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[实用新型]一种红外材料生产设备-CN201921317442.3有效
发明人：詹健龙;宋禹忻 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： F26B11/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外材料生产设备，属于生产设备技术领域，所述红外材料生产设备包括机体、进料口和上盖，所述机体上表面开设有进料口，且进料口共开设有两组，所述进料口顶部均通过铰链活动连接有上盖，所述机体内腔顶部设置有粉碎仓。本实用新型通过一号电机带动粉碎桨进行转动，从而可对原料进行粉碎，通过振荡器将震动传递到过滤网上，从而可有效避免粉碎后的原料堆积在过滤网表面，使用更加的方便，同时通过减震胶垫可对过滤网表面的震动进行吸收，从而可有效避免震动传递到机体上，通过加热器对原料进行加热，并与搅拌相互配合，可使对原料的烘干更加的均匀和迅速，从而可有效提升对红外材料的生产效率和生产质量。
一种红外材料生产设备

[实用新型]一种用于甲烷气体的光学成像探测器-CN201921486434.1有效
发明人：詹健龙;宋禹忻 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于甲烷气体的光学成像探测器，属于气体检测设备技术领域，所述用于甲烷气体的光学成像探测器包括光学成像探测器、镜头、显示器和把手，所述光学成像探测器一端固定安装有镜头，所述光学成像探测器一侧表面通过铰链活动连接有显示器。本实用新型通过魔术贴将腰环固定在使用者的腰部，并将支架一端的固定器与光学成像探测器底部的固定孔相互配合，从而可对光学成像探测器进行固定，并通过支架对光学成像探测器进行支撑，可使在使用时更加的方便和省力，通过半导体制冷片利用半导体材料的Peltier效应，释放出冷气，并通过散热扇对冷气进行扩散，从而将进一步的提升对光学成像探测器的散热效果。
一种用于甲烷气体光学成像探测器

[实用新型]一种红外增强吸收材料制备设备-CN201921385456.9有效
发明人：詹健龙;宋禹忻 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外增强吸收材料制备设备，属于硅材料红外吸收技术领域，包括机箱、激光发生器、气罐、底座、箱门和控制器，所述机箱的顶端固定连接有气罐，且气罐与机箱的内腔管道互通，所述机箱的内腔顶端可拆卸连接有激光发生器，所述机箱的一侧可拆卸连接有箱门，本实用新型提供一种红外增强吸收材料制备设备，其通过设有滚轮和拉杆，在设备进行移动时握住橡胶手柄拉动拉杆，通过底座底部的底架向滚轮和滚轴施加动能，滚轮接受动能转动带着底座和设备进行移动，当需要进行刹车时将滚轮移动到限位座内侧的摩擦垫表面，使用螺栓旋入限位座内部对滚轮进行限位，防止设备生产试验时跑位。
一种红外增强吸收材料制备设备

[实用新型]一种强制P型表面态光探测器-CN201921385341.X有效
发明人：詹健龙;宋禹忻 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种强制P型表面态光探测器，属于探测设备技术领域，包括外壳、态光探测器主体和防护圈，所述外壳内腔安装有态光探测器主体，所述外壳底部表面安装有防护圈，所述态光探测器主体顶部表面拆卸连接有安装板，所述安装板顶部表面通过减震架与外壳内腔顶部表面拆卸相连，所述态光探测器主体两侧均安装有立柱。本实用新型通过减震架，可减缓外界震动对态光探测器主体探测时的影响，并且多组立柱和横杆又能加强外壳的结构强度，提高外壳的防护性能，通过加强肋圈，可降低防护圈处的损坏，通过透明玻璃板，既能起到保护态光探测器主体，又能便于态光探测器主体对外界光线的探测，通过散热窗，可对态光探测器主体进行散热。
一种强制表面探测器

[实用新型]一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器-CN201921385429.1有效
发明人：詹健龙;宋禹忻 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器，属于光探测器技术领域，包括外壳、电子组件和探测窗，所述电子组件安装在外壳内部，所述探测窗镶嵌在外壳表面，所述外壳分别包括下壳体和上壳体，所述下壳体和上壳体一端通过铰链连接，所述上壳体顶端螺旋插接有锁紧轮，所述上壳体表面对称开设有定位孔，所述下壳体右端表面中间位置开设有螺纹孔，且下壳体右端表面对称安装有定位柱，所述下壳体上方一体成型有凸台，所述凸台外壁靠近底端粘接有密封圈。本实用新型把上壳体和下壳体的一端通过铰链连接，组装的时候，仅通过一个锁紧轮插接在螺纹孔内部即可锁紧固定，操作省时省力。
一种具有低点缺陷密度二类超晶格探测器

[实用新型]用于有毒气体监测的超中波红外探测器-CN201920395776.6有效
发明人：詹健龙;宋禹忻;吴一冈;陶晟 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于有毒气体监测的超中波红外探测器，所述探测器的吸收波长为3‑6.5μm。探测器的吸收区由若干层超晶格层依次叠加构成，每层超晶格层从下往上依次包括有InAs层、GaSb层，所述InAs层为11个单原子层厚度，所述GaSb层为11个单原子层厚度。本实用新型的超中波红外探测器的吸收区结构，覆盖的吸收波长达到6.5μm，能够有效、灵敏的检测到二氧化氮等有毒气体，适用于汽车尾气、爆破等气体污染物的监测。
本实用新型红外探测器超晶格层单原子层吸收波长吸收区探测器气体污染物二氧化氮气体监测汽车尾气依次叠加爆破灵敏监测检测覆盖

[发明专利]一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器-CN201710304793.X有效
发明人：朱忠赟珅;宋禹忻;李耀耀;韩奕;张振普;张立瑶;王庶民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
一种基于应变 ge 纳米有源结构激光器

[发明专利]用于有毒气体监测的超中波红外探测器-CN201910235972.1在审
发明人：詹健龙;宋禹忻;吴一冈;陶晟 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了用于有毒气体监测的超中波红外探测器，所述探测器的吸收波长为3‑6.5μm。探测器的吸收区由若干层超晶格层依次叠加构成，每层超晶格层从下往上依次包括有InAs层、GaSb层，所述InAs层为11个单原子层厚度，所述GaSb层为11个单原子层厚度。本发明的超中波红外探测器的吸收区结构，覆盖的吸收波长达到6.5μm，能够有效、灵敏的检测到二氧化氮等有毒气体，适用于汽车尾气、爆破等气体污染物的监测。
红外探测器超晶格层单原子层气体监测吸收波长吸收区探测器气体污染物二氧化氮汽车尾气依次叠加爆破灵敏监测检测覆盖

[发明专利]一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法-CN201710304778.5有效
发明人： 宋禹忻;朱忠赟珅;李耀耀;韩奕;张振普;张立瑶;王庶民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。
一种 ge 纳米发光材料制备方法

[发明专利]一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法-CN201611126275.5有效
发明人：韩奕;李耀耀;宋禹忻;朱忠赟珅;张振普;曹春芳;王庶民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。
薄膜悬臂结构制备应力分布三维尺度全金属实体三维微结构理论计算外延生长微纳结构聚合物可控的形变导电光刻刻蚀锗锡生长调控

[发明专利]一种二维锡烯材料的制备方法-CN201610436234.X有效
发明人： 宋禹忻;王庶民;张振普;李耀耀;张立瑶 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp3化学键，所述α‑Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp2化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。
衬底二维晶体薄膜单晶制备化学键化学键形成常规外延范围扩大非晶态层外延生长常规的钝化层界面处原子层单层断开商用轰击离子

[发明专利]一种半导体材料过滤位错的方法-CN201410023924.3在审
发明人： 宋禹忻;王庶民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体材料过滤位错的方法，提供第一晶体层，在所述第一晶体层上依次外延生长内嵌有金属颗粒的过滤层和器件层，利用嵌入在半导体材料内部的金属颗粒过滤位错。本发明操作工艺简单，易控制，可有效地过滤穿透位错，具有良好的应用前景。
一种半导体材料过滤方法

[发明专利]一种单片原位形成图形衬底的方法-CN201310629211.7有效
发明人： 宋禹忻;王庶民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单片原位形成图形衬底的方法，所述方法至少包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上外延生长具有张应变的结构，并使所述张应变以形成裂缝的形式弛豫，所述裂缝相互交错形成衬底图形。本发明的单片原位形成衬底图形的方法不需对衬底进行预处理，从而防止引入外来杂质，降低了工艺难度，且操作工艺简单，易控制。另外，在本发明提供的衬底图形上生长的结构和器件与衬底晶格失配并且可以保持极低的晶体缺陷密度。
一种单片原位形成图形衬底方法

[发明专利]InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备-CN201310264420.6在审
发明人：顾溢;王庶民;张永刚;宋禹忻;叶虹 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备方法，该探测器结构由下而上依次包括：InP衬底、高掺杂n型InP缓冲层、吸收层和高掺杂p型InP帽层，所述的吸收层为低掺杂n型InyGa1-yAs1-xBix吸收层，其中0
inp 截止波长范围可调晶格匹配 ingaasbi 探测器结构及其制备

[发明专利]基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法-CN201310264472.3有效
发明人：王庶民;顾溢;宋禹忻;叶虹 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元素引起的III族元素互扩散实现非矩形量子阱结构，该方法可有效地控制材料组分，克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变矩形量子阱结构的问题，为量子结构和功能的设计及实现引入更大的自由度；本发明的制备方法适合采用分子束外延、原子层沉积等多种材料生长手段，操作工艺简单方便。
基于元素矩形 iii 半导体量子制备方法

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