[发明专利]电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法有效

专利信息
申请号: 201710532576.6 申请日: 2017-07-03
公开(公告)号: CN109215709B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 王炳琨;廖绍憬;林铭哲;魏敏芝;何家骅;吴健民 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法。电阻式存储单元的设定方法包括:对电阻式存储单元执行第一设定操作,并在第一设定操作完成后对电阻式存储单元执行第一验证操作;依据第一验证操作的验证结果以决定是否对电阻式存储单元执行第一重置操作,并在决定执行该第一重置操作并执行完成后对所述电阻式存储单元执行一第二验证操作;以及,依据第二验证操作的验证结果,以决定是否对电阻式存储单元执行第二重置操作,并在决定执行第二重置操作并执行完成后对电阻式存储单元执行第三验证操作。
搜索关键词: 电阻 存储器 装置 及其 存储 单元 设定 方法
【主权项】:
1.一种电阻式存储单元的设定方法,其特征在于,包括:对所述电阻式存储单元执行第一设定操作,并在所述第一设定操作完成后对所述电阻式存储单元执行一第一验证操作;依据所述第一验证操作的验证结果,以决定是否对所述电阻式存储单元执行第一重置操作,并在决定执行所述第一重置操作并执行完成后对所述电阻式存储单元执行第二验证操作;以及依据所述第二验证操作的验证结果,以决定是否对所述电阻式存储单元执行第二重置操作,并在决定执行所述第二重置操作并执行完成后对所述电阻式存储单元执行第三验证操作。
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