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[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202210840330.6在审
发明人： 增泽健二;远藤一宪;田中诚治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：构成为能够减压的处理容器；载置台，其设置于所述处理容器的内部，具有能够载置基片的基片载置面；和矩形框状的整流壁，其设置成在所述基片载置于所述基片载置面时能够包围所述基片的外周，在所述整流壁的四角分别设置有从所述整流壁的内侧贯通所述整流壁的气体流路，所述整流壁的四角的内周面由曲面构成。根据本发明，能够抑制对基片进行的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的堆积。
处理装置方法

[发明专利]排气网的制造方法、等离子体处理装置和排气网-CN202210653807.X在审
发明人：田中诚治;增泽健二;远藤一宪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种排气网的制造方法、等离子体处理装置和排气网。所述排气网是在从等离子体处理装置的处理容器排出气体时使该气体通过的排气网，该排气网的制造方法的特征在于，包括：步骤a，准备多个金属板；步骤b，在所述多个金属板分别形成由多个六边形形状的贯通孔相邻配置而成的蜂窝结构，获得多个薄板蜂窝网；和步骤c，通过以所述多个薄板蜂窝网的所述多个贯通孔相互连通的方式层叠所述多个薄板蜂窝网，并将该多个薄板蜂窝网彼此接合，来制作形成为厚板的所述排气网。根据本发明，能够兼顾排气性能和放电稳定性。
排气制造方法等离子体处理装置

[发明专利]叠层片-CN202080014026.5在审
发明人：村上淳之介;增泽健二 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明的问题是提供可赋予金属光泽并且变色进一步降低的、针对织物基材的着色技术，该问题的解决方案是提供一种具有纤维基材和含金属元素或准金属元素的层的叠层片，并且所述纤维基材保持填充材料。
叠层片

[发明专利]透光性导电膜、及经退火处理的透光性导电膜的制造方法-CN201680027950.0有效
发明人：小山健史;增泽健二;村上淳之介;福田崇志 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在短时间内进行退火处理，也能够降低电阻值的透光性导电膜。本发明的透光性导电膜具备具有透光性及导电性的导电层、和配置于所述导电层的一个表面侧的基材，所述导电层为铟锡氧化物的非晶质层，所述导电层中的In原子和Sn原子的合计的含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，所述导电层的载流子密度为4×1020/cm3以上、6×1020/cm3以下，所述导电层的霍尔迁移率为20cm2/V·s以上、28cm2/V·s以下。
透光导电退火处理制造方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202110250009.8在审
发明人：田中诚治;依田悠;增泽健二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制对基片的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积的基片处理装置和基片处理方法。载置台配置在处理容器内，规定载置基片的载置区域。整流壁以形成从载置区域侧贯通至载置台的外周侧的间隙地包围载置区域的方式，配置在载置台的包围载置区域的周边区域上。
处理装置方法

[发明专利]燕尾槽加工方法以及基板处理装置-CN202010441138.0在审
发明人： 增泽健二;大上胜行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供对于以下情况有利的燕尾槽加工方法以及基板处理装置：在基板处理装置中，当使用切削工具加工收纳密封构件的燕尾槽时，抑制反应生成物在供切削工具插入的导入孔堆积。在利用设于形成基板处理装置的第一构件和第二构件之间的密封面的密封构件将基板处理装置的内部的处理区域和外部的外部区域之间屏蔽的密封面收纳密封构件的燕尾槽的加工方法具有以下工序：在密封面加工导入孔；将切削工具插入导入孔，该切削工具具备下方的顶端向外侧伸出的锥形状的切削刃，一边使切削工具向第一方向移动直到切削刃与导入孔的开口中的靠处理区域侧的端部抵接一边进行切削；使切削工具向与第一方向交叉的第二方向移动，沿密封面的长度方向加工燕尾槽。
燕尾加工方法以及处理装置

[发明专利]半导体保护用粘合带和处理半导体的方法-CN201880018486.8在审
发明人：利根川亨;增泽健二 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C09J7/38 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种半导体保护用粘合带、以及使用该半导体保护用粘合带的处理半导体的方法，所述半导体保护用粘合带在半导体制造工艺中贴附于半导体器件的电路面时，可以透过粘合带来识别半导体器件上的电路图案，并且即使在供于180℃以上的高温处理时也能够发挥出高抗静电性能。本发明为一种半导体保护用粘合带，其具有粘合剂层和层叠于该粘合剂层的一个面的导电层，上述粘合剂层侧的表面电阻率在180℃、6小时的加热之前和之后均为1.0×10⁴Ω/□以上且9.9×10¹³Ω/□以下，并且从上述导电层侧所测得的可见光透射率为30％以上。
半导体保护粘合带粘合剂层半导体器件导电层半导体半导体制造工艺可见光透射率表面电阻率抗静电性能电路图案高温处理电路面粘合贴附加热

[发明专利]透明导电膜的制造方法、透明导电膜的制造装置、溅射靶及透明导电膜-CN201410341203.7在审
发明人：汤川富之;武井応树;小林大士;赤松泰彦;清田淳也;增泽健二;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
透明导电制造方法装置溅射

[发明专利]静电卡盘装置-CN201080056197.0有效
发明人：佐佐木康晴;增泽健二;真壁晓之;小坂井守;佐藤隆;石村和典;早原龙二;河野仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社;住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电卡盘装置，其由以下部件构成：静电卡盘部；环状的聚焦环部，设置成包围该静电卡盘部；和冷却基部，冷却该静电卡盘部和聚焦环部。聚焦环部包括环状的聚焦环、环状的导热片、环状的陶瓷环、非磁性体的加热器以及向该加热器供电的电极部。
静电卡盘装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法-CN200910127092.9有效
发明人：本田昌伸;增泽健二;中山博之;岩田学;佐藤学;成重和树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(V_C、V_E)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(V_C、V_E)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。
等离子体处理装置蚀刻方法

[发明专利]电极构造和基板处理装置-CN200910129460.3有效
发明人：中山博之;本田昌伸;增泽健二;岩田学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供能在处理空间与基板的周缘部的相对部分使电子密度上升的电极构造和基板处理装置。配置在对晶片(W)实施RIE处理的基板处理装置(10)所具备的处理室(11)内且在该处理室(11)内与载置在基座(12)上的晶片(W)相对的上部电极(31)包括：与载置在基座(12)上的晶片(W)的中心部相对的内侧电极(34)和与该晶片(W)周缘部相对的外侧电极(35)，内侧电极(34)连接第一直流电源(37)，外侧电极连接第二直流电源(38)，外侧电极具有与载置在基座(12)上的晶片(W)平行的第1二次电子发射面(35a)和相对该第1二次电子发射面(35a)向着晶片(W)倾斜的第2二次电子发射面(35b)。
电极构造处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200910009325.5有效
发明人：岩田学;中山博之;增泽健二;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和方法，其等离子体处理的均匀性控制范围广且不易产生沉积引起的CD不均匀等副作用。等离子体处理装置具有相对配置在腔室内、由外侧电极和内侧电极构成的上部电极以及晶片支撑用的下部电极，下部电极与施加40MHz的第一高频电力的第一高频电源以及施加3.2MHz的第二高频电力的第二高频电源连接，外侧电极和内侧电极分别与施加直流电压的第一直流电压施加电路和第二直流电压施加电路连接，从等离子体生成空间一侧观察上部电极时的外侧电极的频率-阻抗特性为，随着施加给外侧电极的直流电压增加，在40MHz中阻抗减少，在3.2MHz中阻抗增加。
等离子体处理装置方法

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