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[发明专利]一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法-CN201710370209.0在审
发明人：梁士雄;王俊龙;张立森;杨大宝;徐鹏;赵向阳;房玉龙;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，属于半导体器件技术领域。其是在生长衬底上外延生长高掺杂N‑型GaN层；在N‑型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触；在所述的N‑层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极。本发明能够降低器件的串联电阻，提高工作频率，解决电流拥挤的问题。
一种垂直结构 gan 基肖特基二极管制备方法

[发明专利]毫米波及太赫兹波直接调制器及其制备方法-CN201710368618.7在审
发明人：梁士雄;王俊龙;张立森;杨大宝;徐鹏;赵向阳;房玉龙;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫米波及太赫兹波直接调制器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明包括外延层，在所述外延层上两侧设有欧姆接触，两欧姆接触之间为肖特基接触，在形成的欧姆接触和肖特基接触上用晶片键合的方法粘合石英基片，形成二次衬底。本发明能够降低器件的反射损耗和传输损耗，获得更高调制深度的器件。
毫米波及赫兹直接调制器及其制备方法

[发明专利]带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管及其制作方法-CN201510277094.1有效
发明人：梁士雄;房玉龙;邢东;王俊龙;杨大宝;张立森;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体器件及其制作方法技术领域。所述二极管包括衬底，所述衬底上设有N+型GaN层和N‑型GaN层，第一欧姆接触层和N‑型GaN层保持间隔设置，右侧高掺杂的N+型GaN层的上表面设有第二欧姆接触层，所述N‑型GaN层的上表面设有肖特基接触层，所述肖特基接触层与第二欧姆接触层之间通过空气桥进行连接，所述第一欧姆接触层上设有第一悬空梁式引线，所述空气桥上设有第二悬空梁式引线。所述二极管利用梁式引线结构，可以实现微小芯片的压焊机装配，减少了涂覆导电胶带来的麻烦，降低了器件装配难度，提高工作效率和器件的质量。
带有悬空引线结构 gan 肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]基于III族氮化物材料的准线性掺杂的器件结构-CN201310366202.3有效
发明人：王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;张雄文;房玉龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于III族氮化物材料的准线性掺杂的器件结构，属于半导体高频功率器件和高压器件，特别涉及III族氮化物器件的高压领域。本发明中自下而上包括衬底、缓冲层、沟道层和上表面上设有电极的势垒层，势垒层上的上表面呈部分阶梯式递增或全部阶梯式递增；递增方向为器件处于反向截至状态时自低电位电极到高电位电极方向。和常规III族氮化物器件结构相比，本发明主要创新是通过挖槽工艺实现了势垒层沟道的准线性掺杂，巧妙的避开了III族氮化物二次注入工艺，降低了制作难度，同时也降低了器件的制作成本；且本发明的准线性掺杂有效降低了原有的峰值电场，有效的提高了器件的击穿电压，降低了电流崩塌。
基于 iii 氮化物材料准线掺杂器件结构

[实用新型]Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器-CN201620809923.6有效
发明人：郭艳敏;房玉龙;冯志红;尹甲运;宋旭波;王波;周幸叶;张志荣;王元刚;李佳;顾国栋;芦伟立;高楠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本实用新型包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族氮化物压电层，Ⅲ族氮化物导电层与Ⅲ族氮化物压电层之间产生高迁移率二维电子气作为压电电荷的收集电极和疏运通道。避免了先沉积下金属电极，再在金属电极上制备压电层的过程，实现了下导电材料层和压电材料层之间的连续制备，工艺流程简单、方便，并且同为Ⅲ族氮化物的导电层上制备的压电材料晶体质量更好，压电系数更高，利用这种结构的谐振器组成的滤波器的滤波性能更好。
氮化物薄膜声波谐振器滤波器

[发明专利]具有背势垒的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法-CN201610325160.2在审
发明人：郭艳敏;房玉龙;冯志红;尹甲运;宋旭波;王波;周幸叶;张志荣;王元刚;李佳;顾国栋;芦伟立;高楠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有背势垒的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法，属于半导体器件制备技术领域。该晶体管自下至上依次包括衬底、成核层、Al_xGa_1‑xN缓冲层、未掺杂的GaN沟道层、组分渐变的Al_yGa_1‑yN层、组分固定的Al_zGa_1‑zN层，其中，z≥y，在组分固定的Al_zGa_1‑zN层上沉积欧姆接触金属并进行高温合金形成源电极和漏电极，在组分固定的Al_zGa_1‑zN层上沉积肖特基接触金属并进行高温合金形成栅电极，在源电极与栅电极之间以及栅电极与漏电极之间沉积钝化层。在AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管中的载流子呈准三维分布，器件线性度高，且由于背势垒的存在增强了电子局域性，提高了器件的栅控能力，改善了器件的关断特性。
具有背势垒 algan gan 极化掺杂场效应晶体管制造方法

[发明专利]无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法-CN201610287852.2在审
发明人：李佳;芦伟立;房玉龙;尹甲运;王波;张志荣;郭艳敏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括以下步骤：一、在衬底上形成源极、栅极、漏极；二、在带有电极的衬底上生长所需的介质材料；三、在步骤二上生长石墨烯。本发明是先制作石墨烯器件工艺中所需的电极、介质等，最后生长石墨烯材料，形成石墨烯器件，避免了石墨烯材料在器件加工过程中受损和污染，提高石墨烯器件的性能。
损伤无污染石墨器件制造方法

[实用新型]Si衬底LED外延片-CN201521094173.0有效
发明人：刘波;房玉龙;王波;袁凤坡;潘鹏;汪灵;白欣娇;周晓龙;王静辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-12-26 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Si衬底LED外延片，涉及具有特殊晶体结构的器件技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、Si掺杂N型GaN层、InGaN/GaN多重量子阱发光层、电子阻挡层和Mg掺杂P型GaN层。所述外延片提高了内量子效率；同时减少压电极化电场，增加电子和空穴的波函数交叠，使得辐射复合概率增加，进一步提高了内量子效率。
si 衬底 led 外延

[发明专利]Si衬底LED外延片及其制备方法-CN201510986518.1在审
发明人：刘波;房玉龙;王波;袁凤坡;潘鹏;汪灵;白欣娇;周晓龙;王静辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-12-26 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si衬底LED外延片及其制备方法，涉及具有特殊晶体结构的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、Si掺杂N型GaN层、InGaN/GaN多重量子阱发光层、电子阻挡层和Mg掺杂P型GaN层。所述外延片提高了内量子效率；同时减少压电极化电场，增加电子和空穴的波函数交叠，使得辐射复合概率增加，进一步提高了内量子效率。
si 衬底 led 外延及其制备方法

[发明专利]降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法-CN201510285256.6在审
发明人： 房玉龙;尹甲运;冯志红;张志荣;刘波;敦少博;吕元杰;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法，涉及场效应管技术领域。所述方法包括以下步骤：1）外延结构生长，依次在衬底上形成GaN层和势垒层；2）在势垒层的上表面生长SiO₂层；3）在漏源欧姆区域刻蚀SiO₂层至势垒层的上表面；4）在源漏欧姆区域刻蚀GaN材料，刻蚀至GaN层和势垒层异质结界面以下，而后使用高温退火炉在纯氮气氛或真空气氛中进行退火处理；5）在源漏欧姆区域二次外延n型重掺杂GaN材料；6）腐蚀掉势垒层上表面剩余的SiO₂。所述方法改善了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的欧姆接触，降低了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的接触电阻。
降低 gan 极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻方法

[实用新型]带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管-CN201520349799.5有效
发明人：梁士雄;房玉龙;邢东;王俊龙;杨大宝;张立森;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域。所述二极管包括衬底，所述衬底上设有N+型GaN层和N-型GaN层，第一欧姆接触层和N-型GaN层保持间隔设置，右侧高掺杂的N+型GaN层的上表面设有第二欧姆接触层，所述N-型GaN层的上表面设有肖特基接触层，所述肖特基接触层与第二欧姆接触层之间通过空气桥进行连接，所述第一欧姆接触层上设有第一悬空梁式引线，所述空气桥上设有第二悬空梁式引线。所述二极管利用梁式引线结构，可以实现微小芯片的压焊机装配，减少了涂覆导电胶带来的麻烦，降低了器件装配难度，提高工作效率和器件的质量。
带有悬空引线结构 gan 肖特基二极管

[实用新型]一种垂直结构的GaN基肖特基二极管-CN201520330917.8有效
发明人：梁士雄;房玉龙;邢东;王俊龙;杨大宝;张立森;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直结构的GaN基肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域。包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的衬底，在所述的衬底上外延生长高掺杂的N+型GaN层，在所述的N+型GaN层上外延生长高掺杂的N-型GaN层，在所述的N-型GaN层上部蒸发有肖特基接触电极，所述肖特基接触电极通过空气桥与阳极电极连接，所述衬底底面刻蚀有第一刻蚀孔，衬底正面刻蚀有第二刻蚀孔，所述第一刻蚀孔在所述衬底与N+型GaN层连接处的正下方，第二刻蚀孔在阴极电极和N+型GaN和N-型GaN台面结构之间，所述第一刻蚀孔和第二刻蚀孔内蒸发有欧姆接触电极，欧姆接触电极通过电镀金属层与阴极电极连接。本实用新型缩短了欧姆接触与肖特基接触之间的距离，减小了器件的扩展电阻，提高了器件的截至频率。
一种垂直结构 gan 基肖特基二极管

[发明专利]氮极性GaN晶体管-CN201410615577.3在审
发明人：赵正平;冯志红;王现彬;王元刚;邹学锋;吕元杰;房玉龙;敦少博 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性GaN晶体管，涉及半导体器件技术领域。所述晶体管自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、Al_xGaN背势垒层、GaN沟道层以及位于GaN沟道层上表面的源极，栅极和漏极，所述Al_xGaN背势垒层自下而上包括Al组分从小到大渐变的第一渐变Al_xGaN背势垒层，Al组分从大到小渐变的第二渐变Al_xGaN背势垒层以及天然Al_xGaN背势垒层，其中0<x<1。所述晶体管在减小电流崩塌效应的前提下提高了沟道内二维电子气2DEG面密度，同时降低因异质结界面质量问题而导致的对二维电子气2DEG迁移率的影响，提高了二维电子气2DEG迁移率。
极性 gan 晶体管

[实用新型]加装有音频信号遥控系统的积时式悬移质铅魚釆样器-CN201420256588.2有效
发明人：韩捷;宋子杰;刘文;罗思武;李玉山;房玉龙;陈长明;韩庚申;赵轩府;李骚 -专利权人：郑州黄淮水利科贸有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种加装有音频信号遥控系统的积时式悬移质铅魚釆样器，包括积时式悬移质铅魚釆样器和音频信号遥控系统，积时式悬移质铅魚釆样器包括悬移质样本釆样系统、悬移质样本存储系统、悬移质铅魚釆样器铅魚系统和支架支撑系统，悬移质样本釆样系统包括釆样器控制电动阀和可拆换型釆样嘴；所述悬移质样本存储系统包括釆样器调压阀、储样器清洗孔密封盖、储样器、储样器储样显示窗和可拆卸储样器放样阀；悬移质铅魚釆样器铅魚系统包括釆样控制设备密封舱、釆样控制电动阀出线防水接头、缆道铅魚釆样器本体和缆道铅鱼尾翼；支架支撑系统包括可拆卸流速仪支架、铅魚悬吊架和缆道铅魚河底信号源托架；音频信号遥控系统包括遥控控制系统、信号接收器、缆道通信装置和缆道铅魚入水河面信号采集传感器。本实用新型是一台精度高、多用途的环保水文测验设备。
装有音频信号遥控系统时式悬移质铅魚釆样器

[发明专利]改善短沟效应的栅控半导体器件-CN201410292065.8在审
发明人：王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;房玉龙;徐鹏;宋旭波;谭鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善短沟效应的栅控半导体器件，涉及半导体高频器件技术领域。包括栅结构，所述栅结构通过两条以上的栅根进行支撑，所述栅根的总长度与单栅根的栅控半导体器件的栅根长度相同。所述栅控半导体采用多栅根的栅结构，且多栅根的长度总和与常规的单栅根长度相等，利用多个栅根从源到漏在沟道处引入多个势垒，缓解DIBL（漏端引入的势垒降低）效应，从而缓解器件的短沟效应。
改善效应半导体器件