硅熔体中，能避免气态掺杂元素逃逸损失，生长出低电阻率、高掺杂的单晶硅。
一种直拉法生长电阻率单晶硅掺杂装置方法

[发明专利]一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置和生长方法-CN201210506237.8有效
发明人：徐继平;孙洪波;刘斌;李耀东;党宇星;耿绪雷;王雷;张亮;叶松芳 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置和生长方法，该装置包括圆形的上基座和下基座，以及安装在上、下基座之间的三个承载棒，每个承载棒上均匀分布数个承载槽。采用该硅片承载装置生长二氧化硅背封膜的方法包括以下步骤：(1)将若干个硅片承载装置安装在化学气相沉积水平卧式炉的沉积腔体内，然后将硅片导入该些硅片承载装置；(2)设定沉积腔体内的温度和压力，设定正硅酸乙酯蒸汽的流量，控制沉积时间；(3)沉积完成后，进行腔体净化，取出硅片测定片内和片间均匀性；(4)整炉硅片进行外观表面检测，计算良率。采用本发明生长出来的背封二氧化硅背封膜边缘没有印记，整个表面均匀一致，膜质质量大幅提升。
一种新型用于二氧化硅背封膜生长过程硅片承载装置方法

[发明专利]一种高温退火硅片的制备方法-CN201210465601.0有效
发明人：李宗峰;冯泉林;赵而敬;盛方毓;闫志瑞;李青保;王磊 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高温退火硅片的制备方法，包括以下步骤：(1)将硅片装载好后，以150mm/min的速度升入温度为650℃，保护气氛为纯Ar的石英炉管内，保温30min；(2)向石英炉管内通入H₂，此时退火气氛变为Ar和H₂的混合气氛，并升温到1000℃；(3)停止通H₂，将退火气氛变为纯Ar气氛，并升温到1200℃保温1h；(4)保温结束后，继续通入纯Ar，降温到650℃后出舟，将硅片冷却至室温后卸载。采用本发明的制备方法不但消除了硅片表面的空洞型微缺陷，降低了表面的雾度值(Haze值)，而且保证了硅片电阻率在深度方向上的一致性和径向上的均匀性。本发明不会带来附加的不良作用，不需要增加多余的工序，不仅提高了生产效率而且降低了成本，适合于批量生产。
一种高温退火硅片制备方法

[发明专利]一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺-CN201210464962.3有效
发明人：赵而敬;冯泉林;闫志瑞;李宗峰;盛方毓 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺，它包括：(1)于1150～1190℃下用高纯HCl气体清洁反应腔体；(2)通入高纯H₂吹扫反应腔体内残留的HCl气体及反应产物；(3)将反应腔体内的温度降温至700～900℃，将12寸单晶硅片装载到载片基座上；(4)将反应腔体内的压强降低至20～200Torr，然后升温至1000～1050℃，载气高纯H₂的流量为40～160SLM；(5)反应气体预流，调节通入DCS以及掺杂剂的反应腔体的过程和时间生长外延层；(6)降温至900℃，取出外延片。通过本发明的上述工艺可以制备出外延层电阻率均匀，外延层和衬底电阻率过渡区窄的外延片。
一种减压生产 12 单晶硅外延工艺

[发明专利]一种双面抛光用抛光布的修整工艺-CN201210465591.0有效
发明人：库黎明;闫志瑞;索思卓;王永涛;葛钟;叶松芳;鲁进军 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本发明提供一种双面抛光用抛光布的修整工艺，在双面抛光贴布后或者抛光后，使用金刚石砂轮对抛光布进行修整，该修整工艺包括以下步骤：(1)先使金刚石砂轮顺时针旋转对抛光布进行修整；(2)在顺时针旋转结束后使金刚石砂轮转动速度降至0；(3)再使金刚石砂轮逆时针旋转对抛光布进行修整；(4)修整完使用盘刷子进行刷盘。在上述修整工艺中，所述步骤(1)与所述步骤(3)中金刚石砂轮的旋转方向可以互换。本发明采用金刚石砂轮顺时针旋转和逆时针旋转相结合的方式对抛光布进行修整，能大大提高抛光布的平整度，进而提高硅片的几何参数水平；本发明简单易行，在效率上和传统工艺相同，可以用于商业上的任何大直径硅片加工工艺。
一种双面抛光修整工艺

[发明专利]一种抛光机碎片处理装置-CN201210465542.7有效
发明人：党宇星;宁永铎;边永智;李俊峰;徐继平;孙洪波;张静;刘斌 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光机碎片处理装置，包括基座，该基座上设有数个凹槽，该凹槽由两个向下倾斜的引导槽构成，在每个凹槽的底端分别设有对应的碾碎槽，每个碾碎槽中安装有一对碾碎轴，该对碾碎轴上具有相互咬合的碾碎齿。本发明可以有效的缩短晶片抛光时破碎片的处理时间，提高生产效率，在晶片加工领域的商业价值。本发明可以由现有的抛光装置改造而成，改造成本低，使用方便。
一种抛光机碎片处理装置

[发明专利]一种区熔法生长大尺寸硅单晶用温度梯度控制装置及方法-CN201210465698.5有效
发明人：曲翔 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明提供一种区熔法生长大尺寸硅单晶用温度梯度控制装置及方法，该温度梯度控制装置包括温控反射器及温控系统，该温控反射器为石墨材质的圆筒形结构，设置在区熔炉体的加热线圈下方，其具有电流输入、输出端口；该温控系统包括温度传感器和主控制器，该温控反射器通过其电流输入、输出端口与主控制器连接。利用该温度梯度装置控制硅单晶生长温度梯度的方法是通过温度传感器将反射器内的温度信号传递到主控制器，通过主控制器控制温控反射器内电流的大小，进而控制反射器内的温度。本发明通过温控系统对反射器内的温度进行控制，在大直径硅单晶拉制过程中，能为硅单晶生长提供可调控的温度梯度，提高了大尺寸硅单晶的成晶率。
一种区熔法生长尺寸硅单晶用温度梯度控制装置方法

[实用新型]一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈-CN201320773023.7有效
发明人：李明飞;闫志瑞;杨凯;陈海滨 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈，该线圈为平板单匝结构，该线圈的上表面为三级台阶结构，包括第一台阶、第二台阶、第三台阶，第一台阶靠近线圈的内部圆口，第三台阶位于线圈表面的最外侧；线圈内部圆口处具有十字切槽，该十字切槽的前端和左右两端分别延伸出一切缝，在该三个切缝的端部均设有一段垂直于该切缝的缝隙，各切缝与其端部的缝隙呈T字形状。本实用新型的结构设计可以达到局部区域磁场强度增强的效果，改善了多晶硅棒下方固液界面形状，有助单晶的散热，更加利于单晶生长。本实用新型大大改善了加热线圈对多晶硅棒的熔化效果，提高硅单晶的生长稳定性。
一种用于拉制英寸区熔硅单晶加热线圈

[实用新型]一种可以降低晶圆表面沾污的倒片机-CN201320735701.0有效
发明人：宁永铎;边永智;赵晶;史训达;赵伟;张静;张亮 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可以降低晶圆表面沾污的倒片机，该倒片机包括槽体、以及设置在该槽体内的倒片翻转装置，该倒片翻转装置包括支架和底板，该底板通过转轴安装在支架上，该底板的一侧安装有一把手，推动该把手可使底板绕转轴摆动。本实用新型在晶圆转移过程中晶圆完全浸没在水中，晶圆通过重力自然滑落到清洗花篮中，除花篮外晶圆不与其他物体接触，最大限度降低了晶圆沾污机会，提高了晶圆清洗效果。
一种可以降低表面沾污倒片机

[实用新型]化学机械抛光机用助力机械手-CN201320739613.8有效
发明人：郝玉清;程凤伶;蔡丽艳;李耀东;陈信;任凯峰;张建;李奇;白鸽玲 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： B25J1/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学机械抛光机用助力机械手，包括硬臂式支撑装置、T型支架和数个真空吸盘，硬臂式支撑装置具有刚性臂杆，T型支架安装在该刚性臂杆的端部，数个真空吸盘安装在T型支架上。本实用新型的助力机械手通过合理的设计实现一次吸吊两块以上陶瓷板，在不损失抛光机设备效率的前提下，减少了人力。
化学机械抛光机助力机械手

[发明专利]一种籽晶夹持器-CN201210100151.5无效
发明人：戴小林;吴志强;汪丽都;崔彬;姜舰;邓树军;王雅楠;朱秦发;叶松芳 -专利权人： 有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明提供一种籽晶夹持器，包括夹持器上部和夹持器下部，该夹持器上部与夹持器下部之间为可拆卸连接，该夹持器下部内具有一个贯通上下的空腔，该夹持器下部的下端沿其内壁具有一个环形的凸台，该空腔内设有一弹簧。采用本发明的籽晶夹持器，在硅单晶生长过程中，可以避免发生籽晶断裂，延长了籽晶的使用寿命；大大提高了大直径硅单晶生产的安全性，适用于生长重量不超过600kg的大直径硅单晶。
一种籽晶夹持

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