专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]灰岩石漠化地区植被生长及其制作方法及植被种植方法-CN201410706842.9有效
  • 陈洪凯;吴帆;唐红梅 - 陈洪凯;吴帆;唐红梅
  • 2014-11-27 - 2015-03-11 - A01G9/10
  • 本发明公开了一种有机质含量丰富,保水保肥性能良好,原料来源广泛,成本较低,并具有能从岩体裂隙和空气中吸收水分能力的灰岩石漠化地区植被生长,以及制作该生长的制作方法,以及使用该生长种植植物,使植物成活率高生长由生物基材、调节剂和水混合而成,制作方法:1)将生物基材混合,加水;2)发酵,翻堆,后熟;3)风干;4)加调节剂,压制成圆柱体,自然干燥。种植方法:1)钻头生长置入孔;2)在生长置入孔底部和周围岩面上钻根系孔;3)在根系孔中填入散体生长;4)在生长置入孔内放入整体生长,播入种子;5)将防蒸发盖覆盖在生长上。
  • 岩石地区植被生长及其制作方法种植方法
  • [发明专利]一种便于调节生长温度的微波反应装置-CN202310916192.X在审
  • 冀成相;李再强;廖佳 - 北京左文科技有限公司
  • 2023-07-25 - 2023-10-24 - C30B25/16
  • 本发明公开了一种便于调节生长温度的微波反应装置,属于晶体生长设备领域。包括有微波谐振腔体,微波谐振腔体内设置有生长台,生长台上方设置有生长台,生长台上连接有冷却机构,生长台上连接有升降机构。升降机构能够控制生长台深入等离子体的深度和并调节生长台与具有冷却机构的生长台本体的间距,进而实现生长台上的金刚石籽晶获取的等离子体能量以及散热速度的调节,达到金刚石籽晶生长温度的精确控制;同时,升降机构的连接杆通过真空管、压缩密封件实现真空密封,并通过波纹管进行伸缩缓冲,既能够保证生长台的真空环境,又能够升降机构的结构稳定。
  • 一种便于调节生长温度微波反应装置
  • [发明专利]石漠化地区植被生态系统及其重建方法-CN201710116363.5在审
  • 王圣娟;陈洪凯 - 重庆交通大学
  • 2017-03-01 - 2017-06-27 - A01G1/00
  • 本发明公开了一种石漠化地区植被生态系统及其重建方法,本发明植被生态系统的贮水能力强,植物生长容易,且可以快速重建石漠化地区的植被生态系统。植被生态系统包括地面,地面上设置若干乔木种植、灌木生长,地面的其余区域铺设草本生长载体,所述乔木种植内种植乔木,所述灌木生长内种植灌木,所述草本生长载体上种植草本植物。重建方法包括以下步骤预制乔木种植;开凿种植埋入孔,钻安插吸水根的孔,插入吸水根,安放乔木种植,栽种乔木树苗;用爆破方法形成灌木生长,铺设草本生长载体;待枯枝落叶和地表径流产生的砂石土体汇集在灌木生长内并附着在草本生长载体表面
  • 石漠化地区植被生态系统及其重建方法
  • [发明专利]压制生长培养-CN200380102461.X无效
  • L·汉森;O·埃勒高 - 埃勒高有限公司
  • 2003-10-30 - 2005-12-14 - A01G9/10
  • 本发明涉及一种形成并压制生长培养罐的设备和方法,其中生长培养罐由其管壁由含纤维材料形成的生长培养管制成,生长培养管的含有已略微压制的生长培养。本发明的目的是实现一种用于廉价并高效地生产已坚实压制的生长培养罐的装置和方法,其中生长培养罐被快速并高效地压制到含纤维材料中。这可通过前言所述的设备实现,该设备设计成可通过传输装置将生长培养管的端部放置到转动部件的开口中,其中转动部件的开口可由至少一个壁和一个底部围绕;切断装置从生长培养管上分离出单个生长培养罐;转动部件在多个停止位置之间转动,该排出柱体与将成品生长培养罐推出转动部件开口的柱塞相连。由此,可快速且均匀地压制长培养罐。通过对生长培养罐进行压制,可降低生长培养罐内的空气含量但又不影响其它的含量。在运输和储存过程中,减小体积是非常必要的。
  • 压制生长培养基
  • [发明专利]确定微生物对改变生长剂的敏感性之方法和装置-CN01117854.X无效
  • 斯蒂芬·C·沃德罗 - 斯蒂芬·C·沃德罗
  • 2001-01-05 - 2001-11-28 - C12N1/00
  • 一种用于确定改变生长剂对微生物生长有明显作用的浓度的方法,包括以下步骤准备微生物生长培养;准备敏感试剂,其中包含与标记物混合的改变生长剂,所述标记物具有强度与标记物的浓度成比例的信号;将试剂掺入生长培养,方式为使改变生长剂与标记物在生长培养中产生浓度梯度用靶微生物接种生长培养;培养该接种的生长培养足以使靶微生物生长至可检测量的一段时间;评估在含改变生长剂的区域中该微生物的生长特性;测定区域中信号的强度;并利用所述信号的测定强度确定区域中改变生长剂的浓度。
  • 确定微生物改变生长敏感性方法装置
  • [发明专利]生长水凝胶的制备方法-CN202111593357.1有效
  • 张凯;渐南南;郭睿 - 北京理工大学
  • 2021-12-23 - 2023-06-20 - C08J3/075
  • 本公开提供了一种自生长水凝胶的制备方法,包括:将乙烯单体溶于水中,得到均一、透明的乙烯单体水溶液;将自由引发剂加入乙烯单体水溶液中,基于密度和溶解度的差异,不经任何处理使自由引发剂与乙烯单体水溶液之间形成稳定的宏观界面,得到混合自生长体系;其中,自由引发剂为金属镓或液态金属镓铟合金;将混合自生长体系在恒温环境下培养,在宏观界面处进行水凝胶的自生长。本公开成功在界面处首次实现了水凝胶的自生长,获得了自生长水凝胶材料。
  • 生长凝胶制备方法
  • [发明专利]准氮化铝和准氮化镓生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法-CN200410091050.1无效
  • 彭晖;彭一芳 - 金芃
  • 2004-11-17 - 2005-05-18 - H01L21/00
  • 本发明揭示大面积高质量高热导率的准氮化铝生长衬底和准氮化镓生长衬底及其在氮化铝陶瓷片上生长的技术和工艺。由此得到的生长衬底可以减小氮化镓外延层和生长衬底之间的晶格常数和热胀系数的差别,具有优良的热导率,可以应用于低成本的生长高质量大功率的半导体氮化镓发光二极管和铝镓氮-氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT该技术和工艺的一个具体实施实例:中间媒介层(包括铝和钛等)层叠在氮化铝陶瓷生长衬底上,中间媒介层的表面层氮化成为氮化层(包括氮化铝和氮化钛等),氮化铝外延层生长在氮化层上,氮化铝外延层和氮化铝陶瓷生长衬底构成准氮化铝生长衬底在氮化铝层上进一步生长氮化镓外延层,构成准氮化镓生长衬底。
  • 氮化生长衬底陶瓷方法
  • [发明专利]一种GaNLED的外延结构及其生长方法-CN201310232147.9无效
  • 罗绍军;艾常涛;靳彩霞;董志江 - 武汉迪源光电科技有限公司
  • 2013-06-09 - 2013-09-25 - H01L33/06
  • 本发明涉及一种GaNLED的外延结构及其生长方法。GaNLED的外延结构包括:步骤一,在蓝宝石衬底上依次生长GaN成核层、非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层;步骤二,在N型掺杂GaN层之上生长有源区MQW层,生长有源区MQW层时,生长量子阱时的反应室压力小于生长量子垒时的反应室压力,且生长量子阱前和生长完量子阱后各保持一设定时间的纯N2氛围,以及控制有源区MQW层中量子垒的生长厚度小于6nm;步骤三,在有源区MQW层之上再依次生长电子阻挡层、P型掺杂GaN层和接触层。本发明的GaNLED的外延结构,生长成本低,用该GaNLED的外延结构制成的GaNLED的发光效率高。
  • 一种ganled外延结构及其生长方法
  • [发明专利]纯氧化铁纳米颗粒的细胞生产-CN201910962115.1在审
  • 爱德华·阿尔方德里 - 纳米细菌公司
  • 2019-10-08 - 2020-04-10 - C12P3/00
  • 具体而言,本发明公开了一种使用纳米颗粒生产细胞制备高纯度氧化铁纳米颗粒的方法,包括:a)预生长阶段,包括在预生长和/或补料分批培养中扩增纳米颗粒生产细胞,以及b)生长阶段,包括在生长和/或补料分批培养中扩增来源于预生长阶段的纳米颗粒生产细胞,其中,预生长和/或生长和/或补料分批培养中每千克或每升预生长和/或生长和/或补料分批培养包含:i)不高于0.005克的酵母提取物,以及ii)不高于0.001克的选自由硼酸和次氮三乙酸组成的组中的
  • 氧化铁纳米颗粒细胞生产

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