[发明专利]半导体制冷片驱动电路、控制方法和玻片处理设备在审
| 申请号： | 202310947335.3 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116937949A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 肖永军;魏亮;李智宇;戢汇亮;陈传坤;张俊;张宇;张忠雄 | 申请（专利权）人： | 武汉友芝友医疗科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H02M1/14;H02M1/32;F25B21/02;F25B49/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 张萌萌 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新二路3*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体制冷片驱动电路、控制方法和玻片处理设备，涉及电力电子技术领域。电路包括第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块、第一MOS桥臂、第二MOS桥臂、第三MOS桥臂、第四MOS桥臂、滤波模块和电流采集模块；当半导体制冷片处于制冷状态时，第一半桥驱动模块用于向第一MOS桥臂输出高电平，向第二MOS桥臂输出低电平；第二半桥驱动模块用于向第三MOS桥臂输出低电平，向第四MOS桥臂输出高电平；处于加热状态时，第一半桥驱动模块用于向第一MOS桥臂输出低电平，向第二MOS桥臂输出高电平；第二半桥驱动模块用于向第三MOS桥臂输出高电平，向第四MOS桥臂输出低电平。本申请能够提升半导体的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 驱动 电路 控制 方法 处理 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
