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[发明专利]一种光电子封装组件-CN202111015566.8有效
发明人：刘思宁;房丹;李含;张强;方铉 -专利权人：长春电子科技学院
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明适用于光电子封装设备领域，提供了一种光电子封装组件，包括底座和外壳，还包括：固定机构，所述外壳和底座滑动连接，所述底座固定连接有限位座，所述固定机构通过竖向运动的方式与限位座滑动插接，从而对底座与外壳进行固定限位；定位机构，与外壳固定连接，所述定位机构包括能够进行竖向运动的驱动组件，所述驱动组件连接有第一弹性导热片，所述驱动组件的两端固定连接有第二弹性导热片，所述外壳的内端面转动连接有两个导向轮，每个导向轮均与一个第二弹性导热片滑动连接；散热机构，与底座固定连接，所述外壳中相对的两个侧端面均设置有气孔，所述散热机构用于通过循环水冷的方式对光电子芯片进行降温处理。
一种光电子封装组件

[发明专利]一种硒化钨/碲化铋室温红外双波段探测器及其制备方法-CN202310818982.4在审
发明人：王东博;刘东昊;方铉;曹伽牧;刘思航;王金忠;曲平 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：一种硒化钨/碲化铋室温红外双波段探测器及其制备方法，属于红外成像探测技术领域，所述探测器包括衬底、WSe2/Bi2Te3异质结和铬金电极，衬底上磁控溅射沉积WSe2/Bi2Te3异质结，铬金电极设置在WSe2/Bi2Te3异质结上。本发明利用在衬底上用磁控溅射技术沉积的WSe2/Bi2Te3异质结薄膜材料，制备了红外双波段探测器，短波红外探测响应峰位于1μm处，长波红外探测响应峰位于12.5μm处，材料制备工艺简单，以较低成本、实现了室温红外短、长波双波段自供能探测。
一种硒化钨碲化铋室温红外波段探测器及其制备方法

[发明专利]基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法-CN202311034795.3在审
发明人：王登魁;杨丹;方铉;项超;张德权;张玉亭;房丹 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法，涉及半导体材料领域。基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，包括由上至下依次层叠设置的顶部电极接触层、第一PbSe CQD吸收层、CQD阻挡层、第二PbSe CQD吸收层和底部电极接触层；所述第一PbSe CQD吸收层和所述第二PbSe CQD吸收层的原料包括第一配体组装后的PbSe胶体量子点，所述CQD阻挡层的原料包括ZnO胶体量子点或者第二配体组装后的PbS胶体量子点或Ag2Se CQD胶体量子点。本申请提供的基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，能够实现探测器探测波长的轻松调控。
基于 pbse 胶体量子红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种光电子倍增器-CN202110920468.2有效
发明人：刘思宁;房丹;张强;李含;方铉 -专利权人：长春电子科技学院
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J43/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电子倍增器，包括安装座和倍增器本体，所述倍增器设置于安装座的左侧，所述倍增器本体右侧的四周均栓接有限位柱，所述限位柱的右侧贯穿至安装座的内腔，所述安装座的内腔设置有快速安装机构，所述限位柱的右侧与快速安装机构相向的一侧卡接，所述安装座的顶部和底部均开设有通槽。该发明快速安装机构，通过设置移动框便于带动固定杆移动，能够使固定杆通过活动杆带动活动座进行移动，从而活动座带动定位柱对限位柱进行快速卡接固定，满足了倍增器本体与安装座之间的快速安装流程，提高了使用者安装倍增器本体的效率，同时降低了使用者对倍增器本体更换时对安装位置造成的损坏。
一种电子倍增器

[发明专利]一种室温下工作的中长波红外探测器及其制备方法-CN202310818983.9在审
发明人：王东博;刘思航;方铉;曹伽牧;刘东昊;王金忠;曲平 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温下工作的中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括衬底、Bi2Te3纳米材料层和铬金电极，衬底上旋涂Bi2Te3纳米材料层，铬金电极设置在Bi2Te3纳米材料层上。制备步骤如下：步骤一、利用溶剂热技术生长Bi2Te3六角形纳米材料；步骤二、在生长的Bi2Te3六角形纳米材料旋涂于衬底上；步骤三、利用磁控溅射技术在Bi2Te3层表面沉积铬金电极。本发明制备了室温中长波红外探测器，长波红外探测器的响应峰10μm以上，实现了室温中长波红外探测材料结构。
一种室温工作长波红外探测器及其制备方法

[发明专利]异质红外SAM-APD材料、异质红外SAM-APD及其制备方法-CN202211467066.2在审
发明人：王登魁;方铉;项超;房丹;牛守柱;楚学影;翟英娇;李金华;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种异质红外SAM‑APD材料、异质红外SAM‑APD及其制备方法。异质红外SAM‑APD材料，包括III‑V族吸收层、Si倍增结构层以及设置在III‑V族吸收层和Si倍增结构层之间的III‑V族垂直超晶格缓冲层。异质红外SAM‑APD的制备方法：通过离子注入技术对Si进行掺杂得到Si倍增结构层；在Si倍增结构层的表面依次外延生长III‑V族垂直超晶格缓冲层和III‑V族吸收层；采用紫外光刻技术制作刻蚀图形，利用电感耦合等离子体设备刻蚀APD台面结构，得到异质红外SAM‑APD。本申请提供的异质红外SAM‑APD材料，实现APD工作波长的拓展和增益性能的提升，易于实现硅基片上集成。
红外 sam apd 材料及其制备方法

[发明专利]基于胶体量子点和硅的SAM-APD材料及其制备方法和SAM-APD-CN202211326005.4在审
发明人：方铉;王登魁;郝誉;房丹;牛守柱;楚学影;翟英娇;李金华;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料及其制备方法和SAM‑APD。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，包括层叠设置的Si接触层、Si倍增层、Si电荷层、CQD吸收层和CQD接触层。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料的制备方法：制备Si接触层、Si倍增层和Si电荷层；然后在Si电荷层的表面依次设置胶体量子点，得到CQD吸收层和CQD接触层。本申请提供的基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，胶体量子点展现出了Si的兼容性，而且胶体量子点的生长降低了材料生长的复杂性与成本，结合Si能够实现具有高增益、低噪声、低成本等优点。
基于胶体量子 sam apd 材料及其制备方法

[发明专利]一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法-CN201911397635.9有效
发明人：唐吉龙;张建;魏志鹏;宿世臣;范杰;张晶;房丹;方铉;林逢源;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法。本发明在半导体基底背面生长金刚石薄膜，在基底侧面进行划刻，在基底正面进行离子注入并对基底进行退火处理，最后通过剥离得到所需厚度的高效散热半导体衬底，剥离后剩余基底可再次进行本发明所提出的衬底的制备，实现基底的多次使用。本发明提供的方法通过离子注入生成物与原基底材料之间存在较大的应力完成剥离，可以将一片基底进行多次重复利用，避免了基底的浪费，降低了半导体器件的制备成本。
一种基底多次利用高效散热半导体衬底制备方法

[发明专利]一种量子阱雪崩光电二极管-CN202110526233.5有效
发明人：王登魁;魏志鹏;方铉;房丹;唐吉龙;林逢源;李科学;王新伟;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域，解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题，空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极，雪崩层包括II型多量子阱或者多异质结，雪崩层的能带排列为II型排列；空穴在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处得到价带带阶后的空穴能量等于其离化阈值能量，空穴发生碰撞离化过程；电子在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处失去导带带阶后的电子能量小于其离化阈值能量，电子不发生碰撞离化过程。本发明实现了高倍增因子和低噪声特性，提高现有雪崩光电二极管的性能指标。
一种量子雪崩光电二极管

[发明专利]一种高响应度的雪崩光电二极管结构-CN202110526831.2有效
发明人：王登魁;魏志鹏;陈雪;方铉;房丹;林逢源;唐吉龙;李科学;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域，解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题，二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；插入层的材料为GaAs1‑xSbx，吸收层的材料为GaAs1‑ySby；或者；插入层的材料为IniGa1‑iAs，吸收层的材料为InjGa1‑jAs；i和x为固定值，吸收层的In或Sb组分由下至上线性递增。且x＞ymin,i＞jmin。本发明通过窄带隙插入层在价带形成空穴阱，捕获空穴，并在插入层和倍增层之间形成强空穴势垒以阻挡空穴，增强了雪崩区的电场强度，提高了倍增因子，降低了噪声。
一种响应雪崩光电二极管结构

[发明专利]二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件-CN202011298767.9有效
发明人：方铉;牛守柱;杜鹏;刘晓磊;房丹;王登魁;魏志鹏;王晓华;王菲 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构；其中，X和Y独立地选自VA族元素且不相同。本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。
二维材料异质结结构及其制备方法应用光电器件

[发明专利]钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN202210149724.7在审
发明人：方铉;田丰;王登魁;房丹;张海汐;李波波;李金华;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿光电探测器及其制备方法。钙钛矿光电探测器，包括层叠设置的聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层；所述聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和所述钙钛矿层之间具有空腔。钙钛矿光电探测器的制备方法，包括：将含有金属纳米颗粒的聚乙烯醇溶液在第一衬底上形成所述聚乙烯醇‑纳米金属粒子层；在第二衬底上涂覆PbX溶液得到PbX薄膜，然后将PbX薄膜与YX溶液反应得到钙钛矿多晶薄膜，退火得到钙钛矿层；将聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层贴合得到钙钛矿光电探测器。本申请提供的钙钛矿光电探测器，通过聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层之间的空腔，达到了控制金属纳米颗粒与钙钛矿之间的距离，从而实现LSPR增强效果。
钙钛矿光电探测器及其制备方法

[发明专利]单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器-CN202111483385.8在审
发明人：方铉;张倩文;王登魁;房丹;田丰;王海珠;范杰;李金华;翟英娇;楚学影;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备方法：将钙钛矿单晶前驱体溶液在加热条件下静置，固液分离得到所述钙钛矿单晶；以臭氧为氧的前驱体、以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱体，在钙钛矿单晶的表面进行原子层沉积，从而引入界面偶极子层，得到单晶钙钛矿材料。窄带光响应探测器，其原料包括所述的单晶钙钛矿材料。本申请提供的单晶钙钛矿材料，进一步窄化光响应半峰宽、抑制了背景噪声，提高了短波抑制比，有效提高了单晶的稳定性并且增强了器件的使用寿命。
单晶钙钛矿材料及其制备方法窄带响应探测器

[发明专利]利用溶液极性调控二维VA族层状材料形貌的制备方法-CN202111374874.X在审
发明人：方铉;詹燕燕;王登魁;房丹;李金华;翟英娇;王海珠;范杰;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C22B30/04 文献下载
摘要：利用溶液极性调控二维VA族层状材料形貌的制备方法涉及材料制备技术领域，解决了现有制备不能兼顾生长速度和形貌控制的问题，步骤一、通过电化学剥离方法制备二维VA族层状材料，电解液的溶质为四丙基溴化铵粉末溶剂为有机溶剂；以VA族材料作为阴极、铂片作为对电极、Ag/AgCl作为参比电极；步骤二、将电解液中剥离得到的二维VA族层状材料进行分离，然后洗涤；步骤三、选择具有极性的第二溶液洗涤步骤二得到的二维VA族层状材料，得到调控形貌后的二维VA族层状材料。本发明利用电化学剥离法对生长条件要求较低、生长速率快，可以快速剥离且不破坏材料本身，通过改变第二溶液极性的大小可以调控二维VA族层状材料的形貌。
利用溶液极性调控二维 va 层状材料形貌制备方法

[发明专利]具有钙钛矿微纳结构的材料及其制备方法和应用-CN202111161643.0在审
发明人：方铉;李波波;袁牧峰;梁永波 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请提供一种具有钙钛矿微纳结构的材料及其制备方法和应用。具有钙钛矿微纳结构的材料，包括纳米晶体和包覆所述纳米晶体的包覆层。具有钙钛矿微纳结构的材料的制备方法：将包括CH3NH3X、PbX2、混合溶剂在内的原料混合，然后加入不良溶剂；反应后固液分离得到溶液；将所述溶液、Pb(SCN)2和CH3NH3SCN混合，然后干燥得到所述纳米晶体；使用原子沉积法在所述纳米晶体表面包覆所述金属化合物，得到所述具有钙钛矿微纳结构的材料。具有钙钛矿微纳结构的材料的应用，用于半导体光电子器件、信息存储设备和探测设备。本申请提供的具有钙钛矿微纳结构的材料，稳定性高。
具有钙钛矿微纳结构材料及其制备方法应用

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