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[发明专利]载置台、基片处理装置、边缘环和边缘环的输送方法-CN201980055656.4在审
发明人：佐佐木康晴;内田阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其包括：静电吸附上述基片的静电吸盘；配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环；固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环；使上述第一边缘环升降的升降销；配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和配置在上述静电吸盘的与上述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。
载置台处理装置边缘输送方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN202010384849.9在审
发明人：谷川雄洋;山边周平;内田阳平;佐佐木康晴 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、壁部件、隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且露出于腔室的外侧的空间。隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件搭载在隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着隔热部件支承接地部件。接地部件与隔热部件的球状面接触，且搭载在该球状面上。根据本发明，能够抑制腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。
等离子体处理装置

[外观设计]聚焦环-CN201930258942.3有效
发明人：佐佐木康晴;内田阳平;阿部晃;氏家智也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： 08-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：聚焦环。2.本外观设计产品的用途：本产品用于将在腔室内生成的等离子体的分布从半导体晶片面上扩展至本产品上。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
聚焦

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台-CN201911365022.7在审
发明人： 内田阳平;广瀬润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置的载置台，其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外，环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔，设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部，和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧，而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。根据本发明，能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。
等离子体处理装置载置台

[发明专利]供电构造和等离子体处理装置-CN201911273973.1在审
发明人：佐佐木康晴;内田阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使等离子体的面内分布均匀化的供电构造和等离子体处理装置。供电构造具备第1连接构件组和第1端子区域。第1连接构件组由多个连接构件构成，该多个连接构件以对配置于等离子体处理装置用的处理容器内的聚焦环施加偏置电位的方式沿着聚焦环的周向配置。第1端子区域为环状，该第1端子区域与多个连接构件电连接。
供电构造等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201911220416.3在审
发明人：塚原利也;山边周平;谷地晃汰;佐藤徹治;内田阳平;铃木步太;田村洋典;花冈秀敏;佐佐木淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。内侧上部电极配置于下部电极的正对面。外侧上部电极以与内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于该内侧上部电极的径向外侧。第一高频供电部将用于生成处理气体的等离子体的第一高频施加于下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极。第一直流供电部对外侧上部电极施加可变的第一直流电压。外侧上部电极的在处理空间中露出的面的至少一部分处于比内侧上部电极的在处理空间中露出的面靠上方的位置。
等离子体处理装置方法

[发明专利]基片支承器、等离子体处理装置和聚焦环-CN201911081919.7在审
发明人：佐佐木康晴;内田阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基片支承器，其包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。基片支承器具有导电结构和保持件。导电结构包括导电路径和连接部件。导电路径在第2支承区域的径向上的外侧提供端子区域，并从该端子区域向下方延伸。连接部件将聚焦环与端子区域彼此电连接。连接部件以面向聚焦环的在该连接部件的径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在端子区域上。保持件以向下方按压连接部件，并且使连接部件按压聚焦环的面的方式保持该连接部件。由此，基片支承器能够在抑制对保持聚焦环的静电引力进行抵抗的力的产生的同时提供可与聚焦环连接的电气通路。
支承等离子体处理装置聚焦

[发明专利]静电卡盘、聚焦环、支撑台、等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN201980004301.2在审
发明人：佐佐木康晴;松山升一郎;内田阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的一例示性实施方式所涉及的静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚焦环。第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。第1区域和第2区域在其之间提供将第1上表面与第2上表面彼此分开的空间。
静电卡盘聚焦支撑等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201910860702.X在审
发明人： 内田阳平;佐藤徹治;矢幡将二郎;高瀬均 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01J37/24 文献下载
摘要：本公开提供一种抑制由于上部电极的消耗引起上部电极与冷却板之间的密合性下降的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具有：冷却板，其具有用于固定上部电极的固定面，在固定面设置有通过与施加电压相应的吸附力来吸附上部电极的静电卡盘；电源部，其对静电卡盘施加电压；以及电源控制部，其控制电源部以使施加于静电卡盘的电压的绝对值与上部电极的消耗程度相应地增大。
等离子体处理装置方法

[外观设计]聚焦环-CN201930258175.6有效
发明人：佐佐木康晴;内田阳平;高山将歩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： 08-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：聚焦环。;2.本外观设计产品的用途：本产品用于将在腔室内生成的等离子体的分布从半导体晶片面上扩展至本产品上。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
聚焦环

[发明专利]被处理体的载置装置和处理装置-CN201910161642.2在审
发明人： 内田阳平;须川直树;阿部克史;肥田刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种被处理体的载置装置，具有使边缘环与载置台稳定地接触的结构。该载置装置包括：在处理容器的内部载置被处理体的载置台；边缘环，其在上述被处理体的外周部载置在上述载置台，形成有卡止部；导电性的连接部，其通过上述卡止部与上述边缘环连接；和第一接触部，其在使上述边缘环与该连接部连接的状态下使上述边缘环与上述载置台接触。
边缘环被处理体载置装置卡止部载置台载置导电性处理容器处理装置外周部

[发明专利]气体供给装置和基板处理装置-CN201380019330.9有效
发明人： 内田阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能够使等离子体在处理空间中更均匀地分布的气体供给装置。从处理气体供给源和附加气体供给源向处理空间(S)供给处理气体和附加气体的喷头(13)(气体供给装置)包括：多个气体分配板(28～31)、冷却板(32)和盖板(33)，将气体分配板(28～31)、冷却板(32)和盖板(33)层叠，在最下层的气体分配板(28)上形成周缘气体扩散室(35)和最外气体扩散室(36)，在各个气体分配板(28～31)上至少形成一个从处理气体供给源和附加气体供给源向周缘气体扩散室(35)和最外气体扩散室(36)的任意一个供给处理气体和附加气体的气体供给路径(52)(53、54或55)，例如，气体分配板(31)的气体供给路径(52)分支成多个分支路径(52b～52e)，从处理气体供给源至各个分支路径(52b～52e)的前端为止的距离相同。
气体供给装置处理

[发明专利]薄膜制造方法和薄膜制造装置-CN201180045070.3有效
发明人：增田健;出野琢也;梶沼雅彦;小田岛畅洋;内田阳平;邹弘纲 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：为了提供一种能够以节省资源及低成本制造再现性良好的薄膜的薄膜制造方法及薄膜制造装置，向腔室51内输送虚拟基板S2，并向虚拟基板S2供给虚拟处理用气体，向腔室51内输送产品基板S3，并向产品基板S3供给与虚拟处理用气体不同的、含有用于利用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法制造薄膜的金属原料的原料气体。作为虚拟处理用气体不使用原料气体，因此能够抑制各金属原料的消耗量，并能够以节省资源及低成本制造再现性良好的薄膜。
薄膜制造方法装置

[发明专利]薄膜制造方法和薄膜制造装置-CN201180045068.6无效
发明人：增田健;梶沼雅彦;出野琢也;小田岛畅洋;内田阳平;邹弘纲 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够制造表面粗糙度小的电介质薄膜的薄膜制造方法以及薄膜制造装置。本发明所涉及的薄膜制造方法包括：将混合气体供给到腔室(51)内的加热的基板S，所述混合气体包括作为具有钙钛矿型结晶的电介质薄膜的原料的金属原料气体和与所述金属原料气体反应的氧化气体；停止向所述基板S供给所述金属原料气体；所述金属原料气体的供给停止后，限制向所述基板S供给所述氧化气体。
薄膜制造方法装置

[发明专利]流体控制装置-CN200980157836.X有效
发明人：广濑润;手塚一幸;内田阳平;小艾睦典;松田隆博;土肥亮介;西野功二;池田信一 -专利权人：东京毅力科创株式会社;株式会社富士金
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G05D7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种流体控制装置，能够减少成本，并且能够实现空间的减少。流体控制装置(1)具有流体控制部(2)和流体导入部(3)。流体导入部(3)被分成三部分，包括：配置在入口侧且分别由2×N/2个开闭阀(23)构成的第一以及第二入口侧阻断开放部(5、6)；由4×M个开闭阀(23)构成且配置在第一以及第二入口侧阻断开放部(5、6)和流体控制部(2)之间的流体控制部侧阻断开放部(7)。
流体控制装置

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