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[发明专利]减少掉电后读错误几率的方法、装置、存储介质和终端-CN202110558998.7有效
发明人： 冯鹏亮;陈纬荣;陈慧;王明 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少掉电后读错误几率的方法、装置、存储介质和终端，在芯片执行擦除操作期间，若发生异常掉电时，芯片内部自动启动断电中断保护，结束芯片的擦除操作，并根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复；若出现快掉电，此时可能已经对部分需要执行过擦除修复的存储单元执行完过擦除修复，在重新上电时，虽然还是会有过擦除导致读数据出错的问题，但因为有部分存储单元已经执过擦除修复，所以因过擦除导致读数据出错的几率会有所下降；若出现慢掉电，这时可以对芯片内需要执行过擦除修复的全部存储单元都执行完过擦除修复，在重新上电时，即可避免因过擦除造成的读数据错误的问题。
减少掉电错误几率方法装置存储介质终端

[发明专利]一种基准电流产生电路、方法、电子设备及测试工装-CN202110736049.3有效
发明人：陈纬荣;冯博;冯鹏亮;陈慧 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基准电流产生电路、方法、电子设备及测试工装，其中，电路包括：带转换开关的预充电电路、以若干第一存储单元调节输出电流的基准电流生成电路、带转换开关的比较电路、基准电流读取电路，所述预充电电路可通过基准电压信号调节基准电流生成电路中第一存储单元的阈值电压以改变初始基准电流信号而调节最终基准电流信号；该基准电流产生电路产生的最终基准电流信号是基于第一存储单元调节产生的，相比传统基于基准电压和电阻产生的基准电流，本申请实施例解决了利用基准电压和电阻产生的基准电流无法很好地精确匹配于目标存储单元因制程/电压/温度的浮动影响而输出的电流使用，导致读取操作精度不准确的问题。
一种基准电流产生电路方法电子设备测试工装

[发明专利]一种闪存的校验修复方法、装置和电子设备-CN202110734953.0有效
发明人：陈纬荣;冯鹏亮;陈慧;王明;于文贤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存的校验修复方法、装置和电子设备，本发明的闪存的校验修复方法在一次的擦除操作后，对X地址译码器选中的字线沿着X方向按照一定宽度跳跃和Y地址译码器选中的位线组沿着Y方向按照一定宽度跳跃以完成单次循环校验，在下一次的擦除操作后，位线组沿着Y方向、字线沿着X方向移位以重复下一个单次循环电压校验。该校验修复方法能缩短单次校验修复的时间及单次擦除操作的时间，降低了意外掉电的概率，进而减小没有被修复的被干扰的存储单元的残留率。
一种闪存校验修复方法装置电子设备

[发明专利]非易失性存储器的编程方法以及存储装置-CN202211280334.X在审
发明人： 冯鹏亮 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请提供一种非易失性存储器的编程方法，包括：在与编程电压对应的多个编程周期中，对多个存储单元进行编程，其中，在每个编程周期中，对多个存储单元进行编程包括：基于与当前编程周期对应的编程电压确定单次选通的存储单元的个数；以及以所确定的个数和所述对应的编程电压分批对所述多个存储单元进行编程。
非易失性存储器编程方法以及存储装置

[发明专利]一种电荷泵放电方法、电路、系统、电子设备及存储介质-CN202110719871.9有效
发明人：冯博;陈纬荣;陈慧;冯鹏亮;韩志永 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷泵放电方法、电路、系统、电子设备及存储介质，其中方法包括以下步骤：根据电压值低于输出电压的目标低电压配置目标电压信号、放电信号；根据目标电压信号关闭时钟使能，进而关闭电荷泵充电；根据放电信号对电荷泵进行放电，同时比较电荷泵的输出电压和目标电压；当输出电压放电至与目标电压时，结束电荷泵放电，并同时启动时钟使能打开电荷泵进入正常工作状态；该方法通过实时比对输出电压和目标电压，使得输出电压下降至目标电压时，可及时打开时钟使能和关闭电荷泵放电，使得电荷泵的输出电压直接稳定在目标电压值进行输出，可免去了电荷泵再次供电拉高电压的环节，提高资源利用率和输出电压调节的效率。
一种电荷放电方法电路系统电子设备存储介质

[实用新型]一种FLash-CN202121342192.6有效
发明人： 冯鹏亮;陈纬荣;陈慧;王明 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种FLash，包括：用于相互配合实现算法状态机功能的ROM/内嵌FLash和MCU，所述MCU与所述ROM/内嵌FLash连接，所述ROM/内嵌FLash用于存储编程和擦除算法，所述MCU用于执行所述编程和擦除算法；当使用的是MCU搭配ROM的架构时，发生改版时只需要改动ROM的金属层即可，不需要改动扩散层(扩散层的成本一般比金属层高一个数量级)，因此降低了陈本；当使用的是MCU搭配内嵌Flash的架构时，发生改版时，只要重新通过对指令空间擦除和编程，不需要对光掩模改版，节省了成本。
一种 flash

[发明专利]记录是否有擦除时掉电的方法、装置、存储介质和终端-CN202011141943.8有效
发明人： 冯鹏亮;陈纬荣;陈慧;王文静 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种记录是否有擦除时掉电的方法、装置、存储介质和终端，对需要进行擦除的区块进行擦除处理，对进行擦除处理后的区块进行过擦除修复，对进行过擦除修复后的区块内的掉电标志单元进行编程处理；通过在常规擦出流程结束后增加对掉电标志单元的检测，以此来记录这次擦除操作的完整性有效性，解决了用户无法定位掉电的区块时需要进行全芯片擦除的问题，使用户能够知晓掉电的发生；只需要检测掉电检测单元的特定内容来判断是否需要执行过擦除修复，系统无需遍历所有的位线上的单元，极大地节省了擦除流程时间。
记录是否擦除掉电方法装置存储介质终端

[发明专利]一种闪存结构、擦除方法、装置和电子设备-CN202110737359.7在审
发明人：陈纬荣;黄建;冯鹏亮;陈慧 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存结构、擦除方法、装置和电子设备，本发明提供的一种闪存结构，该闪存结构在相邻两个存储块共用P型阱区的接触孔，弃用了深N型接触孔，缩短了绝缘距离，减小了芯片的面积。本发明还提供的一种闪存擦除方法，通过对需要擦除的存储块对应的字线施加的电压为‑10V，对不需要擦除的存储块对应的字线施加的电压和P型阱区一致，使得不需要擦除的存储块对应的字线对P型阱区不存在寄生电容，进而减少总电容的大小，提高电压的爬升速度，提高了擦除速度和效率。
一种闪存结构擦除方法装置电子设备

[发明专利]一种非易失型存储器擦除方法、装置、存储介质和终端-CN202110607474.2在审
发明人：陈纬荣;冯鹏亮;陈慧;王明 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失型存储器擦除方法、装置、存储介质和终端，在NOR FLASH进行擦除操作初始阶段，对进行擦除操作flash cell施加第一衬底正高压爬升值进行擦除操作，对与该flash cell对应位线施加第一过擦除检测电压进行过擦除检测，flash cell的Vt不低于0V，第一过擦除检测电压采用粗衬底正高压台阶，这就解决传统NOR flash因为要避免过擦除而牺牲擦除操出速度性能的问题；当检测到出现过擦除的flash cell，将flash cell衬底正高压爬升值变成细衬底正高压爬升值，对应位线过擦除检测电压也随之降低，在降低过擦除发生概率的同时保证字线电荷泵的面积能大幅度减小。
一种非易失型存储器擦除方法装置存储介质终端

[发明专利]一种闪存擦除方法、扇区选择电路、装置和电子设备-CN202110737198.1在审
发明人：陈纬荣;冯鹏亮;陈慧;王明 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存擦除方法、扇区选择电路、装置和电子设备，本发明的擦除方法在整个块擦除后，依次对扇区进行擦除校验，将通过了擦除校验的sector不再被sector DEC选中，将没有通过擦除校验的sector由sector DEC继续选中，并使不被选中的sector压差小于擦除电压，不能被擦除，使被选中的sector的压差大于擦除电压，再次被擦除。该擦写方法避免了传统方式因为擦除速度不一致（特别是有无反复擦写）带来的过擦除的后果，大大减少了所需的过擦除检测和修复动作，大大提高了block擦除的性能和效率。
一种闪存擦除方法扇区选择电路装置电子设备

[发明专利]防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端-CN202110558999.1在审
发明人： 冯鹏亮;陈纬荣;陈慧;王明 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端，在接收到擦除暂停指令时，立即响应擦除暂停指令中断擦除指令退出，满足指令响应的时间要求，在响应擦除中断的同时启动负电荷泵；在擦除暂停期间如果接收到读操作指令，通过负电荷泵对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，通过正电荷泵对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压，这样不但可以避免由于过擦除单元的存在导致读数据出错的问题，还可以保证读指令的响应时间要求。
防止擦除造成错误方法装置存储介质终端

[发明专利]一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端-CN202110672500.X在审
发明人：王明;冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端，先将施加到地址线的电压切换到低压，然后遍历所有需要编程的数据的验证，验证完毕后找到flash内需要编程的地址，再将施加到地址线的电压切换到高压，对flash内需要编程的地址执行编程操作；虽然在对flash内需要编程的不同地址执行编程操作时，也需要在不同的地址间进行切换，还是会存在地址线的升压和降压导致的循环充放电过程，但是对于flash内不需要编程的地址则不再需要进行电压的升降切换，从而提高了编程的效率，在需要编程的数据的量足够大时，编程效率的提高效果非常明显。
一种提高闪存编程效率方法装置存储介质终端

[发明专利]一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端-CN202110672609.3在审
发明人：王明;冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端，每次读取至少一个锁存器内缓存编程数据，将芯片内与编程数据对应的地址中需要编程的数据位数与编程带宽比较，若小于编程带宽，将对芯片内对应的地址执行一次编程，而不管这些缓存数据中需要编程的地址的分布是集中还是分散，极大缩短整个编程时间，提升编程效率的效果明显；若大于编程带宽，则将编程数据按照编程带宽分成多段，根据分段逐一对芯片内对应的地址执行编程；因为芯片的编程能力只是受限于每次执行编程时实际需要编程的数据位数而不是每次执行编程时跨越的数据位数，只要每次执行编程时实际需要编程地址的位数在编程带宽内即可，既保证芯片编程正常进行，还提高编程效率。
一种提高编程效率方法装置存储介质终端

[发明专利]一种低面积高电流效率的电荷泵电路及非易失型存储器-CN202110607482.7在审
发明人：陈纬荣;黄建;冯鹏亮;陈慧 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种低面积高电流效率的电荷泵电路及非易失型存储器，包括至少一级电荷泵，电荷泵的充放电电容的单位面积电容值大于高压栅极氧化层电容的单位面积电容值；本技术方案中，在满足电荷泵的充放电电容的耐压值大于电荷泵的充放电电容的上下极板电压差的前提下，电荷泵的充放电电容可以根据需要采用低压栅极氧化层电容、低压栅极氧化层电容和MOM电容并联形成、PIP电容、PIP电容和MOM电容并联形成、高压栅极氧化层电容和MOM电容并联形成的任一种，在不增加芯片版图面积的基础上，提高电荷泵的充放电电容的单位面积电容值，进而提高电荷泵的电流效率。
一种面积电流效率电荷电路非易失型存储器

[发明专利]非易失型闪存降低读电流的方法、电路、存储介质和终端-CN202011279293.3有效
发明人： 冯鹏亮;陈维荣;陈慧;王文静 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失型闪存降低读电流的方法、电路、存储介质和终端，接收NOR FLASH进行读操作的指令并判断NOR FLASH是否进入读操作状态，根据判断结果得出控制指令；根据所述控制指令控制是否关断SPI接口模块中与读操作不相关的模块的输入信号；通过对SPI接口模块进行有针对性的功能划分，将数据输出逻辑划分在一个子模块内，此模块的时钟和数据流正常工作；而其他子模块的电路由于并不参与读操作的过程，则将其输入信号做逻辑控制门处理，这些模块的输入信号将会被完全关断，这样就会完全消除了这几个模块的动态电流，也就降低了整个芯片在读操作状态下的总电流。
非易失型闪存降低电流方法电路存储介质终端

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