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[实用新型]一种电缆槽盒-CN202320082748.5有效
发明人：郭根劼;熊天军;任孝岐;赵树军;李振伟;陈振华;任哲;雷晓锋;吴琼;翟羽羽;李虎;雷禹;马涛;汪文琦;李波;马勇;刘茜;阎睿;张荣秀;张脩钒;叶晓濛 -专利权人：中国能源建设集团陕西省电力设计院有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02G3/22 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种电缆槽盒，包括槽体和设置在槽体内的支撑件，其中，支撑件又包括支撑板和至少两个限位部，至少两个限位部间隔设置在支撑板上，支撑板则设置在槽体中。在将电缆敷设在电缆槽盒时，每条电缆敷设在一个限位部中，从而将电缆槽盒内的多条电缆分别限位在不同的位置，使电缆之间保持一定的距离，避免因相互影响导致电缆载流量减小，提高了电缆的利用效率。
一种电缆

[实用新型]一种用于地下车库的电缆桥架-CN202320112515.5有效
发明人：郭根劼;韩子俊;丁斌;张光弢;唐宝锋;李如锋;马涛;任哲;雷晓峰;吴琼;翟羽羽;朱弘毅;汪文琦;董浩杰;马勇;李波;彭泳琦;林榕;苟义昕;阎睿 -专利权人：中国能源建设集团陕西省电力设计院有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种用于地下车库的电缆桥架，其特征在于，包括支撑柱和固定架；支撑柱的一端能够固定于地下车库的顶板；固定架设置有至少一个，至少一个固定架的一端固定于支撑柱的侧壁；电缆槽盒支撑于固定架，电缆槽盒设置于支撑柱的一侧，且电缆槽盒与支撑柱相互垂直设置，电缆槽盒设置有壳体和盖体，壳体围成具有开口的容纳腔，盖体能够盖合于开口；电缆能够经由开口放置于容纳腔内后，再将盖体盖合于开口。通过本申请的设置，提供了一种便于收纳，且能够保护电缆的电缆桥架。
一种用于地下车库电缆

[发明专利]一种大畴区石墨烯单晶的制备方法-CN202110138724.2有效
发明人：阎睿;唐际琳;杜音;王雅妮;曹轶森;彭海琳;刘忠范 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。
一种大畴区石墨烯单晶制备方法

[发明专利]适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法-CN202210090083.2在审
发明人：阎睿;曹轶森;唐际琳;杨雨佳;吕蓉;彭海琳;高翾;刘忠范 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法，包括：在附着金属薄膜前，对蓝宝石晶圆衬底进行退火预处理。退火预处理期间采用水平放置且蓝宝石晶圆与板面完全接触的平板载具，解决了石墨烯薄膜制备过程中单晶金属薄膜晶圆中存在孪晶的问题，降低了孪晶的出现，提高了金属单晶薄膜晶圆的良率。
适用于无孪晶单晶金属薄膜制备蓝宝石衬底退火方法

[发明专利]金属晶圆及其制备方法-CN202111185707.0在审
发明人：杜音;阎睿;唐际琳;曹轶森;杨雨佳;彭海琳 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种金属晶圆基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底通过磁控溅射形成所述金属薄膜，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底的温度保持在50℃以下。还提供该方法制备的金属晶圆。本发明的制备方法，提高了金属晶圆退火后的单晶化程度，并且解决了基底产生孪晶及缺陷问题，为下一步生长优质石墨烯打下基础。同时，由于溅射过程都在常温进行，不需要在溅射结束后，降低温度至常温才能打开磁控溅射腔室，避免了晶圆容易氧化的问题。并且，降低了溅射一片晶圆所需的时间，提高了生产效率。
金属及其制备方法

[发明专利]金属基底及其制备方法-CN202111185471.0在审
发明人：杜音;阎睿;唐际琳;曹轶森;杨雨佳;彭海琳 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明提供一种金属基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底上通过磁控溅射制备金属基底，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底进行自转，所述自转的转速为30～50转/分钟。还公开该方法制备的金属基底。本发明的金属基底的制备方法，通过磁控溅射这一物理气相沉积制备，在蓝宝石基底上溅射过程中，保持蓝宝石以一定转速自转，可以提高溅射制备的金属基底与蓝宝石的附着力，从而减少或避免退火过程中金属挥发产生孔洞。更进一步，通过选择特定的磁控溅射功率，进一步提高金属基底与蓝宝石的附着力，从而防止退火时产生孔洞。
金属基底及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构、显示面板及制备方法-CN202211567419.6在审
发明人：阎睿;关峰;杜建华;吕杨;王超璐;赵梦;吴昊;王易成 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构、显示面板及制备方法。制备方法包括：对半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成缺陷层；沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底上剥离；在表面固定有所述半导体薄膜的目标衬底上制备半导体结构。通过本发明提供了一种晶粒尺寸更大，载流子迁移率更高的半导体薄膜结构。
一种半导体结构显示面板制备方法

[发明专利]薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置-CN202211494395.6在审
发明人：赵梦;王利忠;周天民;黄睿;童彬彬;宁策;吴昊;关峰;杜建华;张劲潮;吕杨;王超璐;阎睿;杨维 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置。薄膜晶体管包括：第一极，位于基底上侧；第一绝缘层，位于第一极的上侧；凸起结构，位于第一绝缘层上侧，并沿第一方向延伸；有源层，位于凸起结构的上侧，包括第一导体化区域、第二导体化区域以及的沟道，沟道沿第二方向跨越凸起结构，第一导体化区域与第一极连接；第二绝缘层，位于有源层上侧；栅极，位于第二绝缘层的上侧，沟道在基底上的正投影位于栅极在基底上的正投影的范围内；第三绝缘层，位于栅极的上侧；第二极，位于第三绝缘层的上侧，第二极与第二导体化区域连接。本公开的技术方案，可以增加沟道的长度，降低短沟道效应。
薄膜晶体管及其制备方法显示装置

[发明专利]阵列传感背板、制备方法和光感传感器-CN202211079316.5在审
发明人：关峰;王超璐;杜建华;赵梦;吴昊;吕杨;阎睿 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列传感背板、制备方法和光感传感器，包括：基板；PN异质结，所述PN异质结设置于所述基板上，所述PN异质结包括P型掺杂层和氧化物半导体层，所述P型掺杂层和所述氧化物半导体层沿所述基板的厚度方向层叠设置。将P型掺杂层和所述氧化物半导体层在所述基板的厚度方向层叠设置，可以增大整流器件有效结的面积，提高整流效果，使得整流器件达到较好的整流效果。
阵列传感背板制备方法传感器

[发明专利]背板、制备方法及显示装置-CN202211061021.5在审
发明人：赵梦;王超璐;关峰;杜建华;吕杨;吴昊;阎睿 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种背板、制备方法及显示装置，涉及显示技术领域，用于提高背板驱动的显示装置的分辨率。该背板包括绝缘层、第一薄膜晶体管与第一薄膜晶体管。所述绝缘层具有相互平行且不共面的第一表面与第二表面，以及连接所述第一表面与所述第二表面的连接侧面。所述第一薄膜晶体管包括位于所述第一表面的第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括位于所述第二表面的第二有源层。其中，所述第一有源层和所述第二有源层均靠近所述连接侧面设置；在向所述第一表面的正投影中，所述第一有源层和所述第二有源层之间的间距小于2.5μm。上述背板用于显示图像。
背板制备方法显示装置

[发明专利]一种石墨烯薄膜的转移方法、石墨烯薄膜及石墨烯复合结构-CN202110147885.8有效
发明人：彭海琳;高欣;郑黎明;林立;刘忠范;胡兆宁;阎睿;杨皓 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯薄膜的转移方法、石墨烯薄膜及石墨烯复合结构，该转移方法包括：提供第一石墨烯复合结构，所述第一石墨烯复合结构包括依次设置的基底层、石墨烯层、缓冲层和聚合物层；去除所述第一石墨烯复合结构的基底层，得到第二石墨烯复合结构；将所述第二石墨烯复合结构转移至目标基底；以及去除所述缓冲层和所述聚合物层；其中，所述缓冲层包含冰片，所述聚合物层用于为脱离所述基底的所述石墨烯层提供支撑。本发明一实施方式的方法，相较于现有技术，可提高转移后石墨烯薄膜的完整度、洁净度。
一种石墨薄膜转移方法复合结构

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板-CN202210876186.1在审
发明人：赵梦;王超璐;关峰;杜建华;吕杨;吴昊;阎睿 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该方法包括：导电层；至少一层绝缘层，所述至少一层绝缘层层叠于所述导电层上，所述至少一层绝缘层具有至少一个贯穿所述至少一层绝缘层的过孔；金属包边结构，通过所述过孔连接所述导电层；所述金属包边结构包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层凹陷于所述过孔内与所述导电层连接，所述第二金属层一部分凹陷于所述第一金属层内，所述第二金属层的另一部分延伸到所述至少一层绝缘层的顶部，并包围所述过孔的顶部开口边缘。
一种阵列及其制作方法显示面板

[实用新型]一种框架式并联电容器组户内分组布置结构-CN202220886066.5有效
发明人：童亦崴;钱翊;王胜利;张光弢;康乐;王冬;杨旭;陈磊;毕宇飞;刘茜;郑雷;张芸;张柳;张剑刚;宋智翔;潘超;曹也坤;阎睿;温光辉;刘欢;卜梦晨 -专利权人：中国能源建设集团陕西省电力设计院有限公司;国网陕西省电力有限公司西安供电公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本申请提供一种框架式并联电容器组户内分组布置结构，包括框架式并联电容器组、电缆竖井、运维检修进出口、至少两个安全围栏、至少三个隔墙；至少两个框架式并联电容器组平行布置在至少三个隔墙的内部；电缆竖井设置在至少两个框架式并联电容器组之间；运维检修进出口设置在至少两个框架式并联电容器组之间；至少两个安全围栏分别设置在至少两个框架式并联电容器组的一侧。本申请通过将框架式并联电容器组按照其所连接的主变压器低压侧母线进行分组，不同组的框架式并联电容器组布置在不同独立房间内，不同独立房间内的框架式并联电容器组及电力电缆进线的运维检修互不干扰，减少了变电站建设工程量，增加变电站建设灵活性和运维检修便捷性。
一种框架并联电容器户内分组布置结构

[实用新型]超高压并联电抗器户内变电站的布置结构-CN202220886577.7有效
发明人：童亦崴;钱翊;王胜利;张光弢;康乐;王冬;杨旭;陈磊;毕宇飞;刘茜;郑雷;张芸;张柳;张剑刚;宋智翔;潘超;曹也坤;阎睿;温光辉;刘欢;卜梦晨 -专利权人：中国能源建设集团陕西省电力设计院有限公司;国网陕西省电力有限公司西安供电公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H02B1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种超高压并联电抗器户内变电站的布置结构，包括超高压并联电抗器室和散热器室，超高压并联电抗器室中设有超高压并联电抗器和GIS分支引线；超高压并联电抗器具有配电装置套管，配电装置套管的一端接口用于超高压并联电抗器和配电装置套管连接，另一端接口用于配电装置套管与GIS分支引线连接；GIS分支引线通过超高压并联电抗器室的侧墙上接口孔与GIS室中对应的配电装置连接；散热器室中设有散热器，散热器与超高压并联电抗器之间连接有并联电抗器出油管道和并联电抗器进油管道，并联电抗器出油管道和并联电抗器进油管道垂直设置。本申请电气接口合理，减少设备占地面积，减少变电站的围墙面积，增大变电站建设灵活性。
超高压并联电抗户内变电站布置结构

[发明专利]单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法-CN202110213872.6在审
发明人：彭海琳;胡兆宁;郑黎明;林立;高欣;王茗;阎睿;蔡阿利;谢芹;刘忠范 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的单晶晶圆石墨烯薄膜表面依次形成萜类小分子层、辅助支撑层并贴合热释放胶带，得到复合层；采用鼓泡剥离法将生长基底分离；待复合层干燥后，将其贴合到目标衬底；以及除去复合层中的热释放胶带和各胶层。本发明的单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，通过构筑“热释放胶带/辅助支撑层辅助支撑层/萜类小分子层/单晶晶圆石墨烯薄膜/生长基底”的分层结构，基于鼓泡剥离法可以在数分钟之内与生长基底剥离，可以避免鼓泡过程对晶圆石墨烯薄膜的损坏；并且鼓泡剥离法不会损伤生长基底，生长基底可重复使用，可大幅降低生产成本。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移。
单晶晶圆石薄膜转移方法

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