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[发明专利]一种用于FPGA配置的PROM电路架构-CN201210148171.X有效
发明人：陈雷;蒋玉东;刘增荣;陈煜;郭晨光;周涛;李学武;张彦龙;孙华波;倪俊达 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明介绍了一种用于FPGA配置的PROM电路架构，采用模块化设计，通过增加特定功能的外围电路，将FLASH存储器设计为可存储FPGA配置数据，并且可适应FPGA不同配置模式需求的PROM电路，最终能够完成边界扫描模式、串行模式或者并行模式下FPGA的独立配置。采用此电路架构的PROM可以通过级联的方式进行容量扩充，并且兼容IEEE 1149.1及IEEE1532边界扫描标准，这极大提升了面向FPGA应用的灵活性。
一种用于 fpga 配置 prom 电路架构

[发明专利]一种MEMS加速度计及制造方法-CN201210176690.7有效
发明人：张富强;杨静;孟美玉 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G01P15/00 文献下载
摘要：一种MEMS加速度计及制造方法，采用玻璃-硅-玻璃三层电容式结构，硅层包括第一硅岛和第二硅岛，其中第一硅岛与第一玻璃层的金属电极接触，第二硅岛与第二玻璃层的金属电极接触；第一玻璃层还包括在第一玻璃基底上形成的第一金属电极引出通孔、第二金属电极引出通孔和硅层电极引出通孔；所述第一金属电极引出通孔与第一硅岛的位置相对应，所述第二金属电极引出通孔与第二硅岛的位置相对应，在第一硅岛和第二硅岛上分别形成金属焊点；在硅框架与硅层电极引出通孔对应的位置上形成金属焊点。本发明能够将玻璃层的金属电极与硅层电极在同一面引出，解决了三个电极不在同一面引出的封装难题。
一种 mems 加速度计制造方法

[发明专利]一种电容式MEMS加速度计及制造方法-CN201210176681.8有效
发明人：杨静;张富强;孟美玉 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：一种电容式MEMS加速度计，包括依次设置的第一硅盖板层、中间硅层和第二硅盖板层，所述中间硅层包括第一硅岛和第二硅岛，所述硅岛形成在硅框架的内部，并与硅框架通过间隙间隔开；其中第一硅岛与第一硅盖板层金属电极接触，第二硅岛与第二硅盖板层金属电极接触；第一硅盖板层还包括在第一硅基底上形成的第一金属电极通孔、第二金属电极通孔和硅电极通孔，第一金属电极通孔与第一硅岛的位置相对应，第二金属电极通孔与第二硅岛的位置相对应；硅电极通孔与硅框架的位置相对应；每个通孔内壁有绝缘层，并充满金属导电材料。本发明能够将加速度计的所有电极在同一硅面引出，实现了加速度计的圆片级键合，并且可以采用倒装芯片技术进行封装。
一种电容 mems 加速度计制造方法

[发明专利]一种具有占空比稳定和相位校准的时钟电路-CN201210130920.6有效
发明人：何斌;王宗民;张铁良;蔡伟;杨松;虞坚;郭晨光;郭永恒 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H03K5/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有占空比稳定和相位校准的时钟电路，用于对时钟信号的占空比和相位进行调整，包括用于对时钟信号进行缓冲输出的时钟分布网络、占空比校正模块和相位校准模块。所述占空比校正模块将输入的差分信号转换成占空比固定的方波信号后输出到所述相位调整模块；所述相位调整模块利用所述时钟分布网络反馈的同相时钟信号和反向时钟信号对输入的所述方波信号的相位进行调整，产生与输入到时钟分布网络的时钟信号。采用本发明实现了对输出时钟信号的占空比稳定和相位校准。
一种具有稳定相位校准时钟电路

[发明专利]一种带腔体器件焊膏印刷的方法-CN201210171255.5有效
发明人：练滨浩;姚全斌;林鹏荣;黄颖卓 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种带腔体器件焊膏印刷的方法，通过制作与器件腔体相配合的网板凸台进行焊膏印刷，并配合升降基台采用大尺寸刮刀在网板凸台上表面移动的方式实现腔体底部图形焊膏的印刷，其中网板凸台是由带凸台的薄钢板与印刷网板拼接而成，对于带腔体器件的焊膏印刷，本发明方法可以有效避免刮刀在凸台底部直接进行焊膏印刷时印刷质量难以保证的问题，实现了带腔体器件底部金属图形精确印刷焊膏，操作简便，焊膏印刷质量高、印刷效率高，适用于批量带腔体器件的焊膏印刷。
一种带腔体器件印刷方法

[实用新型]一种集成电路的内包装装置-CN201120537597.5有效
发明人：于海平;曹玉生;姚全斌 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： B65D85/90 文献下载
摘要：一种集成电路的内包装装置，包括盒体、框架、横向滑块和定位片；盒体为四方形，框架镶嵌于盒体内侧底面的四周，框架的四边有沟槽；定位片两端有连接孔，连接孔位于框架长度方向的沟槽上，横向滑块位于所述连接孔的正下方且与定位片之间为可拆卸静连接；定位片上有两个一体化成型的限位凸台，限位凸台由直角形的水平台和两个竖直条组成，同一个定位片上两个直角形的水平台的夹角相对但不接触。定位片带动横向滑块在沟槽上滑动，依封装主体大小确定定位片之间的间距；间距确定后，定位片与横向滑块固定连接于框架上。在一个包装盒内实现了放置多个任意外尺寸电路的要求，同时避免了引脚、盖板的擦伤和引脚的变形，操作简便、成本低廉。
一种集成电路包装装置

[发明专利]一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法-CN201210036331.1有效
发明人：王成杰;王传敏;殷丽;冯幼明;刘军;姚全斌;郭晨光 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，包括：氧化、有源区及场限环光刻的步骤；掺杂与推进的步骤；多晶硅场板制作的步骤；铂扩散的步骤；减薄的步骤；形成N型缓冲层的步骤；接触掺杂和退火的步骤和金属化的步骤。采用本发明所述方法可以用来制造成本低、耐高压、漏电流小、正向压降小，恢复时间短且具有软恢复特性的超快恢复二极管芯片。
一种平面高压超快软恢复二极管制造方法

[发明专利]一种卫星导航信号的位同步方法-CN201110442069.6有效
发明人：吴雨航;孙永刚 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01S19/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种卫星导航信号的位同步方法，包括对接收的卫星导航信号进行判断选择进行强信号位同步处理或弱信号位同步处理的步骤；在强信号位同步处理步骤中，利用相关值符号串与预设符号串相比较实现位同步；在弱信号位同步处理步骤中，利用获得的卫星导航信号连续2ms内的相关累加值实现位同步。采用本发明所述方法可以能够自适应的调整位同步策略，在强信号条件下，能够进行快速的位同步保证启动时间，在弱信号条件下，保证了位同步的可靠性的同时缩短了位同步的时间。
一种卫星导航信号同步方法

[发明专利]一种应用于移动存储SOC芯片的仿真验证方法-CN201110459205.2有效
发明人：褚晓滨;宗宇;王莉;张志永;谷羽;宋晶峰;谢俊玲 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于移动存储SOC芯片的仿真验证方法。包括：建立存储器模块的步骤；建立兼容性产生机制的步骤；建立检测点的步骤和产生激励数据进行检测的步骤。采用本发明实现对移动存储SOC芯片的功能验证。
一种应用于移动存储 soc 芯片仿真验证方法

[发明专利]一种USB读卡控制器-CN201110459238.7有效
发明人：谢俊玲;宗宇;张志永;谷羽;宋晶峰;褚晓滨;王莉 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种USB读卡控制器，包括：数据缓冲区管理模块、实现设备的端点层的USB设备接口模块、对存储卡操作流程进行控制的存储卡接口模块、对数据进行读写控制的数据读写控制模块。采用本发明减小了USB读卡控制器的电路规模，并且提高了数据的传输速率。
一种 usb 控制器

[发明专利]一种亚微米多层金属电极的制作方法-CN201110364080.5有效
发明人：杨小兵;王传敏;刘军;孙金池;姚全斌 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种亚微米多层金属电极的制作方法，包括下列步骤：(1)采用蒸发或者溅射工艺形成Ti-W-Ti-Au四层金属电镀子层；(2)光刻出电极图形，然后电镀Au金属层，电镀完毕后去胶；(3)采用三步刻蚀Ti-W-Ti-Au四层金属电镀子层，第一步采用以惰性气体为主的离子束工艺将电镀子层最上面的Au层刻蚀掉，第二步以F基气体或者Cl基气体为主的等离子体工艺将Ti-W-Ti层大部分金属层刻蚀掉，第三步以CF4气体为主要刻蚀气体，采用等离子工艺进行过刻蚀，将残留的金属残渣刻蚀干净；(4)刻蚀后的电极再进行无氧气氛中退火，以修复电极刻蚀损伤。采用本发明的方法能够使得电极耐高温焊接，并能够减少刻蚀过程对器件的损伤。
一种微米多层金属电极制作方法

[发明专利]一种基于SPARC V8处理器的总线结构-CN201110350043.9有效
发明人：蔡一茂;兰利东;赵元富;王建永;周博远 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：一种基于SPARC V8处理器的总线结构，用于连接SPARC V8处理器和多个从设备；所述从设备是FPGA中的逻辑模块；所述总线结构包括一个用于连接SPARC V8处理器和多个从设备的总线桥；总线桥包括控制逻辑模块，地址译码模块，数据选择模块和数据通路。总线结构还包括多个接口模块，每个接口模块一端与总线桥相连，另一端与相应的从设备相连；每个接口模块的结构根据不同从设备的需要进行配置。本发明可以在很大程度上解决用户系统搭建上遇到的问题，提高开发速度，缩短系统的开发周期，可以满足不同用户在不同的方面的要求，极大的丰富系统的多样性。
一种基于 sparc v8 处理器总线结构

[发明专利]方形扁平封装外壳的切筋成型模具-CN201110319813.3有效
发明人：郝贵争;冯小成;于海平;张志勋 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： B21C25/02 文献下载
摘要：方形扁平封装外壳的切筋成型模具，包括上模连接柱、上模压块、上模主体、切筋冲刀、下模主体和下模压块。上模连接柱、上模压块与上模主体固定连接，下模主体与下模压块固定连接，切筋冲刀镶嵌于上模主体中且在铅垂方向平行分布，切筋冲刀末端突出于上模主体。该模具将传统的冲压成型模式改为挤压成型，并将切筋、成型合二为一，设计了相应的模具形状。上模主体自上而下降落，先由切筋冲刀切断引线，再由上模主体的下表面和下模主体的上表面相互平行挤压，实现引线的成型。本发明使不仅实现了切筋、成型的双边一次性加工，还使引线的质量得到了改善，避免了模具对引线的过度摩擦，得到较为缓和的引线过渡段，同时还消除了毛刺所带来的不利影响。
方形扁平封装外壳成型模具

[实用新型]金丝球焊毛细管劈刀-CN201120323295.8有效
发明人：贺晋春;井立鹏;姚全斌;张志勋 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：金丝球焊毛细管劈刀，瓶颈部分外形为圆台，瓶颈端部外侧有外倒角，劈刀的过线通孔与瓶颈端部内侧交接处有内倒角，内倒角与外倒角交接处形成劈刀的刀尖。本实用新型适应当今集成电路小型化的发展趋势，避免了焊接高密度芯片PAD时常出现的劈刀碰丝现象，并且该劈刀具有良好的强度，保证了电路的可靠性。
金丝球焊毛细管劈刀

[实用新型]一种用于多通道宇航器件单粒子效应的测试系统-CN201120367060.9有效
发明人：杜守刚;于春青;杨晓飞;范隆;董攀;郑宏超;王煌伟;陈莉明;毕潇 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于多通道宇航器件单粒子效应的测试系统，该系统包括远程监控计算机终端、数据处理与分析计算机、远程控制电源、多通道矩阵控制器和受辐照电路板。本实用新型集成了10个测试通道，可以实现毫安级至安培级范围内电流的采集和最多10个信号的同时检测，支持四线接法，当被测电路的功耗很低时，可以减少实验现场本底噪声对信号的影响，从而保证信号采集的完整性，提高看单粒子闩锁效应检测的精度。试验前，工作人员将电路板通过法兰盘分别连接到各个通道接口，并且采用远程控制电源对被测器件进行单一供电，试验时，测试人员可以通过上位机控制各个通道的通断来分别对不同芯片进行试验，从而降低了辐照实验的危险性和试验费用成本。
一种用于通道宇航器件粒子效应测试系统

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