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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电阻式随机存取存储器及其重置方法-CN202010431179.1有效
发明人：王炳琨;林铭哲;陈侑廷;白昌宗;廖绍憬;刘奇青 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器包括至少一存储单元。至少一存储单元包括：上电极、下电极、数据存储层、氧吸附层、第一阻障层以及氧供应层。数据存储层配置在上电极与下电极之间。氧吸附层配置在数据存储层与上电极之间。第一阻障层配置在氧吸附层与数据存储层之间。氧供应层配置在氧吸附层与上电极之间以和/或配置在氧吸附层与第一阻障层之间。
电阻随机存取存储器及其重置方法

[发明专利]一次性编程电阻式随机存取记忆体位、记忆体及形成方法-CN201811391186.2有效
发明人：陈达;王炳琨;傅志正;吴健民;廖绍憬 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种一次性编程电阻式随机存取记忆体位、记忆体及形成方法，包括形成电阻转换层于底电极层上；形成顶电极层于电阻转换层上；对电阻转换层施加形成电压，使顶电极层的电位低于底电极层的电位；及对电阻转换层进行烘烤工艺，其中电阻转换层中的空缺呈随机分布。本发明实施例可以使读取电流范围变大，读取电流累积分布函数为线性，亦可增强高温资料保存效能。
一次性编程电阻随机存取记忆体位记忆体形成方法

[发明专利]突触系统与突触方法-CN201811344547.8有效
发明人：陈达;王炳琨;廖绍憬;傅志正;林铭哲;陈侑廷;林小峰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本申请公开了一种突触系统与突触方法，其中，该突触系统包括三个晶体管、一阻抗转换元件以及两个神经元。阻抗转换元件具有一阻抗值并且配置于两个神经元之间。第一晶体管连接于阻抗转换元件以及其中一神经元。第二晶体管以及第三晶体管配置于上述神经元之间，相互串联且连接第一晶体管的栅极。第一输入信号通过第二晶体管与第三晶体管从其中一神经元传送至另一神经元。第二输入信号通过第一晶体管从其中一神经元传送至另一神经元。阻抗转换元件的阻抗值根据第一输入信号与第二输入信号的时间差而改变。
突触系统方法

[发明专利]电阻式存储器装置及其操作方法-CN201911344465.8有效
发明人： 廖绍憬;王炳琨 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可提升装置耐久度并降低位线错误率的电阻式存储器装置及其操作方法。此方法包括：对电阻式存储器装置的电阻式存储单元阵列中的至少一个存储单元执行具有第一增强偏压的设定操作，此第一增强偏压大于正常执行设定操作时使用的偏压；对存储单元执行热处理；以及对存储单元执行具有第二增强偏压的设定操作，此第二增强偏压大于等于前述第一增强偏压。
电阻存储器装置及其操作方法

[发明专利]电阻式存储器及控制方法-CN201910110003.3有效
发明人：王炳琨;廖绍憬;赵鹤轩;黄振隆;刘奇青;吴健民 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储器及控制方法，该电阻式存储器包括一第一存储电路、一验证电路、一第二存储电路以及一控制电路。第一存储电路具有多个存储单元组。每一存储单元组具有至少一个存储单元。验证电路耦接至第一存储电路，验证对所述多个存储单元中至少一个所执行的一特定操作是否成功。第二存储电路具有多个旗标位。每一旗标位储存对应每一存储单元组的旗标状态。控制电路耦接验证电路、第一存储电路以及第二存储电路。所述多个旗标位的每一个旗标位的初始状态为第一旗标状态。在一重置期间，控制电路根据一存储单元组所对应的一旗标位的旗标状态决定对存储单元组中的一第一存储单元执行一第一重置操作或是一第二重置操作。
电阻存储器控制方法

[发明专利]存储器存储装置及其电阻式存储器元件成型方法-CN201811427146.9有效
发明人：王炳琨;林铭哲;吴健民;赵鹤轩;傅志正;廖绍憬 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器存储装置及其电阻式存储器元件成型方法。对冗余电阻式存储器元件施加测试成型电压，并读取对应的测试电流。依据测试成型电压、测试电流、成型电流电压特性数据以及目标成型电流决定施加于主存储器晶胞区块的成型电压。
存储器存储装置及其电阻元件成型方法

[发明专利]电阻式存储器存储装置的上电复位方法-CN201810043783.X有效
发明人：王炳琨;廖绍憬;陈侑廷;林铭哲;吴健民;何家骅 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器存储装置的上电复位方法包括：对电阻式存储器存储装置的存储器晶胞执行形成程序。形成程序包括对存储器晶胞施加至少一次形成电压以及至少一次重置电压。形成程序更包括加热步骤。对存储器晶胞施加重置电压的步骤可以在加热步骤之前或之后执行。在施加一次形成电压之后，若存储器晶胞通过验证，不对存储器晶胞施加下一次形成电压。在加热步骤之后，若存储器晶胞通过验证，不对存储器晶胞施加下一次形成电压。此外，在施加一次重置电压之后，若存储器晶胞通过验证，不对存储器晶胞施加下一次重置电压。
电阻存储器存储装置复位方法

[发明专利]电阻式存储器及写入方法-CN201810694390.5有效
发明人：王炳琨;廖绍憬;吴健民;何家骅;陈达;赵鹤轩;林小峰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本说明书公开一种电阻式存储器及写入方法，其中，所述电阻式存储器包括一存储阵列、一存储电路、一控制电路、一电压产生电路以及一存取电路。存储阵列具有多个区块。每一区块具有多个存储单元。存储电路储存多个计数值。每一计数值表示一相对应区块执行一写入操作的次数。当一外部指令为一写入指令时，控制电路根据该等计数值产生一控制信号。电压产生电路根据该控制信号提供一操作电压组。存取电路根据操作电压组存取存储阵列。
电阻存储器写入方法

[发明专利]电阻式存储器及其电阻式存储单元的恢复电阻窗口方法-CN201710463294.5有效
发明人：王炳琨;廖绍憬;林铭哲;魏敏芝;周诠胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器及其电阻式存储单元的恢复电阻窗口方法。于第一期间，过重置电压差被施加于电阻式存储单元的上电极与下电极之间，其中该过重置电压差落于电阻式存储单元的重置互补切换电压范围。于第二期间，设定电压差被施加于电阻式存储单元的上电极与下电极之间，以增加电阻式存储单元的限电流。于第三期间，对电阻式存储单元进行重置操作。
电阻存储器及其存储单元恢复窗口方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器-CN201911219661.2在审
发明人：许博砚;吴伯伦;王炳琨;林铭哲;陈侑廷;白昌宗;廖绍憬;刘奇青 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括第一电极、第二电极、可变电阻层、第一金属层、第二金属层及电阻稳定层。第二电极配置于第一电极上。可变电阻层配置于第一电极与第二电极之间。第一金属层配置于可变电阻层与第二电极之间。第二金属层配置于第一金属层与第二电极之间。电阻稳定层配置于第一金属层与第二金属层之间。可变电阻层的氧含量高于第一金属层的氧含量，第一金属层的氧含量高于电阻稳定层的氧含量，电阻稳定层的氧含量高于第二金属层的氧含量。所述电阻式随机存取存储器具有良好的耐久性、重置特性以及数据保持能力。
电阻随机存取存储器

[发明专利]内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法-CN201710628986.0有效
发明人： 廖绍憬;王炳琨;林铭哲;魏敏芝;何家骅;吴健民 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法，包括：开始形成程序以对电阻式内存组件施加形成电压，使电阻式内存组件从高阻态转变为低阻态，并且测量电阻式内存组件的第一电流；对电阻式内存组件进行加热步骤，并且测量电阻式内存组件的第二电流；以及比较第一电流以及第二电流，并且依据第一电流以及第二电流的比较结果来决定对电阻式内存组件施加第一电压信号或第二电压信号，或者结束形成程序。另外，一种包括电阻式内存组件的内存储存装置也被提出。
内存储存装置以及电阻组件形成方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器-CN201610120845.3有效
发明人：陈达;王炳琨;廖绍憬;许博砚;陈宜秀;沈鼎瀛;吴伯伦;林孟弘 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括下部电极、上部电极、可变电阻层、氧交换层以及侧壁保护层。下部电极设置于基底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。氧交换层设置于可变电阻层与上部电极之间。侧壁保护层，其为氧供应层，至少设置于氧交换层的侧壁。本发明提供的电阻式随机存取存储器，能够增进存储器元件的高温数据保持特性以及耐久性，并且能够增加存储器元件的产率以及稳定度。
电阻随机存取存储器

[发明专利]电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法-CN201710532576.6有效
发明人：王炳琨;廖绍憬;林铭哲;魏敏芝;何家骅;吴健民 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法。电阻式存储单元的设定方法包括：对电阻式存储单元执行第一设定操作，并在第一设定操作完成后对电阻式存储单元执行第一验证操作；依据第一验证操作的验证结果以决定是否对电阻式存储单元执行第一重置操作，并在决定执行该第一重置操作并执行完成后对所述电阻式存储单元执行一第二验证操作；以及，依据第二验证操作的验证结果，以决定是否对电阻式存储单元执行第二重置操作，并在决定执行第二重置操作并执行完成后对电阻式存储单元执行第三验证操作。
电阻存储器装置及其存储单元设定方法

[发明专利]数据读取方法以及使用此方法的非易失性存储器装置-CN201811042175.3有效
发明人：陈达;廖绍憬;王炳琨;何家骅 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种数据读取方法以及使用此方法的非易失性存储器装置。所述数据读取方法包括：从非易失性存储器装置的存储单元对取得第一读取电流以及第二读取电流；根据第一读取电流以及第二读取电流进行计算操作以取得计算结果；并且根据计算结果判断此存储单元对的逻辑状态。所述计算操作至少包括一个信号加法运算及一个信号乘法运算。
数据读取方法以及使用非易失性存储器装置

[发明专利]电阻式记忆胞的操作方法及电阻式内存-CN201510905821.4有效
发明人： 廖绍憬;王炳琨;陈达 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式记忆胞的操作方法及电阻式内存。电阻式记忆胞的操作方法包括下列步骤：进行电阻式记忆胞的形成操作；判断所述电阻式记忆胞是否位于第一状态，其中所述第一状态对应第一操作；当所述电阻式记忆胞没有位于所述第一状态时，进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作，以使所述电阻式记忆胞产生关于所述第二操作的互补切换现象。藉此，可有效使无法藉由一般的形成操作来保存数据的电阻式记忆胞能够藉由互补切换现象来具备数据保存能力。
电阻记忆操作方法内存

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