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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]金属膜辅助转移石墨烯薄膜的方法及应用-CN202210400148.9在审
发明人：彭海琳;李雯;王赫群;孙禄钊;郑黎明;唐际琳;高欣 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D71/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金属膜辅助转移石墨烯薄膜的方法及其应用。本发明的方法通过金属膜辅助无需任何有机高分子胶层辅助，可消除残胶影响，转移后石墨烯薄膜完整度高、洁净区域广，并可实现批量制备。本发明方法工艺简单、耗时短，制备的复合膜中石墨烯完整度高，可达90％‑99％。并且制备的石墨烯复合膜无需去除金属膜，可直接应用于氢同位素分离。
金属膜辅助转移石墨薄膜方法应用

[发明专利]一种大畴区石墨烯单晶的制备方法-CN202110138724.2有效
发明人：阎睿;唐际琳;杜音;王雅妮;曹轶森;彭海琳;刘忠范 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。
一种大畴区石墨烯单晶制备方法

[发明专利]适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法-CN202210090083.2在审
发明人：阎睿;曹轶森;唐际琳;杨雨佳;吕蓉;彭海琳;高翾;刘忠范 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法，包括：在附着金属薄膜前，对蓝宝石晶圆衬底进行退火预处理。退火预处理期间采用水平放置且蓝宝石晶圆与板面完全接触的平板载具，解决了石墨烯薄膜制备过程中单晶金属薄膜晶圆中存在孪晶的问题，降低了孪晶的出现，提高了金属单晶薄膜晶圆的良率。
适用于无孪晶单晶金属薄膜制备蓝宝石衬底退火方法

[发明专利]金属晶圆及其制备方法-CN202111185707.0在审
发明人：杜音;阎睿;唐际琳;曹轶森;杨雨佳;彭海琳 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种金属晶圆基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底通过磁控溅射形成所述金属薄膜，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底的温度保持在50℃以下。还提供该方法制备的金属晶圆。本发明的制备方法，提高了金属晶圆退火后的单晶化程度，并且解决了基底产生孪晶及缺陷问题，为下一步生长优质石墨烯打下基础。同时，由于溅射过程都在常温进行，不需要在溅射结束后，降低温度至常温才能打开磁控溅射腔室，避免了晶圆容易氧化的问题。并且，降低了溅射一片晶圆所需的时间，提高了生产效率。
金属及其制备方法

[发明专利]金属基底及其制备方法-CN202111185471.0在审
发明人：杜音;阎睿;唐际琳;曹轶森;杨雨佳;彭海琳 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明提供一种金属基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底上通过磁控溅射制备金属基底，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底进行自转，所述自转的转速为30～50转/分钟。还公开该方法制备的金属基底。本发明的金属基底的制备方法，通过磁控溅射这一物理气相沉积制备，在蓝宝石基底上溅射过程中，保持蓝宝石以一定转速自转，可以提高溅射制备的金属基底与蓝宝石的附着力，从而减少或避免退火过程中金属挥发产生孔洞。更进一步，通过选择特定的磁控溅射功率，进一步提高金属基底与蓝宝石的附着力，从而防止退火时产生孔洞。
金属基底及其制备方法

[发明专利]石墨烯晶圆的生长方法及装置-CN202011529709.2在审
发明人：杜音;阎睿;唐际琳;王雅妮 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯晶圆的生长方法和载具。所述方法为在蓝宝石/金属基底上气相沉积生长石墨烯晶圆，所述金属基底上方与设置一片材，所述片材与所述金属基底所处平面平行，所述金属基底与所述片材之间的间距d满足如下关系：0.5mm≤d≤2mm，所述片材在垂直方向的投影完全覆盖所述金属基底。本发明的石墨烯晶圆的生长方法，通过在金属基底上方设置片材以形成狭缝，由于狭缝的宽度在一定范围内，因此在生长过程中氧气相对于氢气分子量大难以进入狭缝，生长过程中金属基底被还原气氛保护，基底表面不会形成氧化斑点，从而避免基底表面产生缺陷，可以提升了生长的石墨烯晶圆的品质。
石墨烯晶圆生长方法装置

[发明专利]一种石墨烯晶圆的转移方法、石墨烯晶圆及鼓泡体系-CN202010061392.8有效
发明人：彭海琳;刘忠范;阎睿;唐际琳;杜音 -专利权人：北京石墨烯研究院
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯晶圆的转移方法、石墨烯晶圆及鼓泡体系，该方法包括：提供一带有金属基底的石墨烯晶圆；以及，采用电化学鼓泡工艺将所述石墨烯晶圆自所述金属基底上剥离；其中，所述电化学鼓泡工艺中的鼓泡体系包括水相和有机相，所述水相包括电解质水溶液，所述有机相位于所述水相的下方。本发明一实施方式的石墨烯晶圆的转移方法，大大减少了转移过程中石墨烯薄膜的破损，提高了所得石墨烯薄膜的质量。
一种石墨烯晶圆转移方法体系

[发明专利]一种石墨烯晶圆的转移方法-CN201911005855.2在审
发明人：彭海琳;刘忠范;阎睿;邓兵;唐际琳;杜音;蔡阿利 -专利权人：北京石墨烯研究院
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯晶圆的转移方法，包括：在蓝宝石/金属基底上形成石墨烯晶圆，所述蓝宝石/金属基底通过磁控溅射工艺制得；以及通过电化学鼓泡法将所述石墨烯晶圆自所述金属基底上剥离。本发明一实施方式的方法，提高了石墨烯生长基底的质量，解决了现有鼓泡法转移石墨烯薄膜的破损问题。
石墨烯金属基晶圆蓝宝石鼓泡法磁控溅射工艺石墨烯薄膜电化学破损问题生长基剥离

[发明专利]石墨烯单晶薄膜及其制备方法-CN201810253431.7在审
发明人：彭海琳;刘忠范;邓兵;唐际琳 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种石墨烯单晶薄膜的制备方法，包括下述步骤：S1，在蓝宝石单晶基底上形成Cu(111)单晶薄膜；S2，在所述Cu(111)单晶薄膜上形成镍薄膜；S3，将镍/铜(111)/蓝宝石进行高温退火处理得到铜镍单晶合金层；以及S4，采用常压化学气相沉积在所述铜镍单晶合金层上生长所述石墨烯单晶薄膜。本方法可以制备4英寸尺寸的石墨烯单晶，有望为石墨烯电子器件的应用提供材料基础。
单晶薄膜石墨烯制备单晶合金铜镍常压化学气相沉积蓝宝石单晶蓝宝石材料基础电子器件高温退火应用提供镍薄膜单晶基底生长

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