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[实用新型]一种具有TSV结构的MEMS芯片-CN201921987347.4有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型属于芯片封装的技术领域，公开了一种具有TSV结构的MEMS芯片，在盖板的深槽内壁上覆盖一层绝缘氧化层，使其成为氧化深槽，并在氧化深槽内充满深槽多晶硅，成为TSV结构，MEMS结构的电信号既可以通过第一键合金属块和TSV导电柱连接到顶层金属图形上，也可以通过第二键合金属块、金属导线和深槽多晶硅连接到顶层金属图形上，达到了一个TSV结构导通二路电信号的目的，MEMS芯片体积小，方便MEMS结构的设计。
一种具有 tsv 结构 mems 芯片

[发明专利]一种具有TSV结构的MEMS芯片及其圆片级气密性封装方法-CN201911125646.1在审
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有TSV结构的MEMS芯片及其圆片级气密性封装方法，本发明的MEMS芯片，在盖板的深槽内壁上覆盖一层绝缘氧化层，使其成为氧化深槽，并在氧化深槽内充满深槽多晶硅，成为TSV结构，MEMS结构的电信号既可以通过第一键合金属块和TSV导电柱连接到顶层金属图形上，也可以通过第二键合金属块、金属导线和深槽多晶硅连接到顶层金属图形上，达到了一个TSV结构导通二路电信号的目的。本发明的方法仅在盖板圆片制作步骤增加了蚀刻盖板下凹腔一个加工工序，就在深槽内壁覆盖绝缘氧化层形成氧化深槽，并在氧化深槽内充满深槽多晶硅，形成TSV结构，达到一个TSV结构导通二路电信号的目的，制造工艺简单，获得的MEMS芯片体积小，成本低。
深槽多晶硅盖板顶层金属金属块导通键合蚀刻绝缘氧化层气密性封装加工工序金属导线内壁覆盖制造工艺层绝缘导电柱体积小下凹腔氧化层圆片级内壁圆片覆盖制作

[实用新型]三轴微型传感器高低温测试装置-CN201920619378.8有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种三轴微型传感器高低温测试装置，包括温箱、主转轴系统、副转轴系统和测试板；主转轴系统包括主马达、主转轴和配重；副转轴系统包括副马达、底盘和三个定向柱，主马达驱动副转轴系统、测试板及待测样品旋转，为待测样品提供旋转激励信号；副马达驱动三个定向柱沿主转轴斜面旋转0°、+120°、‑120°，测试板和副转轴系统位于温箱内，可以测试待测样品在不同温度下的性能。本装置只需一个主马达和一个副马达，就可驱动测试板，对待测样品施加X、Y、Z三个轴向的激励信号，具有体积小，控制简单，造价低，产能高等优点。
测试板副转轴主转轴待测样品副马达主马达激励信号定向柱驱动本实用新型高低温测试微型传感器体积小底盘产能配重三轴温箱轴向施加测试

[发明专利]三轴微型传感器高低温测试装置及其测试方法-CN201910365481.9在审
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：三轴微型传感器高低温测试装置，包括温箱、主转轴系统、副转轴系统和测试板；主转轴系统包括主马达、主转轴和配重；副转轴系统包括副马达、底盘和三个定向柱，主马达驱动副转轴系统、测试板及待测样品旋转，为待测样品提供旋转激励信号；副马达驱动三个定向柱沿主转轴斜面旋转0°、+120°、‑120°，测试板和副转轴系统位于温箱内，可以测试待测样品在不同温度下的性能。本装置只需一个主马达和一个副马达，就可驱动测试板，对待测样品施加X、Y、Z三个轴向的激励信号，具有体积小，控制简单，造价低，产能高等优点。本发明还涉及三轴微型传感器的高低温测试方法，该方法操作简单，同时测试三个轴向的信号，一次可以测试多个样品，产能高。
测试板副转轴主转轴高低温测试微型传感器待测样品副马达主马达三轴测试激励信号定向柱驱动产能轴向体积小底盘配重温箱施加

[实用新型]一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片-CN201821364288.0有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片，由第一MEMS芯片和应力缓冲结构构成，应力缓冲结构通过中心埋氧与第一MEMS芯片的底板连接，所述的应力缓冲结构由连接区、应力缓冲弹簧和外框构成，应力缓冲弹簧位于外框和连接区之间，连接区的投影面积占第一MEMS芯片投影面积的1/10～1/3，应力缓冲结构上均布有释放孔，应力缓冲结构的外框边缘位于第一MEMS芯片边缘的投影区内，应力缓冲结构的横截面面积小于第一MEMS芯片的横截面面积。本实用新型制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部，达到降低封装应力的目的，其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。
应力缓冲结构连接区投影本实用新型应力缓冲弹簧埋氧外框底板连接封装应力外框边缘成品率释放孔封装均布芯片制造

[实用新型]一种同时具备低应力和抗高过载的电子器件-CN201821010930.5有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同时具备低应力和抗高过载的电子器件，是在封装管壳底板上覆盖下保护软胶、封装管壳侧面内侧覆盖侧保护软胶、封装盖板的内表面覆盖图形化的上保护软胶，将电子芯片通过粘片胶点贴装到封装管壳内，保证电子芯片与封装管壳内侧面及封装盖板间无直接机械连接。本实用新型利用上保护软胶、下保护软胶和粘片胶点一起缓冲Z方向的外力冲击，保护电子芯片不与封装盖板或封装管壳底板碰撞；利用侧保护软胶缓冲X、Y轴方向的外力冲击，保护电子芯片不与封装管壳侧面碰撞，从而使电子器件既可抗高过载，又具有相对较低的封装应力。
封装管壳软胶电子芯片电子器件封装盖板抗高过载底板本实用新型外力冲击低应力粘片胶缓冲覆盖侧面碰撞封装应力机械连接侧面内表面图形化贴装保证

[发明专利]一种同时具备低应力和抗高过载的电子器件及其封装方法-CN201810689650.X在审
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时具备低应力和抗高过载的电子器件及其封装方法，是在封装管壳的底板内侧滴加保护软胶，并压制形成下保护软胶和侧保护软胶；在封装盖板的内表面滴加保护软胶，压制形成图形化的上保护软胶，然后在下保护软胶上滴加粘片胶点，将电子芯片贴装到封装管壳内，保证电子芯片与封装管壳内侧面及封装盖板间无直接机械连接，然后键合金属线，最后盖上封装盖板。本发明利用上保护软胶、下保护软胶和粘片胶点一起缓冲Z方向的外力冲击，保护电子芯片不与封装盖板或封装管壳底板碰撞；利用侧保护软胶缓冲X、Y轴方向的外力冲击，保护电子芯片不与封装管壳侧面碰撞，从而使电子器件既可抗高过载，又具有相对较低的封装应力。
软胶封装管壳电子芯片封装盖板电子器件抗高过载滴加底板外力冲击低应力粘片胶缓冲封装压制侧面碰撞封装应力机械连接金属线内表面图形化键合贴装侧面保证

[发明专利]一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法-CN201810966348.4在审
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法，具体是通过半导体加工工艺将圆片级封装的MEMS圆片的底板SOI圆片的底氧化层形成底氧化层图形，露出部分底硅层表面；然后以底氧化层图形为掩膜，对MEMS圆片进行深硅蚀刻，露出埋氧层表面，底硅层被蚀刻成应力缓冲结构，形成划片区、外框、应力缓冲弹簧、空窗区、连接区以及释放孔；再将MEMS圆片浸入HF或缓冲HF溶液中，形成中心埋氧图形，形成具有应力缓冲结构的MEMS圆片；最后切割圆片完成具有应力缓冲结构的MEMS芯片的制造。本发明制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部，达到降低封装应力的目的，其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。
应力缓冲结构圆片底氧化层埋氧制造半导体加工工艺底板蚀刻圆片级封装封装应力硅层表面切割圆片应力缓冲浸入成品率硅蚀刻划片区连接区埋氧层释放孔弹簧硅层缓冲空窗外框掩膜封装芯片

[发明专利]具有背面圆弧形棱边的MEMS芯片及其制造方法-CN201710162433.0有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2017-03-18 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了具有背面圆弧形棱边的MEMS芯片及其制造方法，MEMS芯片的侧面由垂直于底板下表面的垂直部分和圆弧形棱边组成，所述的圆弧形棱边由下圆角、侧壁、上圆角和顶部构成，所述的圆弧形棱边表面呈波浪形，且布满凹坑。本发明的制造方法在不增加额外工艺流程的前提下，制作完成底板圆片的同时在背面形成凹槽，后续圆片切割时沿凹槽切割即可形成圆弧形棱边以及粗糙的棱边表面，以防止圆片切割或后续封装工序中产生损伤，引起MEMS芯片可靠性差的问题。
具有背面圆弧形棱边 mems 芯片及其制造方法

[实用新型]抗高过载电子器件封装管壳-CN201721593895.X有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型给出了一种抗高过载电子器件封装管壳，管壳座侧壁开有盖板槽、键合槽和密封槽，凹槽侧壁形成密封台阶和键合台阶；盖板与凹槽的密封台阶配合，盖板和凹槽内构成密封腔，管壳座上有水平金属焊脚和垂直金属焊脚，每个垂直金属焊脚包括水平部和垂直部；凹槽的盖板槽延伸至管壳座的上端面；垂直金属焊脚包括第一垂直焊脚和第二垂直焊脚，第一垂直焊脚和第二垂直焊脚的垂直部处于管壳座侧壁上，第一垂直焊脚和第二垂直焊脚的水平部都处于管壳底板上，盖板固定有金属条；焊锡包裹第二垂直焊脚和金属条。本封装管壳的垂直焊脚通过焊锡焊接PCB的焊盘；焊锡全面覆盖管壳的第一垂直焊脚、第二垂直焊脚以及金属条，焊锡高度可使电子器件抗机械冲击。
垂直焊脚管壳座焊脚垂直金属金属条盖板管壳焊锡电子器件封装抗高过载密封台阶盖板槽水平部侧壁键合垂直本实用新型抗机械冲击凹槽侧壁电子器件封装管壳管壳底板焊锡焊接全面覆盖水平金属密封槽密封腔上端面焊盘延伸配合

[发明专利]抗高过载电子器件封装管壳-CN201711192261.8在审
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明给出了一种抗高过载电子器件封装管壳，管壳座侧壁开有盖板槽、键合槽和密封槽，凹槽侧壁形成密封台阶和键合台阶；盖板与凹槽的密封台阶配合，盖板和凹槽内构成密封腔，管壳座上有水平金属焊脚和垂直金属焊脚，每个垂直金属焊脚包括水平部和垂直部；凹槽的盖板槽延伸至管壳座的上端面；垂直金属焊脚包括第一垂直焊脚和第二垂直焊脚，第一垂直焊脚和第二垂直焊脚的垂直部处于管壳座侧壁上，第一垂直焊脚和第二垂直焊脚的水平部都处于管壳底板上，盖板固定有金属条；焊锡包裹第二垂直焊脚和金属条。本封装管壳的垂直焊脚通过焊锡焊接PCB的焊盘；焊锡全面覆盖管壳的第一垂直焊脚、第二垂直焊脚以及金属条，焊锡高度可使电子器件抗机械冲击。
过载电子器件封装管壳

[实用新型]具有背面圆弧形棱边的MEMS芯片-CN201720264606.5有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2017-03-18 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有背面圆弧形棱边的MEMS芯片，MEMS芯片的底板侧面由垂直于底板下表面的垂直部分和圆弧形棱边组成，所述的圆弧形棱边由下圆角、侧壁、上圆角和顶部构成，所述的圆弧形棱边表面呈波浪形，且布满凹坑，以防止圆片切割或后续封装工序中产生损伤，引起MEMS芯片可靠性差的问题。
具有背面圆弧形棱边 mems 芯片

[实用新型]具有驱动频率调节结构的MEMS陀螺仪-CN201720895640.2有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： G01C19/5649 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有驱动频率调节结构的MEMS陀螺仪，属于传感器芯片设计技术领域，具体是将MEMS陀螺仪的两个可动质量块通过驱动弹簧组件连接在两组驱动频率调节结构的质量块锚点上，两个可动质量块沿Y轴方向对称分布，驱动频率调节电极的固定电极部分制作在紧邻质量块锚点的调节电极锚点上，驱动频率调节电极的可动电极部分沿X轴对称分布于驱动弹簧组件两侧，可动电极部分与固定电极部分构成驱动频率调节电容，这样就减少了衬底不对称形变对质量块锚点与驱动电极锚点间距的影响，也就是稳定了驱动频率调节静电力，改进MEMS陀螺仪性能，提高了MEMS陀螺仪在不同温度下、不同应力环境中的稳定性。
具有驱动频率调节结构 mems 陀螺仪

[发明专利]具有垂直压焊块的圆片级封装MEMS芯片及其制作方法-CN201610966908.7有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2016-11-05 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了具有垂直压焊块的圆片级封装MEMS芯片及其制作方法，由盖板、MEMS结构层和底板组成，底板上表面具有底板沟槽，底板沟槽的表面及侧面具有绝缘层，金属层淀积在MEMS引线区的上表面和端面上，以及底板沟槽的绝缘层上，金属层与MEMS引线区形成电接触，位于MEMS引线区的金属层作为水平压焊块，位于底板沟槽的绝缘层上的金属层则成为垂直压焊块。本发明的制作方法在不增加额外工艺流程的前提下，制作完成MEMS芯片的同时形成垂直压焊块，具有开发时间短、测试简单、成本低等优点，特别适用于高性能工业级MEMS芯片的制作。
具有垂直压焊块圆片级封装 mems 芯片及其制作方法

[发明专利]一种圆片级封装的MEMS芯片的开盖装置及开盖方法-CN201510427764.3有效
发明人：华亚平 -专利权人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：圆片级封装的MEMS芯片的开盖装置，由开盖夹具、电炉和真空系统组成，开盖夹具置于电炉上，电炉置于真空室中；开盖夹具由顶层、上层、下层、导向杆和牵引装置组成，导向杆从顶层和上层穿过，固定在下层上，牵引装置位于顶层和上层之间，顶层的主体是顶板，顶板通过顶螺丝固定在导向杆上；下层的主体是下板，下板上有下固定夹板和下活动夹板，下螺丝与下活动夹板连接；上层的主体是上板，上板上有上固定夹板和上活动夹板，上螺丝与上固定夹板连接。圆片级封装的MEMS芯片的开盖方法，是在真空中熔化焊料，通过牵引装置将盖板与MEMS结构层分离，除去圆片级封装的MEMS芯片的盖板，为后续失效分析做准备。
一种圆片级封装 mems 芯片装置方法

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