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[发明专利]一种基于遗传算法的DCDC buck变换器离散滑模控制算法-CN202311059260.1有效
发明人：王明杰;魏敬和;于宗光;刘国柱;奚琦;高营 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明公开一种基于遗传算法的DCDC buck变换器离散滑模控制算法，属于电气自动化设备领域，包括以下步骤：（一）DC‑DC buck变换器电压跟踪误差系统的构建；（二）基于BP神经网络的离散滑模控制器设计；（三）基于遗传算法优化BP神经网络初始权重值以及阈值。本发明采用BP神经网络的输出作为离散滑模控制器切换部分的系数，有效克服了传统离散滑模控制切换部分的抖振；另外，针对BP神经网络容易出现局部最小化以及收敛速度慢的问题，本发明采用遗传算法对BP神经网络的初始权重值以及阈值进行全局优化，不仅能发挥BP神经网络泛化的映射能力，而且还使得BP神经网络具有较快的收敛性以及较强的学习能力。
一种基于遗传算法 dcdc buck 变换器离散控制

[发明专利]一种灵活配置片内扫描链的互连测试结构-CN202311198685.0在审
发明人：魏敬和;章震;殷誉嘉;于宗光;刘国柱;高营;何健;滕浩然 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/3185 文献下载
摘要：本发明涉及超大规模数字集成电路测试领域，具体涉及一种灵活配置片内扫描链的互连测试结构。包括：分段边界扫描链模块，将片内所有的扫描链按照互连对象进行划分；TAP控制器模块，用于根据JTAG输入信号，控制内部测试电路的动作；同时接入扫描链重定向控制模块，以生成扫描链重定向需要的控制使能信号；扫描链重定向控制模块，用于实现扫描链的灵活配置和旁路多余的扫描链；包括：配置寄存器链、双向互连测试控制模块和测试输出TDO控制逻辑。本发明解决互连测试扫描链含有无效段、无法同时进行双向互连测试以及多芯粒场景只能多次配置两两测试的问题。
一种灵活配置扫描互连测试结构

[发明专利]一种高可靠反熔丝开关单元结构-CN202310468698.9有效
发明人：李幸和;刘国柱;魏轶聃;刘佰清;于宗光;魏敬和 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开一种高可靠反熔丝开关单元结构，属于微电子领域，包括第一反熔丝器件、第二反熔丝器件、第一高压NMOS管、第二高压NMOS管、第三高压NMOS管、旁路二极管、信号传输NMOS管；通过所述第一反熔丝器件/所述第二反熔丝器件的编程形成开态，与第一高压NMOS管/第二高压NMOS管构成通路，实现编程电压VPP信号对信号传输NMOS管的栅极电位控制，进而实现信号传输NMOS管开/关态。本发明开关单元结构简单，兼容于CMOS工艺，具有良好高可靠和抗辐射特性，可应用于高可靠、抗辐射可编程逻辑器件和存储器。
一种可靠反熔丝开关单元结构

[发明专利]一种DC-DC buck变换器控制算法-CN202310622095.X在审
发明人：王明杰;魏敬和;于宗光;刘国柱;奚琦;高营 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种DC‑DCbuck变换器控制算法，属于电气自动化设备领域。本发明首先采用状态平均法构建DC‑DCbuck变换器的理想状态空间方程，然后考虑了变换器的参数不确定性和外部干扰，对变换器的状态空间方程进行修正，构建带非匹配扰动的误差系统；针对误差系统，采用非奇异快速Terminal滑模控制有效避免了奇异性的问题且保证了电压跟踪误差在有限时间内收敛到零，使用一种新型平滑饱和函数代替控制器中的符号函数，降低了系统的抖振现象；针对误差系统的综合不确定性导致电压跟踪控制精度降低的问题，本发明采用RBF神经网络逼近得到的扰动量实时反馈到控制器中，提高了系统的精度与抗干扰能力。
一种 dc buck 变换器控制算法

[发明专利]裸芯间高速扩展系统及其扩展方法-CN202110167305.1有效
发明人：魏敬和;黄乐天;于宗光;赵天津;鞠虎;冯敏刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明涉裸芯间高速扩展系统及其扩展方法。裸芯间高速扩展系统包括跨裸芯扩展同步器和与跨裸芯扩展同步器连接的直连通路，跨裸芯扩展同步器设置在裸芯上，裸芯之间通过跨裸芯扩展同步器和直连通路连接，所述跨裸芯扩展同步器用于控制数据传输，所述数据包括：时钟信号、复位信号、握手信号和数据信号，其中，所有信号都以差分形式成对出现。该系统通用性好、复杂度低、实现了互连裸芯的灵活扩展，进而构成更大的封装级网络，为后续的微系统集成奠定了基础。
裸芯间高速扩展系统及其方法

[发明专利]互联裸芯扩展微系统及其扩展方法-CN202110167149.9有效
发明人：魏敬和;黄乐天;于宗光;曹文旭;郑利华;丁涛杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明涉及互联裸芯扩展微系统及其扩展方法。互联裸芯扩展微系统包括：高速扩展总线、标准协议总线、横向单元和竖向单元；横向单元包括不少于两个且通过高速扩展总线连接的横向互联裸芯，以及通过标准协议总线与不少于一个的横向功能裸芯，多个横向功能裸芯之间并发运行；纵向单元包括通过扩展总线与横向互联裸芯连接的纵向互联裸芯，以及通过标准协议总线与纵向互联裸芯连接的纵向功能裸芯，纵向功能裸芯与横向功能裸芯之间主从运行。系统为多裸芯系统的裸芯扩展和系统搭建提供简明统一的方法标准，方便开发者依据不同的应用场景和功能需求快速实现系统架构的搭建与优化，开发效率高、开发成本低。
互联裸芯扩展系统及其方法

[发明专利]一种用于互联裸芯的分布式中断传输方法及其系统-CN202110159838.5有效
发明人： 于宗光;魏敬和;黄乐天;冯敏刚;孙晓冬;田青 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种中断请求的传输方法，尤其是一种用于互联裸芯的分布式中断传输方法及其系统。一种用于互联裸芯的分布式中断传输方法，将中断请求进行编码以数据包的形式通过网络进行传输，到达目的节点后通过分布式中断的方式给出中断信号。本发明提供的一种用于互联裸芯的分布式中断传输方法将中断请求以数据包的形式在网络中传输，到达目的节点后通过分布式中断的方式给出中断信号，可以减少布线资源的消耗，并且每个主设备可以根据所反馈的信息独立做出判断，并进行相应的异常处理，降低了不同传输事件之间的依赖。
一种用于互联裸芯分布式中断传输方法及其系统

[发明专利]一种抗辐射加固的SOI CMOS总剂量辐射性能评估方法-CN202010237857.0有效
发明人：吴建伟;洪根深;于宗光;顾祥;谢儒彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种抗辐射加固的SOI CMOS总剂量辐射性能评估方法，属于器件测试技术领域，方法包括：对于总剂量加固的SOI CMOS，漏极采用第一电压，源极、体极和前栅电极采用0V；将衬底subsrtate作为背栅，采用‑Vn～+Vn～‑Vn方向逐步扫描，获取正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线；获取总剂量辐射时，辐射前后的背栅的电流电压测试曲线；根据正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线，辐射前后的背栅的电流电压测试曲线以及预设对应关系，确定SOI CMOS的抗总剂量辐射性能。避免了现有技术中使用Co60伽马或者X‑Ray辐射试验时对所需器件进行封装，所需的费用和时间较多的问题。
一种辐射加固 soi cmos 剂量性能评估方法

[发明专利]提高常关型GaN HEMT阈值电压一致性的方法及器件结构-CN202011556397.4有效
发明人：赵伟;魏敬和;刘国柱;聂晓飞;魏应强;于宗光 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种提高常关型GaN HEMT阈值电压一致性的方法及器件结构，属于半导体器件及制造领域。提供Si衬底，在Si衬底的表面依次形成AlxGa1‑xN缓冲层、GaN沟道层、AlyGa1‑yN势垒层、AlzGa1‑zN中和层；刻蚀AlzGa1‑zN中和层，形成用于制作栅极的凹槽；在AlzGa1‑zN中和层的表面分别形成源极、栅极和漏极。AlzGa1‑zN中和层产生的极化电荷可以中和AlxGa1‑xN缓冲层产生的极化电荷，使常关型GaN HEMT器件的阈值电压对栅极下方区域的AlGaN厚度变化不敏感，从而提高常关型GaN HEMT器件阈值电压的一致性，降低了工艺流程中对于凹槽刻蚀深度控制的要求。
提高常关型 gan hemt 阈值电压一致性方法器件结构

[发明专利]一种面向封装级多处理器的混合地址编程方法-CN202110586042.8有效
发明人：魏敬和;黄乐天;于宗光;冯敏刚;王淑芬;鞠虎;高营;顾林;郑利华;刘国柱 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及多裸芯集成领域，具体涉及一种面向封装级多处理器的混合地址编程方法，采用“全局共享+私有地址”的多层级混合式寻址方式，对系统地址空间进行多层级划分，实现了多层级不同范围的共享，同时使系统的结构层次更加丰富，方便不同范围的线程同步，增加了编程的灵活性。通过共享存储地址空间分配增加了数据访问的灵活性，降低了访存延迟，提高了通信效率和系统性能。
一种面向封装处理器混合地址编程方法

[发明专利]具有源场板的分裂栅SiC VDMOS器件的制备方法及结构-CN202011555164.2有效
发明人：赵伟;魏敬和;刘国柱;聂晓飞;魏应强;于宗光 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种具有源场板的分裂栅SiC VDMOS器件的制备方法及结构，属于半导体器件及制造领域。提供N+SiC衬底，在其表面形成N‑SiC外延层；在N‑SiC外延层中依次形成P阱区、N+区和P+区；通过高温氧化在表面形成栅氧化层，并在栅氧化层上沉积金属或多晶硅，刻蚀形成栅极；淀积SiO2，刻蚀形成栅源隔离介质；刻蚀栅源隔离介质的顶部形成用于制作源场板的凹槽；沉积金属，形成源极和源场板；采用Ni金属溅射工艺在N+SiC衬底底部沉积金属，形成漏极。本发明既能降低栅漏电容，改善器件的性能，又能降低栅氧化层中的电场峰值，从而保证分裂栅氧化层具有和传统平面栅SiC VDMOS器件栅氧化层同样的可靠性。
有源分裂 sic vdmos 器件制备方法结构

[发明专利]互联裸芯接口管理系统及其初始化方法-CN202110159840.2有效
发明人：魏敬和;黄乐天;于宗光;曹文旭;孙晓冬;刘国柱 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种裸芯接口管理，尤其是互联裸芯接口管理系统及其初始化方法。互联裸芯接口管理系统，包括：CMU系统、均与CMU系统连接的JTAG‑Die接口和配置网络；CMU系统包括CMU处理器和与CMU处理器连接的Flash，Flash用于存放CMU系统的软件代码；JTAG‑Die接口用于控制CMU程序启动；配置网络一端以外设的形式与CMU处理器连接，另一端通过独立总线连接到每一个待配置接口；CMU处理器用于执行其配置程序时将配置数据通过配置网络和独立总线传输至每个待配置接口的功能寄存器中，以实现对接口地址转换表的配置。该系统使用处理器来实现系统初始化配置，将对接口的硬件配置转换为软件编程，降低了设计难度、简化了开发流程、增强了配置灵活性，有利于提升系统搭建速度。
互联裸芯接口管理系统及其初始化方法

[发明专利]互联裸芯与DSP/FPGA的通信方法及其通信系统-CN202110160531.7有效
发明人：魏敬和;黄乐天;于宗光;曹文旭;丁涛杰;刘国柱 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本发明涉及互联裸芯与DSP/FPGA的通信方法及其通信系统。互联裸芯与DSP/FPGA的通信方法，包括多个数据接口，每个所述数据接口均设有不同的协议转换模块，所述数据接口通信时包括数据输入转换和数据输出转换；所述数据输入转换时，DSP/FPGA的外部数据经过协议转换模块转换成统一的数据协议格式传递至互联裸芯内部的裸芯级网络进行数据的统一传输；所述数据输出转换时，互联裸芯内部的内部数据根据数据自身的数据性质被协议转换模块转换成不同的数据协议格式进入不同的数据接口传输至DSP/FPGA。该方法通过将外部数据与内部数据相互转换使得每个设备和器件都能以任意的形态接入多裸芯系统中，提升了系统的灵活性，有利于系统的灵活组装、快速定义和快速实现。
互联裸芯 dsp fpga 通信方法及其系统

[发明专利]一种浮栅型FLASH突触器件结构及其制备方法-CN202010751228.X有效
发明人：刘国柱;魏敬和;于宗光;宋思德;曹利超;赵伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/1156 文献下载
摘要：本发明公开一种浮栅型FLASH突触器件结构及其制备方法，属于微电子集成电路技术领域。浮栅型FLASH突触器件单元包括2个共浮栅且共控制栅的FLASH管：1个pFLASH管T1和1个nFLASH管T2；所述pFLASH管T1和所述nFLASH管T2通过共栅方式控制pFLASH管T1和nFLASH管T2多种存储信息状态，以建立T1和T2的STDP学习函数，实现该FLASH突触器件的LTD与LTP基本功能。本发明基于共浮栅和共享电荷技术实现了浮栅电荷量对沟道电阻改变，进而可以转化为编程时间脉冲与导通电阻或读取电流之间的权重关系，实现突触器件的LTP和LTD功能。该器件具有低功耗、编程时间短、多电阻分布区的特点，结构工艺兼容于CMOS，步骤简单，安全可靠，在人工神经网络应用方面有着广泛的应用前景。
一种浮栅型 flash 突触器件结构及其制备方法

[发明专利]一种高频时钟扇出器-CN201811434033.1有效
发明人：蒋颖丹;刘雪莲;于宗光;张沁枫;吴舒桐;王祖锦 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06F30/396 文献下载
摘要：本发明公开一种高频时钟扇出器，属于时钟电路技术领域。所述高频时钟扇出器包括输入选择模块、放大模块、扇出模块和多个输出驱动模块。所述输入选择模块选择输入时钟通道；所述放大模块用于恢复放大差分时钟信号；所述扇出模块将一路差分时钟信号分配到多路时钟通道；所述多个输出驱动模块分别将多路时钟信号转变成LVPECL电平输出，提高时钟驱动带载能力。本发明的高频时钟扇出器具有多路选择输入、多路驱动输出功能，可以提高时钟选择和分配的灵活度，实现低噪声、高频时钟扇出，满足多通道高速高精度数据转换等系统对时钟性能的严格要求。
一种高频时钟扇出器

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