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[发明专利]一种用于核磁共振成像系统孔径内腔的清洁装置-CN202111143935.1有效
发明人：刘霞;周智凤;徐建星;徐恩志;侯刚强 -专利权人：深圳市康宁医院（深圳市精神卫生研究所、深圳市精神卫生中心）
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于核磁共振成像系统孔径内腔的的清洁装置，该清洁装置包括支撑架、清洁机构、第一驱动机构和第二驱动机构。其中，第一驱动机构与清洁机构连接，设置于支撑架的外周，用于驱动清洁机构向靠近和远离支撑架的方向移动,第二驱动机构设置于支撑架上，与第一驱动机构连接，用于驱动第一驱动机构沿支撑架的外周做往复运动，以带动清洁机构沿支撑架的外周做往复运动，通过第一驱动机构和第二驱动机构的配合，保证清洁机构沿支撑架外周做往复运动的路径中与待清洁的核磁共振成像系统中的孔径内腔接触，通过第一驱动结构移动清洁机构对长达一米以上的整个孔径内腔逐步进行清洁，对其进行物体表面消毒，减少传染性疾病的交叉感染。
一种用于核磁共振成像系统孔径清洁装置

[发明专利]一种抗冲击场效应晶体管及抗冲击低噪声放大器-CN202011203509.8在审
发明人：张世勇;徐建星;王蓉;郑鹏辉;童小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗冲击场效应晶体管，包括场效应晶体管本体和至少一个具有饱和电流的外延层；场效应晶体管本体包括第一活性层，栅极电极，源极电极，以及漏极电极；外延层包括第二活性层，阳极，以及阴极；栅极电极，源极电极和漏极电极中至少一个电连接有外延层；外延层的饱和电流小于场效应晶体管本体的饱和电流，外延层的饱和电流大于场效应晶体管本体的工作电流。通过设置该外延层，可以使得流经场效应晶体管本体的电流同时经过外延层。当受到外界大功率冲击下，会先对该外延层造成影响，使得该外延层可以实现对电流的限制，保护场效应晶体管本体不会烧毁。本发明还提供了一种抗冲击低噪声放大器，同样具有上述有益效果。
一种冲击场效应晶体管低噪声放大器

[发明专利]一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法-CN202011204720.1在审
发明人：张世勇;徐建星;王蓉;郑鹏辉;童小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法，通过施加较大能量可以将高电子迁移率晶体管表面晶格的原子激发为自由原子，该自由原子会在自由迁移下优先占据形成能较低的漏电通道。在自由原子占据漏电通道之后会改变漏电通道的能带结构，从而使得部分漏电通道中电子跃迁需要能量增加，最终达到漏电流减小，漏电通道得到钝化的效果。上述自由原子会填充并消除高电子迁移率晶体管内部的缺陷，从而将高电子迁移率晶体管中多种漏电通道钝化为同一种漏电通道，提升对高电子迁移率晶体管的钝化效果，提升高电子迁移率晶体管的响应度。
一种基于电子迁移率晶体管钝化方法

[实用新型]一种高压注射系统-CN202021758117.3有效
发明人： 徐建星;李国泉;赵天锋;高李军;黄洋;李咏锦 -专利权人：深圳圣诺医疗设备股份有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压注射系统，高压注射器，该高压注射器包括：机架、控制装置、注射臂、以及针筒；机架包括机身以及供机身固定的底座；控制装置设置在机身远离底座一端，注射臂可转动设置在机身远离底座一端；针筒上设有用于唯一标识针筒的标识装置，标识装置包括针筒的识别信息；高压注射系统还包括：设置在机身上且与控制装置通讯用于获取针筒的识别信息的识别装置。该高压注射系统可以有效识别针筒防止不合法、不匹配的针筒被使用，确保高压注射的精确度和可靠性，防止针筒被交叉使用，可避免交叉感染，提高安全性。
一种高压注射系统

[发明专利]提高氮化镓基电子器件可靠性的方法及氮化镓基电子器件-CN201811352998.6有效
发明人：王蓉;童小东;张世勇;徐建星;郑鹏辉;谭为 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高氮化镓基电子器件可靠性的方法，包括：在氮化镓基电子器件制备过程中，外延生长氮化镓层后，将氟原子掺杂入氮化镓层中，然后在保护气氛中热处理，形成氟掺杂的氮化镓层；在氟掺杂的氮化镓层上外延形成势垒层，继续制备氮化镓基电子器件。与现有技术相比，本发明将氟原子引入氮化镓材料中，由于氟原子可以与氮化镓材料中的原生氢杂质有效结合为缺陷复合体(F‑H复合体)，并且F‑H复合体的结合能非常高，难以在电应力、热应力或者辐照条件下分解，从而提高了氮化镓基电子器件的可靠性；且该方法具有简单、可控性好、可操作性强的优点，易于工业化生产。
提高氮化电子器件可靠性方法

[发明专利]一种高迁移率晶体管的制备方法-CN201711049874.6在审
发明人：童小东;张世勇;谭为;郑鹏辉;徐建星 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率晶体管的制备方法，在具有二维电子气特性的外延片表面形成光刻台面，在光刻台面上沉积金属膜、介质层一形成沟槽，退火成欧姆接触层，然后进一步沉积介质层二，将沟槽底部的介质层二刻蚀掉，再沉积金属，形成肖特基接触，最后剥离形成栅帽，最后释放介质层一、介质层二，得到高迁移率晶体管器件；通过上述制备方法，可以实现栅的自对准，突破线宽极限，过程可控性高，得到的器件体积更为优化，并且得到的高迁移率晶体管的频率和特性得到提高。
介质层高迁移率晶体管制备光刻沉积退火二维电子气欧姆接触层外延片表面肖特基接触台面金属膜可控性再沉积自对准刻蚀线宽栅帽剥离金属释放优化

[发明专利]侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法-CN201711046040.X在审
发明人：童小东;谭为;郑鹏辉;张世勇;徐建星 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法，通过光刻、金属淀积、剥离的方法在具有二维电子气特性的外延片表面沉积形成两块金属膜，金属膜呈左右分布，退火成欧姆接触层，接着淀积介质层一，通过光刻后刻蚀，在左右两个欧姆接触形成台阶，然后各向同性淀积形成介质层二，对介质层二进行各向异性刻蚀，在台阶侧壁形成侧墙，再各向同性沉积介质层一，接着对介质层一和介质层二进行化学机械抛光，露出介质二，将介质二腐蚀掉，露出沟槽，再沉积金属，形成肖特基接触，剥离形成栅帽，最后释放介质层一，得到高迁移率晶体管器件；通过上述制备方法，可以实现栅的自对准，突破线宽极限，过程可控性高，得到的器件体积更为优化，并且得到的高迁移率晶体管的频率和特性得到提高。
介质层高迁移率晶体管侧墙制备金属膜光刻剥离各向同性沉积各向同性淀积各向异性刻蚀化学机械抛光退火二维电子气欧姆接触层外延片表面肖特基接触金属淀积欧姆接触台阶侧壁左右分布可控性再沉积自对准沉积淀积刻蚀线宽栅帽腐蚀金属释放优化

[发明专利]载流子浓度调制型高迁移率场效应晶体管及其制造方法-CN201711098948.5在审
发明人：张世勇;童小东;徐建星;郑鹏辉;谭为 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了载流子浓度调制型高迁移率场效应晶体管及其制造方法，包括位于底部的器件衬底，器件衬底上表面形成有外延层，外延层的两端部形成有源极欧姆接触和漏极欧姆接触，外延层与器件衬底之间界面处形成有一定的载流子浓度调制的二维电子气，外延层上端形成有T形金属栅；所述二维电子气的浓度靠近源级欧姆接触的一端较低，靠近漏极欧姆接触的一端较高，二维电子气的浓度的变化趋势为线性渐变或阶梯变化。本发明采用高浓度的二维电子气，可保证器件在高电压的时候不会发生穿通击穿；通过二维电子气的浓度调制，可以平衡频率特性，防止串通击穿，提高击穿电压；而且本发明制造工艺简单、不增加器件的工艺步骤、适用于功率器件和射频器件。
载流子浓度调制迁移率场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构及其制备方法-CN201610302700.5在审
发明人：郭春妍;徐建星;彭红玲;倪海桥;汪韬;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构的制备方法，包括步骤(1)在一半绝缘衬底上依次制作缓冲层、阻挡层、n型GaAs层和GaAs低温层；(2)将所述GaAs低温层与一聚合物衬底键合；(3)剥离所述半绝缘衬底和缓冲层；(4)剥离所述阻挡层。还提供上述方法所制备的转移键合结构和包含该结构的片上集成器件。含上述结构的集成器件能降低太赫兹波损耗，提高利用效率，实现其对微量样品和液态样品检测。
赫兹天线集成器件转移结构及其制备方法

[发明专利]带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法-CN201610110101.3在审
发明人：郭春妍;徐建星;倪海桥;汪韬;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明提供一种带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法，其中带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结构，包括：一半绝缘衬底；一缓冲层，其制作在半绝缘衬底上；一DBR结构，其制作在缓冲层上；一低温层，其制作在DBR结构上。本发明通过增加并改变DBR结构材料的组成以及重复的周期数，从而提高外延层对光的吸收效率，提高太赫兹天线的辐射性能。
带有 dbr 赫兹电导天线外延结构制备方法

[发明专利]GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法-CN201510175330.9有效
发明人： 徐建星;査国伟;张立春;魏思航;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L31/119 文献下载
摘要：一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO₂薄膜；在SiO₂薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO₂薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。
gaas 二维电子等离子体震荡赫兹探测器方法

[发明专利]一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法-CN201310510519.X有效
发明人：王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。该方法利用补偿的图形，减弱了电子束曝光中邻近效应的影响，增加了纳米量级光栅曝光的均匀度。本发明不是通过改变图形本身的曝光剂量和尺寸来减少邻近效应，而是在图形四周增加补偿图形来达到减弱邻近效应，以提高光栅曝光均匀度。
一种提高光栅结构均匀电子束曝光方法

[发明专利]基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法-CN201310503797.2有效
发明人：喻颖;李密锋;贺继方;査国伟;徐建星;尚向军;王莉娟;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5：在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6：在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7：在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层；步骤8：在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，进行工艺制备形成可调控多端量子器件，完成制备。
基于分叉纳米多端量子调控器件制备方法

[发明专利]基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法-CN201310509314.X有效
发明人：王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有源区(5)和高折射率对比度光栅(低折射率(7)和高折射率材料(8))。在该外延片上采用标准光刻技术及ICP技术刻蚀露出GaAs缓冲层作为N型欧姆欧姆接触层，然后分别在高折射率材料和GaAs缓冲层上蒸发合金作为P型电极和N型电极。利用电子束曝光和ICP刻蚀技术在高折射率材料上制作亚微米级光栅，利用腐蚀液选择性腐蚀光栅下层的材料，得到低折射率的空气层。
基于折射率对比度光栅结构光子发射器及其制作方法

[发明专利]制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法-CN201310503124.7有效
发明人：喻颖;査国伟;徐建星;尚向军;李密锋;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，该GaAs纳米线的顶端形成一Ga液滴；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的轴向VLS生长，形成六棱柱状结构；步骤5：在六棱柱状结构的侧壁淀积第一AlGaAs势垒层，在AlGaAs势垒层的表面低速淀积GaAs量子点；步骤6：在GaAs量子点上覆盖第二AlGaAs势垒层；步骤7：在第二AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，完成制备。
制备棱柱纳米中的量子光子方法

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