“余学功”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果80个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚-CN201810688397.6在审
发明人： 余学功;胡泽晨;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面沉积有Al₂O₃薄膜的太阳能级单晶硅片。通过本发明提供的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18％～18.5％。
准单晶硅铸锭阻挡层坩埚硅片氧化铝薄膜少子寿命太阳能级单晶硅片氮化硅涂层底座内表面表面沉积转换效率准单晶薄膜切割电池铸造

[发明专利]一种使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚-CN201810687268.5在审
发明人： 余学功;胡泽晨;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面通过热氧化法生长有SiO₂薄膜的太阳能级单晶硅基片。通过本发明提供的使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约4mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18％～18.5％。
准单晶硅阻挡层铸锭坩埚二氧化硅薄膜硅片少子寿命太阳能级单晶硅氮化硅涂层底座内表面热氧化法转换效率准单晶切割电池铸造生长

[发明专利]一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚-CN201810688398.0在审
发明人： 余学功;胡泽晨;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C30B13/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面通过等离子体增强化学气相沉积法沉积有Si₃N₄薄膜的太阳能级单晶硅基片。通过本发明提供的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18～18.5％。
准单晶硅阻挡层铸锭坩埚氮化硅薄膜硅片少子寿命等离子体增强化学气相沉积法太阳能级单晶硅氮化硅涂层底座内表面转换效率准单晶薄膜沉积切割电池铸造

[发明专利]基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底及其制备方法-CN201711383711.1在审
发明人：杨萍;董鹏;余学功;宋宇;李沫;代刚;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底及其制备方法：该衬底材料包括靠近表面的无氧沉淀洁净区和洁净区下方的氧沉淀区，作为位移辐照诱生空位与间隙硅的复合中心，从而有效地抑制位移辐照损伤；该方法是对硅衬底材料进行快速热处理和低温、高温退火处理进行制备。本发明中的氧沉淀区作为位移辐照诱生空位与间隙硅的复合中心，能减小辐照过程中所产生的大量间隙原子、空位等缺陷，从而大幅度降低材料体内缺陷密度，防止间隙原子、空位等的聚集形成原子团簇、空洞等，大大降低了材料的肿胀、硬化、非晶化等辐照损伤。另外，氧沉淀还可有效地吸除硅衬底材料表面的金属杂质，有利于提高集成电路的成品率。
氧沉淀辐照损伤空位制备硅衬底材料辐照复合中心间隙原子硅衬底间隙硅洁净区有效地直拉快速热处理衬底材料辐照过程高温退火金属杂质体内缺陷原子团簇成品率非晶化肿胀减小无氧吸除集成电路沉淀硬化空洞

[发明专利]一种基于位错减少辐照损伤的方法-CN201711383705.6在审
发明人：杨萍;董鹏;宋宇;余学功;李沫;代刚;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于位错减少辐照损伤的方法，该方法主要是通过对所述硅材料及器件进行质子、中子和γ射线等高能粒子注入，并进行退火操作，可以实现引入密度与位置可控的位错作为复合中心来减少辐照损伤的目的。本发明实现了在硅材料及器件指定位置引入位错，能够控制位错密度和位错区域；通过辐照高能粒子在硅材料及器件中引入位错形成缺陷，如同复合中心，使载流子的寿命减小，这样在辐照过程中所产生的大量电子‑空穴对会被复合中心所复合，使得空穴陷阱所俘获的空穴数量大大减小；此外，高能粒子对于引入的位错，与现有方式相比，不仅对硅材料及器件的电中性特性不会产生影响，还减少了硅材料及器件的辐照损伤。
一种基于减少辐照损伤方法

[发明专利]一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法及其产品-CN201510010189.7有效
发明人： 余学功;沈鑫磊;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法，以氧化铝为模板，结合金属辅助化学蚀刻法制备硅纳米线，800～1000℃下，经热氧化处理60～800min，在硅纳米线表面生成氧化硅，再浸泡氢氟酸溶液至氧化硅去除完全；将处理后的硅纳米线浸泡在四甲基氢氧化铵水溶液中，取出后，在表面旋涂导电有机物，再经热处理得到成结硅纳米线；再分别在成结硅纳米线正面和背面沉积银、铝作为电极，得到所述的导电有机物/硅纳米线太阳能电池。本发明提供了一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法，制备得到排列有序且直径可控的硅纳米线，进而制备电池效率显著提高的导电有机物/硅纳米线太阳能电池。
一种导电有机物纳米太阳能电池制备方法及其产品

[发明专利]一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法-CN201410388836.3有效
发明人： 余学功;陈鹏;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，包括以下步骤(1)分别选取一系列p型和n型的电子级单晶硅作为标准样品，室温下并分别测量其电阻率和红外吸收系数，并根据其电阻率换算成对应的载流子浓度；(2)根据步骤(1)的测量结果，分别建立p型和n型单晶硅的αλ/λ2与ρp2的标准曲线，其中αλ为波长为λ下所述标准样品的红外吸收系数，p与ρ分别为对应的载流子浓度和电阻率；(3)测定太阳能级单晶硅待测样品的导电类型，并在室温下分别测量其电阻率和红外吸收系数，根据步骤(2)中对应的标准曲线得出载流子浓度。本方法简便快捷、精确度高、测试成本低，尤其适用于基体内存在补偿效应的太阳能级单晶硅。
一种太阳能级单晶硅载流子浓度测量方法

[发明专利]一种晶向小晶粒铸造多晶硅的制备方法-CN201710120924.9在审
发明人：杨德仁;祝洪良;余学功 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种<100>晶向小晶粒铸造多晶硅的制备方法，包括如下步骤：1)将<100>晶向的碎单晶硅片平铺在反应器底部，形成籽晶层；继续将硅原料与掺杂元素置于籽晶层上；2)加热反应器使籽晶层上的硅原料与掺杂元素完全熔化，而籽晶层不被完全熔化；3)热交换从反应器底部开始，使<100>晶向的碎单晶硅片作为籽晶，诱导晶体生长，通过定向凝固形成多晶硅。该方法不但得到了低位错密度的小晶粒铸造多晶硅，而且铸锭的晶粒取向统一为<100>晶向，解决了高效铸造多晶硅无法使用碱腐蚀制绒的技术难题。
一种晶粒铸造多晶制备方法

[发明专利]一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法及其产品和应用-CN201410351677.X有效
发明人： 余学功;杨黎飞;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法，包括以下步骤：首先对N型硅片表面进行亲水处理，再通过旋涂或层层自组装的方法在亲水处理后的N型硅片表面制备厚度可控的超薄氧化石墨烯薄膜，最后经热处理得到钝化后的硅片。本发明还公开了制备得到的钝化后的硅片在太阳能电池，尤其是在硅-石墨烯原型电池中的应用。本发明提供了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法，通过溶液法在硅片表面形成氧化石墨烯超薄(＜3nm)钝化薄膜，该薄膜可以较好地钝化硅的表面，并且允许载流子自由遂穿，将其应用在硅-石墨烯原型电池上，可以明显提高电池的转换效率。
一种太阳能电池硅片表面钝化方法及其产品应用

[发明专利]一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料及其制备方法-CN201410351786.1有效
发明人：杨德仁;杨黎飞;赵妍;吕卿民;吴晓蕾;余学功 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，包括作为导电主体的镍包裹铜纳米颗粒和有机溶剂，所述导电主体的质量分数为70～90％；所述的镍包裹铜纳米颗粒中镍和铜的质量比为0.05～0.3:1。本发明提供了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，以镍包裹铜核壳结构纳米颗粒作为导电铜浆料的导电主体，所述的铜导电浆料在具备优良导电性的同时防止铜的氧化和扩散。所述铜导电浆料中还加入了铜锡低熔点导电合金，可以大幅降低铜浆料的烧结温度，从本质上抑制铜扩散进入硅电池对电池效率引起的不利影响，并且低温烧结也可使生产电池能耗降低。本发明还公开了所述的硅太阳电池栅极的铜导电浆料的制备方法。
一种用于太阳电池栅极导电浆料及其制备方法

[发明专利]一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品-CN201310754926.5无效
发明人： 余学功;原帅;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品，具体是先在坩埚内壁涂上一层高纯的氮化硅或氧化硅层，然后在坩埚底部中心放置一小块无位错单晶硅籽晶，再打开对应于单晶硅籽晶的坩埚底部冷却水或冷却气体对中心的单晶硅籽晶进行冷却，通过热场控制温度梯度为5～30℃/cm，形成以单晶硅籽晶为中心的球冠型固液界面，最后逐步打开保温罩，再经降温冷却后形成全单晶化的铸造单晶硅。所述的制备方法减少了单晶硅籽晶的用量，大幅降低了单晶硅籽晶的制备和材料成本，同时通过改进热场控制有效减少边缘多晶硅区域、提高类单晶的比例；制备得到的铸造单晶硅的位错密度可以有效控制在10⁶/cm²以下。
一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造方法产品

[发明专利]一种α-烯烃制备航空燃油的方法-CN201310680364.4有效
发明人：朱萃汉;方士;余学功 -专利权人：杭州能源工程技术有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C10G67/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种α-烯烃制备航空燃油的方法，包括：（1）将α-烯烃加入到密封的反应器中，通入氢气，在压力10MPa以下，温度400℃以下，在催化剂作用下进行反应；（2）将步骤（1）得到的裂化产品进行气液分离：得到的液体经精馏后得到航空汽油、航空煤油和柴油组分，将得到的航空汽油组分和航空煤油组分作为航空燃油产品收集，将得到的柴油组分返回至步骤（1）中作为原料进行反应。本发明的α-烯烃制备航空燃油的方法采用α-烯烃为原料，在特殊催化剂的催化下，利用催化剂的专一性的选择性催化，制备得到合格的航空燃油，最后产生的柴油和干气部分均回收利用，全过程无废物排放，能源利用率高，投入成本低。
一种烯烃制备航空燃油方法

[发明专利]利用生物柴油制备α-烯烃的方法-CN201310680409.8有效
发明人：朱萃汉;方士;余学功 -专利权人：杭州能源工程技术有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C10G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用生物柴油制备α-烯烃的方法，包括：将生物柴油在靶向催化剂的催化下进行催化反应，制备得到α-烯烃；其中催化反应温度在400℃以下，催化反应是在压强在6MPa以下的氢气环境中进行；所述的靶向催化剂为负载型催化剂，该催化剂中活性组分包括锌、铜、锰、钴中的至少一种。本发明的利用生物柴油制备α-烯烃的方法，采用特定的靶向催化剂，将生物柴油直接催化得到α-烯烃，α-烯烃的选择性和产率均在98%以上，且反应条件温和，适于工业化生产。
利用生物柴油制备烯烃方法

[发明专利]提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法及得到的单晶硅-CN201210382987.9有效
发明人：杨德仁;陈鹏;余学功;吴轶超;陈仙子 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：(1)将多晶硅原料以及固体掺杂剂在氩气气氛下熔融，得到稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，晶体生长经缩颈、放肩过程，进入等径生长阶段；(3)在等径生长阶段，通入和所述固体掺杂剂导电类型相反的掺杂气体，直至直拉单晶硅生长完成。本发明提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法中掺杂气体的种类和用量方便控制，可以得到各种所需的杂质浓度分布；直拉硅单晶的利用率得到提高；显著改善了直拉单晶硅的电阻率均匀性。
提高单晶硅轴向电阻率均匀方法得到

[发明专利]制备亚微米级绒面结构单晶硅片的织构液及其制备方法-CN201210260235.5有效
发明人：韩延刚;吴琳琳;余学功;王栋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备亚微米级绒面结构单晶硅片的织构液及其制备方法，其组分包括无机碱，低级醇，阴离子或非离子型表面活性剂和余量的去离子水；其制法为：先将去离子水加入制绒槽中，在搅拌的条件下依次加入无机碱，低级醇，阴离子或非离子型表面活性剂，继续搅拌10~30分钟，使其充分溶解、混合；该织构液可在硅片表面形成均匀的、亚微米级的金字塔结构，且覆盖率高，织构效果优异，工艺简单，易于实现。
制备微米级绒面结构单晶硅织构液及其方法