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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202180063519.2在审
发明人：森岳史;竹林雄二;平野诚;山口天和;冈岛优作 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减少占用空间的技术。本发明提供一种技术，即一种基板处理装置，其具有：模块，其具备：气体供给部，其具有上游侧整流部和供给结构；反应管，其与所述气体供给部连通；以及气体排气部，其设置在与所述上游侧整流部对置的位置且具有下游侧整流部和排气结构；供给管，其与所述气体供给部连接；排气管，其与所述气体排气部连接；输送室，其与多个所述模块相邻；以及配管配置区域，其位于所述输送室的侧方且与所述模块相邻，能够配置所述供给管或所述排气管，所述反应管配设于在所述基板处理装置的长度方向的轴上与所述输送室重叠的位置，在所述配管配置区域配设有所述供给管的情况下，所述气体排气部配置在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置，在所述配管配置区域配设有所述排气管的情况下，所述气体供给部配设在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质和内管-CN202080098653.1在审
发明人：冈岛优作;山口天和;坂井佑之辅;今井义则 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，其具备：内管，其在内部具有以多张基板的水平姿态沿着预定的排列方向排列为多层进行收纳的基板收纳区域；在内管外侧配置的外管；在内管的侧壁沿着配置方向设置有多个的气体供给口；在内管的侧壁沿着配置方向设置有多个的第一排气口；在外管的沿着配置方向的一端侧设置的第二排气口；以及对内管与外管之间的圆环状的空间内的气体的流动进行控制的整流机构，整流机构具备翅片，在将多个第一排气口中的离第二排气口最远的第一排气口设为排气口A、将多个气体供给口中的与排气口A对置的气体供给口设为气体供给口A时，该翅片在气体供给口A的附近包围气体供给口A的外周的至少一部分。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质以及内管-CN202080096625.6在审
发明人：冈岛优作;山口天和;坂井佑之辅;今井义则 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，其具备：内管，其在内部具有将多张基板分别以水平姿势沿预定的排列方向排列为多层并收纳的基板收纳区域；外管，其配置于内管的外侧；气体供给口，其在内管的侧壁沿排列方向设置有多个；第一排气口，其在内管的侧壁沿排列方向设置有多个；第二排气口，其设置于外管的沿排列方向的一端侧；以及整流机构，其对内管与外管之间的圆环状空间内的气体流动进行控制，整流机构在多个第一排气口中的最接近第二排气口的第一排气口即排气口A与第二排气口之间的排气口A的附近具备第一翅片。
处理装置半导体制造方法存储介质以及

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质-CN202080089188.5在审
发明人：冈岛优作;山口天和 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，其具备：基板保持件，其保持基板；反应管，其在内部收纳基板保持件；加热部，其配置在反应管的周围和上部；以及收纳部，其构成为能够收纳气体供给喷嘴和第一温度测定部中的任一方或双方，该气体供给喷嘴配置在反应管的侧方，且配置为从反应管的外侧朝向反应管的内部相对于基板保持件所保持的基板的表面在水平方向上延伸，该第一温度测定部配置为从反应管的外侧朝向反应管的内部相对于基板保持件所保持的基板的表面在水平方向上延伸，基板处理装置能够对基板保持件所保持的基板均一地进行成膜处理。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质-CN201980094233.3在审
发明人： 山口天和;吉田秀成;大野健治 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，其执行：(a)在反应室内对基板保持件进行加热的工序，该基板保持件具有多层容纳基板的插槽；(b)重复进行以下组合的工序，该组合包含使基板保持件移动以使得多个插槽中的一部分插槽位于反应室外的步骤、和向一部分插槽装填基板的步骤；以及(c)使基板保持件移动以使得装填在多个插槽中的基板容纳在反应室内的工序。
半导体装置制造方法处理存储介质

[发明专利]衬底处理装置、加热器、存储介质及衬底处理方法-CN202110189926.X在审
发明人：村田等;八幡橘;和田优一;山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、加热器、存储介质及衬底处理方法。缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；环状部，其连接于支柱部，形成为直径比衬底的直径小的圆弧状；一对连接部，其将环状部的各个端部连接于支柱部，和设置于环状部的内部的发热体。
衬底处理装置加热器存储介质方法

[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质-CN201710657423.4有效
发明人： 山口天和;佐佐木隆史;栗林幸永 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，抑制由清洁气体对排气管造成的损伤。清洁方法具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物去除的工序，将堆积物去除的工序具有：第1工序，在该第1工序中，在将对处理容器内进行排气的排气管和处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向处理容器内供给清洁气体；和第2工序，在该第2工序中，当连接部的温度达到第1温度时，一边使清洁气体的流量从第1流量向比第1流量小的第2流量逐渐减少一边向处理容器内供给清洁气体。
清洁方法半导体器件制造衬底处理装置以及记录介质

[发明专利]衬底处理装置、加热器及半导体器件的制造方法-CN201580076770.7有效
发明人：村田等;八幡橘;和田优一;山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；环状部，其连接于支柱部，形成为直径比衬底的直径小的圆弧状；一对连接部，其将环状部的各个端部连接于支柱部，和设置于环状部的内部的发热体。
衬底处理装置加热器半导体器件制造方法

[外观设计]基板处理装置用顶壁加热器的保持板-CN201930730132.3有效
发明人：杉浦忍;小杉哲也;山口天和 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基板处理装置用顶壁加热器的保持板。2.本外观设计产品的用途：从上方将用于对基板处理装置的处理室进行加热的顶壁加热器上设置的加热器线材覆盖，从而将加热器线材之间绝缘。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。6.本外观设计为针对同一产品的3项相似外观设计。
处理装置用顶壁加热器保持

[外观设计]基板处理装置用顶壁加热器的保持板-CN201930729261.0有效
发明人：杉浦忍;小杉哲也;山口天和 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基板处理装置用顶壁加热器的保持板。2.本外观设计产品的用途：设置于对基板处理装置的处理室进行加热的炉的顶壁并在凹部中配置加热器线材而使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
处理装置用顶壁加热器保持

[发明专利]对处理容器内的部件进行清洁的方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质-CN201910006604.X在审
发明人：栗林幸永;龟田贤治;镰仓司;花岛建夫;平松宏朗;江端慎也;山岸裕人;久门佐多雄;佐佐木隆史;山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及对处理容器内的部件进行清洁的方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。本发明的课题为提高处理容器内的清洁处理的均匀性。通过将包括下述工序的循环进行规定次数，从而对处理容器内的部件进行清洁：工序(a)，从至少三个供给部中的任意两个供给部，分别向对衬底进行处理后的处理容器内分开地供给清洁气体、和与清洁气体反应的添加气体；和工序(b)，以使供给清洁气体的供给部及供给添加气体的供给部中的至少任一者与(a)中的那个供给部、或那些供给部不同的方式，分别从至少三个供给部中的任意两个供给部，向处理容器内分开地供给清洁气体和添加气体。
供给部处理容器清洁气体添加气体衬底处理装置半导体器件清洁清洁处理均匀性衬底制造

[发明专利]衬底处理装置以及半导体器件的制造方法-CN201910240450.0在审
发明人：西堂周平;吉田秀成;山口天和;中田高行;谷山智志 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。
隔热部衬底处理装置室内加热器半导体器件衬底保持件衬底加热处理气体供给部吹扫气体供给部处理气体吹扫气体吹扫制造室外

[发明专利]衬底处理装置以及半导体器件的制造方法-CN201610602519.6有效
发明人：西堂周平;吉田秀成;山口天和;中田高行;谷山智志 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。
衬底处理装置以及半导体器件制造方法

[外观设计]衬底处理装置的加热器用空气流量调整机-CN201730070911.6有效
发明人： 山口天和;小杉哲也;西堂周平 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称衬底处理装置的加热器用空气流量调整机。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于安装在对处理衬底的衬底处理装置的处理室进行加热的加热器上，以调整向加热器内部供给的空气的流量。3．本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
衬底处理装置加热器用空气流量调整

[外观设计]衬底处理装置用加热器-CN201730071432.6有效
发明人：小杉哲也;山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称衬底处理装置用加热器。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于对处理衬底的衬底处理装置的处理室进行加热。3．本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
衬底处理装置加热器

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