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[发明专利]一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路-CN202111357465.9有效
发明人： 钟铭浩;刘莉;马海伦;郭建飞;何佳俊;李浩;常帅军;王梓名;欧树基 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明属于电力电子驱动技术领域，公开了一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，包括上桥臂的基本驱动电路和下桥臂的基本驱动电路，在下桥臂的基本驱动电路中引入p‑mos管、电阻R3和电阻R4，电阻R3的左端与p‑mos管P1的栅极相连，电阻R3的右端同时与p‑mos管P1源极、肖特基二极管VD阴极和电阻R4相连，肖特基二极管VD阳极与p‑mos管P1漏极相连；电阻R5、n‑mos管M1和n‑mos管M2构成电流镜结构，M1和M2共栅共源，电流镜共栅端与p‑mos管P1漏极相连。本发明利用了去耦电容法和有源抑制法的优势，有效抑制了串扰，使得栅驱动电路能稳定正常工作；并且，本发明没有使用额外控制源去控制电流镜，使用去耦电容不会影响功率管开关速度。
一种 sic mosfet 功率器件栅极抑制电路

[发明专利]抑制SiC MOSFET串扰和漏极电流过冲的驱动电路及方法-CN202111357518.7有效
发明人：马海伦;刘莉;钟铭浩;何佳俊;郭建飞;李浩;常帅军;王梓名;欧树基 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及宽禁带半导体器件驱动技术领域，公开了一种抑制SiCMOSFET串扰和漏极电流过冲的驱动电路，在所述上桥臂的基本驱动电路中引入供电电压源V2_H，在所述下桥臂的基本驱动电路和串扰、过冲抑制电路中引入供电电压源V2_L。通过该驱动电路使电容C2的电压稳定，并将共源寄生电感Ls_L的电压钳位住，实现Ls_L的解耦。本发明未引入额外的有源器件和控制器，可靠性高；未引入过多的晶体管，结构简单；驱动回路未引入额外的电容和电阻，开关速度不受影响；不仅抑制了源端寄生电感造成的影响，同时增加了负压关断，避免了器件可能存在的误导通，并且抑制了栅源极的串扰电压和漏极电流过冲现象，同时通过开关控制电容接入回路的时间，尽可能地避免额外的功率损耗。
抑制 sic mosfet 漏极电流过驱动电路方法

[发明专利]一种降低栅极沟槽处电场的SiC功率MOS器件结构-CN202210963709.6在审
发明人：李浩;钟铭浩;刘莉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种降低栅极沟槽处电场的SiC功率MOS器件结构，包括自下而上的漏区、衬底以及漂移区，在漂移区上方设置栅极多晶硅，在栅极多晶硅左右两侧设置对称的半元胞结构，每个半元胞结构包括位于漂移区上方边沿的源级金属，源级金属下方设置P+区，P+区的下方和内侧均被Pwell包围，源级金属内侧上方与栅极多晶硅之间设置N+源区，Pwell向上延伸至N+源区远离栅极多晶硅的一侧底部，N+源区另一侧底部下方设置Pbody，Pbody与漂移区之间设置N型电流扩展层，栅极多晶硅的底部以及其氧化层的侧面与底部之间均以阶梯形式连接，氧化层底部与漂移区之间设置P++区作为氧化层底部的电场终止层。本发明可在降低槽栅拐角处电场的同时降低导通电阻。
一种降低栅极沟槽电场 sic 功率 mos 器件结构

[发明专利]一种抑制SiC MOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路-CN202210581674.X在审
发明人： 钟铭浩;李浩;何佳俊;马海伦;常帅军;刘莉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制SiC MOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路，分别设置于上桥臂和下桥臂；驱动电路中，一电阻的一端、第二电阻的一端、第三电阻的一端并联于推挽输出接口；第二电阻的另一端连接第一肖特基二极管的阴极，第三电阻的另一端连接电容的一端和N沟道场效应管的漏极；N沟道场效应管的栅极接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接受控脉冲源的正极，受控脉冲源的阴极与N沟道场效应管的源极均连接第二肖特基二极管的阳极；第一肖特基二极管的阳极、第一电阻的另一端、电容的另一端、第二肖特基二极管的阴极均连接SiC MOSFET的栅极。本发明能够抑制SiC MOSFET功率器件的米勒平台电压大幅下降和栅极串扰。
一种抑制 sic mosfet 米勒平台电压骤降驱动电路

[发明专利]一种具有温度稳定性的全SiC CMOS运算放大器-CN202210248053.X在审
发明人：李浩;刘莉;马海伦;常帅军;钟铭浩;郭建飞;欧树基 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种具有温度稳定性的全SiCCMOS运算放大器，通过输入级生成第一偏置电压，对第一输入信号和第二输入信号进行差分放大输出第一放大电压，根据可调电压来调控输入级的增益；偏置电路根据第一偏置电压、第一输入信号和第二输入信号输出第二放大电压和第二偏置电压；输出级根据第一放大电压、第二放大电压和第二偏置电压生成输出电压；衰减电路对输出电压进行压值衰减输出衰减电压，偏置电路根据衰减电压稳定工作点；补偿电路对衰减电压进行反向放大后输出补偿电压给输出级，以调节输出电压的大小。输入级的增益与温度敏感的工艺参数无关，解决了现有全SiCCMOS运算放大器增益的温度稳定性较差的问题。
一种具有温度稳定性 sic cmos 运算放大器

[发明专利]一种双沟槽SiC功率MOS器件-CN202110638008.0在审
发明人：王梓名;刘莉;马海伦;钟铭浩;郭建飞;常帅军 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种双沟槽SiC功率MOS器件，包括源极、漏极、栅极、N+衬底层和N‑漂移区，在N+衬底层的底面和上面分别设有漏极和N‑漂移区；在N‑漂移区的上面两侧分别设有P井区，在P井区的横向段的外端上面设有P+区；在两侧的该P井区的中间设有P屏蔽层，在P屏蔽层的下方设有超结；在P屏蔽层的上面设有栅极凹槽和栅极；在栅极凹槽与两侧的P井区之间均设有P‑body区，在P‑body区的上面设有N+区；在P井区、P+区和N+区的上面设有源极；在源极与栅极之间设有互连电极。本发明的优点：通过对传统的槽栅垂直功率SiC MOS结构进行改进，提高了器件的击穿电压，降低了导通电阻，并且有效的阻止了栅氧化层的提前击穿。
一种沟槽 sic 功率 mos 器件

[发明专利]能够改进ESD保护回路回冲特性的SiC MOS器件-CN202110563716.2在审
发明人：刘莉;常帅军;王梓名;马海伦;钟铭浩;郭建飞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够改进ESD保护回路回冲特性的SiCMOS器件，包括N型的SiC衬底(9)，在该SiC衬底(9)的上面设有N型的SiC外延区(8)，构成外延片，其特征在于，在该SiC外延区(8)的上面设有相互间隔的源极P型区(6)和漏极P型区(7)，在该漏极P型区(7)的上面设有第一nMOSFET(MN1)，在该源极P型区(6)的上面设有第二nMOSFET(MN2)。此种结构器件能够改善高压SiCMOS器件ESD保护回路的回冲特性。
能够改进 esd 保护回路特性 sic mos 器件

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