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- [发明专利]形成半导体结构的方法-CN202210139938.6在审
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江霈柔;曾自立;王义舜
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南亚科技股份有限公司
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2022-02-16
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2023-05-12
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H01L21/28
- 本发明内容提供一种形成半导体结构的方法，方法包含以下操作。接收半导体基板，其中半导体基板包含栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极层。执行第一蚀刻操作以图案化栅极层，并暴露出栅极介电层的顶表面。执行第二蚀刻操作，以第一变压耦合等离子体蚀刻栅极层的侧壁，其中第一变压耦合等离子体具有第一功率。执行第三蚀刻操作，以第二变压耦合等离子体蚀刻栅极层的侧壁，其中第二变压耦合等离子体具有第二功率，第一功率小于第二功率。此方法借由调整等离子体蚀刻设备上的参数以修饰栅极层的栅极轮廓，因此，可以避免颈缩或底角的栅极轮廓，同时得到实质上与栅极介电层垂直的栅极轮廓，从而大幅降低MOSFET的临界尺寸差异。
- 形成半导体结构方法
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111170283.0在审
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李俊毅;赖朝文;曾自立
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南亚科技股份有限公司
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2021-10-08
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2023-04-04
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H01L21/033
- 一种半导体结构的形成方法包括：在绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成介电层；在介电层上形成附着层；在附着层上形成抗反射层；在抗反射层上形成图案化的光阻；蚀刻抗反射层，使抗反射层具有第一开口；蚀刻第一开口中的附着层，使附着层具有第二开口；去除图案化的光阻；以及同步蚀刻抗反射层与介电层，使附着层的顶面上无抗反射层并在介电层中形成第三开口，其中第二开口与第三开口大致对齐，且半导体层的顶面从第二开口与第三开口裸露。半导体结构的附着层的顶面上无残留抗反射层，并且蚀刻可停止于半导体结构的半导体层的顶面上，可提高半导体结构的产品良率。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110591840.X在审
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吴忠育;曾自立;林俐齐
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南亚科技股份有限公司
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2021-05-28
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2022-09-02
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H01L21/762
- 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：在半导体基板上形成栅极结构，其中半导体基板具有浅沟槽隔离、绝缘衬垫及导体；在栅极结构上形成牺牲层；在半导体基板、栅极结构的侧壁以及牺牲层的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层上形成间隔件，间隔件位于浅沟槽隔离与栅极结构的侧壁上；在半导体基板与间隔件上形成层间介电层；去除牺牲层；以脉冲等离子体蚀刻层间介电层、绝缘层以及半导体基板以形成第一接触开口及第二接触开口，其中间隔件的侧壁从第一接触开口中裸露，并且在蚀刻期间，在间隔件的侧壁上形成聚合物层与蚀刻聚合物层。借此，由于脉冲等离子体具有间歇开关频率的特性，间隔件可避免损坏并提供足够保护效果。
- 半导体结构及其形成方法
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