[发明专利]一种氧化镓光电探测器及其制备方法在审

申请号：	202310620832.2	申请日：	2023-05-26
公开（公告）号：	CN116666488A	公开（公告）日：	2023-08-29
发明（设计）人：	赵晓龙;韩可举;曾妍;侯小虎;穆文祥;陶绪堂;徐光伟;龙世兵	申请（专利权）人：	中国科学技术大学;山东大学深圳研究院
主分类号：	H01L31/112	分类号：	H01L31/112;H01L31/032;H01L31/18
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	樊晓
地址：	230026 安***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	本发明公开了一种氧化镓光电探测器，包括：衬底；沟道层，沟道层包括氧化镓台面，氧化镓台面设置在衬底表面，氧化镓台面适用于响应日盲光；p+区，包括分别位于沟道层两侧的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别与沟道层形成横向pn结，源电极，设置在沟道层的一端上；漏电极，设置在沟道层的与源电极相对的另一端上；栅电极，设置在p+区的第一部分和第二部分的表面。本发明提供的氧化镓光电探测器可以实现快的响应速度和高的响应度。
搜索关键词：	一种氧化光电探测器及其制备方法
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摘要：本发明公开了一种全光谱探测场效应晶体管及制备方法，在p型硅衬底的顶部间隔预设距离形成有两个高掺杂N+型区；在两个高掺杂N+型区之间的p型硅衬底顶部刻蚀有周期性的空气光子晶体，在所有空气光子晶体内生长吸收红外光波段的半导体光子晶体；p型硅衬底上形成有抗反射薄膜绝缘层；抗反射薄膜绝缘层上形成有表面等离子激元、与一高掺杂N+型区相连的源极、栅极和与另一高掺杂N+型区相连的漏极，栅极形成在源极与漏极之间，等离子激元形成在源极与栅极以及栅极与漏极之间。本发明的场效应晶体管具有全光谱覆盖、强感光性能、高响应度和高集成度等优点，适用波长范围为可见光和红外光波段，且制造工艺简单，以硅作为器件主要材料成本较低。

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摘要：本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种提升太赫兹探测器响应度的器件，包括衬底，在衬底上为AlN成核层，在AlN成核层上为第一n+GaN欧姆接触层，作为器件的源极和漏极，在第一n+GaN欧姆接触层上是外延生长的InAlN电子发射层，在InAlN电子发射层上外延生长n‑GaN有源层和第二n+GaN欧姆接触层，构成器件的栅极，第一n+GaN欧姆接触层上穿出鳍式电子气沟道，鳍式电子气沟道从衬底生长且贯穿栅极与源极和漏极相连；本发明器件实现栅极对二维电子气的立体调控，从而增强栅极了对沟道的调制能力，降低栅极长度，提高了器件响应太赫兹波的速度。

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摘要：本发明公开了一种基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管及其制备方法，双向光突触晶体管包括：栅极、绝缘层、捕获层、有源层、源极和漏极，所述栅极、绝缘层、捕获层和有源层平行设置并从下至上依次连接，所述源极和漏极平行设置并连接在所述有源层的上表面，其中，所述有源层为二维分子晶体异质结。本发明基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管在正负栅压下光响应表现出双极性，即正栅压下表现出光抑制，负栅压下表现出光增强，其表现出优异的光响应度并且在弱光下可以表现出双向光突触行为，简化了器件制备工艺并且避免了不同光源的切换。

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摘要：本申请提供一种光电存储器件及其制备方法、以及数据存储方法，属于半导体存储器件领域。光电存储器件包括：衬底、源/漏电极、沟道层、绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极，绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极依次设置；其中，浮栅层与绝缘介质层之间和浮栅层与光敏介质层之间均形成势垒，光敏介质层在暗态下为绝缘体属性，光敏介质层在带隙匹配的光辐照下为半导体属性。数据存储方法采用该光电存储器件进行，具有较低的操作电压要求，能较好适应不同的应用场合，且能较好地实现多值存储。

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申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种氧化镓光电探测器，包括：衬底；沟道层，沟道层包括氧化镓台面，氧化镓台面设置在衬底表面，氧化镓台面适用于响应日盲光；p+区，包括分别位于沟道层两侧的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别与沟道层形成横向pn结，源电极，设置在沟道层的一端上；漏电极，设置在沟道层的与源电极相对的另一端上；栅电极，设置在p+区的第一部分和第二部分的表面。本发明提供的氧化镓光电探测器可以实现快的响应速度和高的响应度。

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摘要：本发明公开了一种具有自供电工作模式的GaN/Ga2O3pn结紫外光电探测器及其制备方法。本发明采用外延生长的方法首先再衬底上生长p‑GaN，然后将元素掺杂的n‑Ga2O3纳米带转移到p‑GaN薄膜上形成pn结，再分别在GaN/Ta:Ga2O3pn结的两边制备p型和n型接触电极，并将制备的电极分别进行快速热退火以形成欧姆接触，从而得到GaN/Ga2O3pn结自供电紫外光电探测器。本发明的自供电紫外光电探测器具有极低的暗电流，超高的整流比，优异的光响应，超快的响应时间，在人类健康、环境监测、军事、安全通信和太空探测领域具有广泛的应用前景。

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摘要：本发明涉及光电神经突触技术领域，特别涉及一种光电神经突触器件及其器件、二维材料的制备方法，包括具有绝缘介质层的衬底，以二维过渡金属硫族化物合金材料作为功能层及功能层表面的源极和漏极，源漏极对应的功能层中的金属元素的占比不相同。本发明的利用以原子级厚度的二维过渡金属硫族化物合金材料作为功能层，有利于器件尺寸的缩微与集成；同时功能层的组分从偏钼变化为偏钨，为本征的渐变II类能带排布，有利于光生载流子的分离，使得光电响应更快；且由于晶格常数失配所导致的硫空位，有利于光电神经突触现象的产生，使得表征光电神经突触性能的双脉冲易化更大，同时空位对电荷起到储存记忆作用，器件的抗疲劳和保持性能更有优势。

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摘要：本申请公开了各种基于石墨烯的光探测器。一种示例性光探测器设备可以包括：衬底；制作在所述衬底上的第一天线组件，所述第一天线组件包括一个或多个天线电极；制作在所述衬底上的第二天线组件，所述第二天线组件包括一个或多个天线电极；耦合到所述第一天线组件和所述衬底的源区；耦合到所述第二天线组件和所述衬底的漏区；其中，所述第一天线组件和所述第二天线组件中的所述一个或多个天线电极由石墨烯制成。

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申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种基于栅极肖特基接触的GaN HEMT太赫兹探测器。器件制备工艺主要包括：ICP刻蚀、紫外光刻、热蒸发、退火、电子束蒸发、剥离等。器件结构自下而上依次为：蓝宝石衬底、AlGaN过渡层、GaN缓冲层、AlN间隔层、AlGaN势垒层、GaN帽层。GaN/AlGaN异质界面的二维电子气具有超高的电子迁移率，且可与太赫兹波相互作用，产生等离子共振，增强对太赫兹辐射的吸收。此外，该器件集成了对数天线优异的场强耦合效果，并可以通过肖特基接触栅极实现器件开关与太赫兹响应的调控。本发明制作工艺简单、功耗低、栅控性能优异，可以实现室温下的高性能太赫兹探测。

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申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本申请公开了一种基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的上表面；第一n+‑GaN层，位于缓冲层的上表面；n‑‑GaN层，位于第一n+‑GaN层的上表面；p‑GaN层，位于n‑‑GaN层的上表面；第二n+‑GaN层，位于p‑GaN层的上表面，p‑GaN层和第二n+‑GaN层上形成有延伸至n‑‑GaN层表面的第一凹口；栅介质层，位于第一n+‑GaN层的上表面、第二n+‑GaN层的上表面以及第一凹口的表面，栅介质层、第二n+‑GaN层以及p‑GaN层形成有第二凹口；漏电极，位于第一n+‑GaN层上；栅电极，位于栅介质层的上表面，与第一凹口相对应；源电极，位于第二凹口处。本申请PN结的存在使其拥有栅压调控其光电特性的能力。通过施加给器件一个正栅压，紫外探测的光暗电流比能够超过106，同时器件具有极快的上升时间τrise和衰减时间τdecay。

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发明人：王林;姚晨禹;姜梦杰;王东;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开的是基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件，在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlxGa1‑xAs缓冲层、AlxGa1‑xAs势垒层、Si的δ掺杂底层、AlxGa1‑xAs的隔离层、InxGa1‑xAs的沟道层、AlxGa1‑xAs的隔离层、Si的δ掺杂层、AlxGa1‑xAs势垒层、未掺杂的AlAs层、未掺杂的GaAs层、掺杂Si的AlAs势垒层和掺杂Si的GaAs帽层。源极、漏极分别于GaAs缓冲层以及各个势垒层两端接触形成欧姆接触，并在沟道层之间形成的二维电子气通道。其主要特征是InGaAs/AlGaAs形成的二维电子气具有非常高的电子迁移率，并可与太赫兹波产生等离子共振，增强了太赫兹波的吸收，并提高了光电转换效率。本发明的优点是设计的阵列器件不仅可以实现较高的响应，还实现了较优秀的均匀性特征，以此为基础的线阵列芯片利于大规模集成拓展。

顶栅调控二碲化钼的偏振光电探测器及其制备方法-202310111668.2
发明人：李京波;黎思娜;霍能杰;张洁莲 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本申请公开了顶栅调控二碲化钼的偏振光电探测器及其制备方法，其中，顶栅调控二碲化钼的偏振光电探测器，包括：衬底；第一材料层，位于衬底的上方，第一材料层的材料为2H‑MoTe2；第二材料层，位于第一材料层的上方，第二材料层的材料为CrOCl；漏电极，位于衬底和第一材料层的上方；源电极，位于衬底和第二材料层的上方。本申请CrOCl作为偏振光敏化剂(光敏层和栅极调控)，2H‑MoTe2作为光载流子传输通道，可以得到高性能的偏振敏感光电探测器；受益于CrOCl各向异性特性，光电流显示出强烈的光偏振相关性，最大二色比为可达2.7；本申请基于CrOCl‑2H‑MoTe2异质结，具有可以通过顶栅(CrOCl)有效调节当加了偏压后的暗电流和自驱动时通过栅压有效提高光电，得到了可见光波段偏振光探测器。

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申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，属于光导半导体开关技术领域，克服传统开关的面电流密度高造成等离子体丝状电流，从而烧毁开关，变成体电流便于承受更高的电压。本发明包括栅型结构的半导体基片，依次设置在半导体基片上的第一过渡层、第一石墨烯膜和阴极，依次设置在半导体基片上的第二过渡层、第二石墨烯膜和阳极。本发明用于干扰和毁伤无人机、导弹等电子装备。

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申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种自适应双背栅高速宽带石墨烯光探测器，从下到上依次包括：衬底、第一背栅和第二背栅、介质层、第一互联金属电极和第二互联金属电极、石墨烯光探测层，还包括设于石墨烯光探测层上的源极和漏极；其中，第一互联金属电极直接设于第一背栅之上，第二互联金属电极直接设于第二背栅，第一互联金属电极和第二互联金属电极分别与石墨烯光探测层直接接触；介质层设于两背栅和两互联金属电极的四周；源极和漏极分别与石墨烯光探测层直接接触；光探测区为所述源极和漏极之间的石墨烯光探测层。本发明采用源/漏电极与石墨烯双背栅分别相连，由源漏电压驱动背栅调控，实现自适应工作，能有效提高响应光电流。

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发明人：王振兴;蔡宇晨;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种硒化铟光电晶体管及其制备方法与应用。该硒化铟光电晶体管包括：衬底；栅极，其形成于所述衬底上；栅介质层，其形成于所述栅极上；所述栅介质层的材质为氧化铪；沟道层，其形成于所述栅介质层上；所述沟道层的材质为硒化铟；源极和漏极，互相分离地形成于所述沟道层上；顶部封装层，其形成于所述源极、漏极和沟道层上，所述顶部封装层的材质为氧化铝。该硒化铟光电晶体管作为光探测器件使用时，对日盲紫外光表现出超高的探测灵敏度，具有微秒级的快速响应时间、超高的光响应度及探测率、极低的暗电流；作为光电突触使用时，所述硒化铟光电晶体管具备良好的光电可编辑特性和非易失特性。

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发明人：贾婉丽;邹旭;曹跃龙;王馨梅;张翔 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种二维电子气型光电导纵向开关，包括半绝缘衬底层，半绝缘衬底层的下方依次制作有重n型掺杂区和阳极，半绝缘衬底层的上方设有外延层。本发明还公开了一种二维电子气型光电导纵向开关的制作方法，本发明提供了开关能够改善漏电流问题，并提高开关的重复频率。

太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法-202211219993.2
发明人：秦华;屠睿;周奇;靳琳 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种太赫兹波探测器及太赫兹波的探测方法。所述太赫兹波探测器包括半导体结构、第一电极、第二电极、第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构、第一天线和第二天线：所述第一天线和第二天线间隔设置在所述半导体结构上，并均与所述半导体结构形成肖特基接触；所述第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构分别对应设置在所述第一天线、第二天线与半导体结构之间，所述第一欧姆接触结构及第二欧姆接触结构均与半导体结构形成欧姆接触且分别与第一天线、第二天线电连接，所述第一电极、第二电极分别与第一天线、第二天线配合。本发明提供的太赫兹波的探测方法，采用偏压工作模式进行太赫兹波的探测，偏压工作模式增加了器件的稳定性。

光敏传感器以及对应的制造方法-202210681758.0
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申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本公开的各实施例涉及光敏传感器以及对应的制造方法。一种光敏传感器，包括像素，该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成，光敏区在第一半导体材料中，读取区在第二半导体材料中，传送栅极面向第一半导体材料和第二半导体材料的位于光敏区与读取区之间的部分。第一半导体材料和第二半导体材料具有不同带隙，并且彼此接触以形成面向传送栅极的异质结。

一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件-202210894940.4
发明人：张永哲;黎旭红;陈小青;刘发民 -专利权人：北京工业大学;北京航空航天大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/112
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光敏传感器-202221506248.1
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摘要：本公开的各实施例涉及光敏传感器。一种光敏传感器，包括像素，该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成，光敏区在第一半导体中，读取区在第二半导体中，传送栅极面向第一半导体和第二半导体的位于光敏区与读取区之间的部分。第一半导体和第二半导体具有不同带隙，并且彼此接触以形成面向传送栅极的异质结。本公开能够提供一种适用于短波红外波长范围、具有低噪声、快速电荷转移、基于非笨重架构的光敏传感器。

一种双异质结太赫兹探测器及其制作方法-202211086074.2
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申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种双异质结太赫兹探测器及其制作方法，双异质结太赫兹探测器包括在蓝宝石衬底上依次是i‑GaN缓冲层和势垒层组，所述势垒层组与所述i‑GaN缓冲层形成2‑DEG通道，其中，所述势垒层组从下到上依次包括i‑InGaN层、i‑GaN沟道层、第一i‑AlGaN势垒层、n‑doped AlGaN势垒层、第二i‑AlGaN势垒层、SiN绝缘层；源极和漏极分别位于所述势垒层组的两端接触，并与所述2‑DEG通道形成欧姆接触；栅极与所述n‑dopedAlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明的双异质结太赫兹探测器的结构开展性能优化且稳定。

一种太赫兹多模场效应管探测器-202210830079.5
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摘要：本发明申请公开了一种太赫兹多模场效应管探测器，太赫兹多模场效应管探测器包括芯片，通过设置从下到上依次为衬底、隔离层、沟道层、势垒层和电极层的芯片，在芯片两侧设置天线探针，并通过电源引线将栅极与栅极电压输入连接、将源极接地，通过中频引线将漏极的中频信号输出，结合平面传输线克服了传统的太赫兹探测器结构尺度小、制备难度大的问题；通过设置平面传输线，增强了探测器对二维电子气的调控能力；通过设置天线探针，增强了探测器对太赫兹信号的耦合接收能力，提高了探测器的性能。本发明可广泛应用于探测器技术领域。

一种基于二硒化铂和SOI的光电晶体管、制备方法及其应用-202210713084.8
发明人：徐明生;陈叶馨;朱清海 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种基于二硒化铂和SOI的光电晶体管、制备方法及其应用，PtSe2/SOI光电晶体管的垂直异质结构和II型能带排列使其在从紫外到近红外的宽光谱范围内表现出优异的光电探测性能，且背栅结构的设计有效促进了光生载流子的分离和传输，从而提高了光电探测器的光响应性能。该光电晶体管的制备方法简单、成本低且兼容硅工艺。由该光电晶体管组成的光电探测器具有可零偏压驱动、高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，为新一代硅基光电探测器铺平了道路。

光电器件及其制备方法-202210770780.2
发明人：魏钟鸣;周劲澍 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种光电器件，包括：衬底，衬底为P型重掺杂或N型重掺杂的Ge金属；绝缘层，形成在衬底一侧的部分表面上；GeSe二维材料层，自衬底的部分表面延伸至绝缘层上，GeSe二维材料层包括至少一片GeSe薄膜，配置为响应于光而产生光生载流子；电极，电极包括至少一组源极和漏极，配置为接收光生载流子；至少一组源极和漏极分别形成在每片GeSe薄膜上和衬底的与GeSe二维材料层相反的一侧上；其中，衬底与GeSe二维材料层形成二维三维异质结。本发明还公开了一种上述光电器件的制备方法。

一种晶体管型4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法-202210677947.0
发明人：崔艳霞;樊亚萍;潘登;李国辉;李梦辉;梁强兵;田媛;许并社 -专利权人：太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种晶体管型4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，包括4H‑SiC基底，所述4H‑SiC基底的硅面上的设置有半透光的源电极和漏电极，所述4H‑SiC基底的碳面上设置有的不透光的栅电极。本发明制备方法简单，成本低廉，最终获得的紫外光探测器暗电流极低，且具有亮点流增益，响应度高的优点。

大动态响应范围紫外光电探测器及其制作方法-202210672237.9
发明人：王馨梅;李丹妮;李红红;张可为 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种大动态响应范围紫外光电探测器，包括光电导区，光电导区的上端依次设有Si富集层和栅调制区，栅调制区的两端均设有隔离区和阴极；光电导区的下端设有光入射区，光入射区的中部被开设在光电导区底部中心处的凹槽断开，凹槽相对两侧的光入射区为n型重掺杂GaN光入射区，n型重掺杂GaN光入射区的两端分别设有阳极。本发明还公开了一种大动态响应范围紫外光电探测器的制作方法，本发明提供的该紫外光电探测器能实现强弱光快速转换场景下的高频探测。

基于飞秒激光的光电晶体管制备方法及晶体管阵列-202210513849.3
发明人：蒋杰;张艺;黄卓慧;银恺 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了基于飞秒激光的光电晶体管制备方法及晶体管阵列。包括步骤：S10，提供一顶面具有二氧化硅层的硅基层；S20，在二氧化硅层的上表面形成三层薄膜结构；S30，基于飞秒激光加工工艺依据预设图案信息，沿垂直于三层薄膜结构的表面方向从三层薄膜结构的上方进行刻蚀加工形成由多个叠层无结光电晶体管组成的晶体管阵列，相邻叠层无结光电晶体管经由沟槽分隔开来。本发明的基于飞秒激光的光电晶体管制备方法，通过使用飞秒激光微纳加工技术，省略了传统图案化过程中的光刻步骤，从而降低了晶体管器件的制备工艺成本，复合光敏材料与半导体材料，利用光生载流子注入半导体来提高器件电子及空穴的迁移率，获得更高的光电流响应。

一种二维二硒化钯柔性自驱动宽光谱光电传感器及其制备方法-202110485167.1
发明人：杜君莉;夏大伟;史书怀;马云瑞;谢伟 -专利权人：国网河南省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L31/112
摘要：本发明公开了一种二维二硒化钯柔性自驱动宽光谱光电传感器及其制备方法，该光电传感器包括以下部分：柔性栅介质层、源电极、二维二硒化钯、绝缘层、漏电极、聚甲基丙烯酸甲酯、柔性透明衬底。本发明是通过简单、快速的方法制备了所述的光电传感器，通过引入静电场对二硒化钯进行原位掺杂形成同质结，从而构筑了柔性光电传感器，由于二硒化钯对红外光和可见光的宽吸收范围和光电传感器结构的合理设计，该柔性光电传感器可实现自驱动宽光谱探测，而且制得的光电传感器结构简单，制备工艺难度小，适合应用于工业化生产。

一种ZnO纳米线栅极HEMT紫外光探测器-202210183042.8
发明人：朱彦旭;谭张杨;李建伟;李晋恒;宋潇萌 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-02-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/112
摘要：一种ZnO纳米线栅极HEMT紫外光探测器涉及紫外光探测技术领域。本发明采用传统型高电子迁移率晶体管(HEMT)与纳米型结构半导体材料ZnO结合制备对紫外光敏感的光电探测器件。选取p‑GaN层覆盖的耗尽型AlGaN/GaN外延片，同时对源漏电极区域进行整体下刻蚀，使得器件在未人为外加电压时处于关断状态。在器件栅电极上，以正面朝下反向水热生长的方式得到尽量朝外生长的ZnO纳米线结构，注意控制调整水热生长时间及温度以得到生长形貌较好、排列均匀的纳米线，纳米线生长状态将直接影响其对紫外光的感应能力。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]一种氧化镓光电探测器及其制备方法在审

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