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[发明专利]一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源-CN202111241120.7有效
发明人：栾崇彪;刘宏伟;王凌云;何泱;袁建强;马勋;李洪涛 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n+‑GaAs层；将半绝缘GaAs材料表面除电极区域外的n+‑GaAs层去除；将锗、金、镍和金依次沉积到电极区域的n+‑GaAs层表面；在去除n+‑GaAs层的半绝缘GaAs材料的半绝缘GaAs材料表面刻蚀槽；在槽内蒸镀金属或者外延生长n+‑GaAs；经过高温快速退火在电极区域形成欧姆接触，制作得到光导开关。本发明实施例得到了欧姆接触电阻率小于10‑6Ω·cm2的光导开关，使采用该光导开关的冲激脉冲源提高了输出功率。
一种堆栈结构 gaas 开关制作方法冲激脉冲

[发明专利]一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法-CN201910461768.1有效
发明人：赵见国;刘向;潘江涌;李元元;倪海彬;常建华 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构，包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1‑xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力，从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源，实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化，最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜，广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备，并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。
一种质量极性 algan 复合结构及其加工方法

[发明专利]一种多重响应波段的半导体探测器-CN201910284569.8有效
发明人：郑清团;王星河;叶芳 -专利权人：临沂市安福电子有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开一种多重响应波段的半导体探测器，依次包括衬底、第一导电型氮化物半导体，InxGa1‑xN/GaN量子阱，V‑pits，第一Au纳米颗粒，Ga2O3/ZnO核壳结构纳米柱，第二Au纳米颗粒，SiC纳米柱核层，(Ga2O3)y/(GaN)z纳米柱壳层，第三Au纳米颗粒，第二导电型Si基板，其特征在于所述InxGa1‑xN/GaN量子阱的V‑pits上方依次沉积第一Au纳米颗粒，Ga2O3/ZnO，第二Au纳米颗粒，SiC纳米柱核层，(Ga2O3)y/(GaN)z纳米柱壳层，第三Au纳米颗粒。
一种多重响应波段半导体探测器

[发明专利]一种激光电池及其制备方法-CN202211496537.2有效
发明人：张宇荧;苟于单;王俊;张玉国;赵武;张立晨;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：一种激光电池及其制备方法，激光电池包括：半导体衬底层；晶格变异缓冲结构；晶格变异缓冲结构包括自下至上依次层叠的第一缓冲单元至第N缓冲单元、以及位于第N缓冲单元背离半导体衬底层一侧的第N+1组分步进层；第一缓冲单元至第N缓冲单元中的任意第n缓冲单元包括自下至上层叠的第n组分步进层和第n组分回调层；第一组分步进层至第N+1组分步进层、第一组分回调层至第N组分回调层中均包含相同的元素组；第一组分步进层至第N+1组分步进层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增；第一组分回调层至第N组分回调层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增；光吸收层。所述激光电池能发射出需要波长，且能实现成本较低、质量较好。
一种激光电池及其制备方法

[实用新型]一种单载流子探测器结构-CN202222306560.2有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;唐金泽 -专利权人：北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单载流子探测器结构，本实用新型采用半绝缘的InP衬底，且p型扩散区域在台阶区域内，既可以实现电学绝缘，又可以最大限度的减小探测器的电容，从而提高探测器的开关速度和带宽；台阶区域的直径大于p型扩散区域的直径，因此，台阶区域的侧面设置是半绝缘的高阻材料(BCB或PBO材料)，可以进一步降低暗电流。
一种载流子探测器结构

[发明专利]光电元件-CN202211107157.5在审
发明人：薛惟仁;李世昌;欧震;潘柏舟;廖文禄 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件，其包含：一基底；一第一半导体叠层设置于基底上，包含一第一主动层用以发出或吸收一第一光线，所述的第一光线具有一第一波长；第二半导体叠层设置于所述的第一半导体叠层上，包含一第二主动层用以发出或吸收一第二光线，其中，所述的第二光线具有一第二波长以及且所述的第一波长大于所述的第二波长；以及一第一光学结构设置于所述的第一半导体叠层及所述的第二半导体叠层之间，包含多个第一结构以及多个第二结构沿着一水平方向以一第一周期作交替周期性排列，且所述的第一半导体叠层、所述的第二结构、及所述的第二半导体叠层彼此之间的界面包含连续堆叠的外延结构。
光电元件

[发明专利]一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格材料及其生长方法和应用-CN202211612147.7有效
发明人：陈意桥;于天;陈超 -专利权人：苏州焜原光电有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格材料及其生长方法和应用。该超晶格材料包括依次堆叠的若干InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格原胞，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格原胞包括一层InxGa1‑xAs材料和一层InAsySb1‑y材料。本发明超晶格材料可用于中波红外光电器件，通过改变超晶格原胞内各层厚度与组分可使其红外吸收截止波长在3‑7μm范围内调节，材料晶体质量优异，缺陷密度低，可获得较高光电性能。
一种 inas ingaas inassb 晶格材料及其生长方法应用

[发明专利]一种超快光电导结构和光电导天线器件-CN202211591380.1在审
发明人：芦红;张微微;姚金山;李晨;卢守国 -专利权人：南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种超快光电导结构，包含半导体衬底和超晶格光电导层，其中超晶格光电导层的周期结构包括光吸收层和载流子扩散阻挡层。本发明还公开了一种光电导天线器件，由超快光电导结构以及天线结构组成。本发明通过外延方式精确调控光电导结构的组分、结构等，结合材料生长后的退火条件控制，对材料的载流子寿命、暗电阻和迁移率进行调制，在通信波段实现亚皮秒级的快速弛豫，可用于飞秒激光激发的太赫兹源和探测器。
一种超快光电导结构天线器件

[发明专利]一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料-CN202211612146.2在审
发明人：陈意桥;于天;周浩 -专利权人：苏州焜原光电有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料。该红外探测器材料包括依次设置的InAs缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、过渡层和上接触层；所述下接触层和上接触层采用N型InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格材料，所述吸收层和过渡层采用非故意掺杂InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格材料。本发明能够用更薄的超晶格周期厚度达到相同的红外吸收截止波长，从而获得更高的量子效率和探测器性能；能够通过超晶格材料中各自组分来调控红外吸收截止波长，为该结构增加了额外的调节维度，极大提高了结构设计与外延生长方面的灵活性。
一种 inas ingaas inassb 晶格 nbn 红外探测器材料

[发明专利]长波III-V族红外探测器及其制备方法-CN202110720700.8在审
发明人：顾溢;孙夺 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种长波III‑V族红外探测器，所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层；其中，所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足：BxIn1‑xAs1‑y‑zSbyBiz，其中，x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06。本发明提供的长波III‑V族红外探测器及其制备方法通过在衬底上以满足适当组分要求的BInAsSbBi材料作为吸收层制备长波III‑V族红外探测器，获得了较好的化学稳定性，保证了耐热性的同时，具有较高的吸收系数，能够保持与衬底较小的晶格失配，从而提升了探测器性能。
长波 iii 红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种新型吸收区的红外探测器及其制备方法-CN202211329415.4在审
发明人：巫江;崔欣悦;袁琪;李创;沈凯;郭大千;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型吸收区的红外探测器及其制备方法，涉及半导体技术领域，具体为一种新型吸收区的红外探测器，解决了现有的红外探测器存在量子效率低、器件性能较差的问题，所述红外探测器自上而下包括，顶接触层、势垒层、渐变过渡吸收层、底接触层、缓冲层、衬底，所述渐变过渡吸收层为阶梯式吸收层、阶梯与渐变吸收层或渐变吸收层的任一种；本发明采用调整吸收层材料组分、增加单个周期厚度或调节同周期的材料的比例的方式设计吸收层来解决少数载流子传输的问题，提供了一种量子效率高、器件性能好的红外探测器。
一种新型吸收红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法-CN202211211066.6在审
发明人：彭银生;姚明海;周守利;龚树凤;刘恺 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法，以窗口层作为太阳电池有源层，在减反射结构中引入固定电荷，窗口层外表面出现感应电荷，在表面附近产生能带弯曲，阻碍少数载流子流向表面发生复合。该结构一方面增加了短波光子的吸收效率，另一方面减少了少数载流子表面复合，从而提高少数载流子的收集效率，提高了短路电流和转换效率。
一种提高 gaas 薄膜太阳电池光电转换效率方法

[发明专利]一种nBn型渐变势垒的红外探测器-CN202211167708.7在审
发明人：巫江;钟浩;郭大千;沈凯;任翱博;崔欣悦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种nBn型渐变势垒的红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供一种nBn型渐变势垒的红外探测器，其基于渐变势垒的设计结构，在确保电子势垒足够高的情况下，通过渐变材料组分的方式减弱空穴势垒对空穴载流子传输造成的影响。其包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、上接触层，所述下接触层上表面设置第一电极，所述上接触层上表面设置有第二电极，所述吸收层为InAs0.91Sb0.09材料，所述势垒层为AlAs0.08Sb0.92～AlSb的渐变组合。所述AlAs0.08Sb0.92～AlSb的渐变组合从下至上是由AlSb均匀渐变到AlAs0.08Sb0.92。本发明适用于一种nBn型渐变势垒的红外探测器。
一种 nbn 渐变红外探测器

[发明专利]一种新型红外势垒探测器-CN202211167044.4在审
发明人：巫江;张银琳;李创;沈凯;郭大千;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型红外势垒探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供了一种新型红外势垒探测器，利用窄禁带半导体和宽禁带半导体交替构建隧穿势垒，借助量子隧穿效应辅助少子隧穿通过少子势垒，提升少子输运、收集效率，并通过引入渐变过渡层来解决吸收层与势垒层之间的晶格失配问题。其包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、下接触层、吸收层、渐变过渡层，势垒层、上接触层，所述缓冲层上表面设置第一电极，所述上接触层上表面设置有第二电极。本发明适用于一种新型红外势垒探测器。
一种新型红外探测器

[发明专利]一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器-CN202211032252.3在审
发明人：巫江;程科铭;沈凯;李创;郭大千;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供了一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器，利用载流子的隧穿效应，减小势垒型结构因能带不连续性对少数载流子输运的影响，继而促进对光生载流子的收集，降低势垒型红外探测器的工作电压，解决现有传统势垒红外探测器必须在较高电压下工作的问题。其包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、上接触层，所述下接触层上表面设置第一电极，所述上接触层上表面设置有第二电极。本发明适用于一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器。
一种新型量子隧穿势垒结构红外探测器