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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN200610057343.7有效
发明人：林建宏;林纲正;李慈莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置具有：一熔丝位于一半导体基底上的一元件之上；一密封环围绕上述熔丝，上述密封环位于上述元件与上述熔丝之间的至少一金属层中，用以局限熔断上述熔丝时所使用的能量，避免上述能量对上述半导体装置造成损害；以及至少一保护层位于上述密封环内，并位于上述元件与上述熔丝之间，以避免上述元件曝露于上述能量下。本发明所述半导体装置，可以增加半导体基底的可用面积，并使设计于此的元件不会受到熔断熔丝制程的影响而失效。
半导体装置

[发明专利]半导体晶片及制造半导体晶片的工艺-CN200610105981.1有效
发明人：鲁道夫·鲁普;维尔纳·艾格纳;弗里德里希·帕塞克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有边缘区域但是没有大于或者等于0.3μm的缺陷的半导体晶片。此外，本发明涉及制造半导体晶片的工艺，其包括下列工序：(a)提供具有倒圆和蚀刻边缘的半导体晶片；(b)抛光半导体晶片的边缘，在该步骤中，使半导体晶片和至少一个抛光鼓在连续提供抛光研磨剂的情况下相对彼此移动并在特定接触压力下相互挤压，其中，该半导体晶片被固定在绕中心旋转的夹盘上并且凸出夹盘之外，而抛光鼓相对于夹盘倾斜特定角度，且绕中心旋转并且覆盖有抛光布；(c)清洗半导体晶片；(d)使用检查单元检查半导体晶片的边缘区域；(e)进一步对该半导体晶片进行处理。
半导体晶片制造工艺

[发明专利]半导体器件-CN200610110193.1无效
发明人：宫森雄壱 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括在通过堆叠互连层和层间绝缘膜所形成的多层互连上方的焊盘，该半导体器件包括保护部件，其在焊盘的外周边下方以连续的方式形成并具有防潮性，保护部件包围在焊盘下面的层间绝缘膜。
半导体器件

[发明专利]在叠置式管芯间的垫片上集成无源部件-CN200480036862.4无效
发明人： J·康;K·拉达克里西南;S·奇卡蒙纳哈理 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-12-20 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的一个实施例是一种将无源组件集成入管芯组件的技术。电容器、电感器或电阻器是集成在叠置管芯内的上部和下部管芯之间的垫片上。将导体附连至电容器、电感器或电阻器，从而将电容器、电感器或电阻器电气连接至上部和下部管芯的至少一个。
叠置式管芯垫片集成无源部件

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN200480030198.2无效
发明人：末吉晃 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的电子设备(A1)例如是可内置于移动电话内的液晶显示装置。该电子设备(A1)具备装载在基板(1A)的背面的IC芯片(3)，和用于抑制光向该IC芯片(3)入射的遮光带(41)。在遮光带(41)上显示有与电子设备(A1)有关的信息(51)。该信息(51)例如是电子设备(A1)的批序号。这样，遮光带(41)具有两个功能，即具有遮挡光的功能和显示信息的功能。
电子设备及其制造方法

[发明专利]复合电子部件-CN200580000905.8无效
发明人：恒冈道朗;菅谷康博;胜又雅昭;藤原城二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-04-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种复合电子部件，具有多层配线板，第一电源端子电极，第二电源端子电极，外连接电源电极，表面安装部件，绝缘体和电源图案。第一和第二电源端子电极设置在多层配线板的第一面上。外连接电源电极设置在与多层配线板的第一面相对的第二面上，并且与第一电源端子电极相连。表面安装部件设置在多层配线板的第一面上并且在表面安装部件第一而上与第一和第二电源端子电极相连。绝缘体用其第一面覆盖至少与表面安装部件的第一面相对的第二面、第一电源端子电极和第二电源端子电极。电源图案设置在与绝缘体的第一面相对的第二面上，且与第一和第二电源端子电极相连。
复合电子部件

[发明专利]具有图案的衬底及其制造方法，和半导体器件及其制造方法-CN200610004003.8有效
发明人：青木智幸;大力浩二 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-01-28 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有图案的衬底的制造方法，该方法能够控制邻近薄膜图案之间的距离，还提供了具有窄宽度和厚度的图案的衬底的制造方法，该方法能够控制薄膜图案之间的宽度。本发明提供了一种具有用作具有在电感方面变化较小并具有大电动势的天线的导电膜的衬底的制造方法，以及提供一种具有高产量的半导体器件的制造方法。在衬底、绝缘膜、或导电膜上方形成其中硅与氧结合并且非活性基团与硅结合的薄膜之后，在其上通过印刷法印刷组合物，并烘烤以形成薄膜图案。
具有图案衬底及其制造方法半导体器件

[发明专利]用于电路基板的薄板以及用于显示器的电路基板的薄板-CN200510138023.X有效
发明人：荒井隆行;泉直史;铁本智美;中林正仁 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种应用于显示器的用于电路基板的薄板，其包括用于嵌入电路芯片的能量射线固化型聚合物材料，其中包含能量射线固化型聚合物材料的未固化层在嵌入电路芯片的温度或25℃时的储能模量为10³Pa或以上并小于10⁷Pa，以及通过固化未固化层获得的固化层的储能模量在25℃时为10⁷Pa或以上；以及通过将电路芯片嵌入未固化层，然后通过能量射线照射固化未固化层而获得的用于显示器的电路基板的薄板。使用用于电路基板的薄板可以极好的质量和生产率高效地生产控制显示器、尤其是平板显示器的像素的电路芯片嵌入该薄板中的电路基板的薄板。
用于路基薄板以及显示器

[发明专利]半导体器件-CN200610002479.8有效
发明人：广井政幸 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：多层互连结构的机械强度和耐湿性将被增强。一种半导体器件包括半导体衬底上的电路区和围绕电路区形成的密封环区。密封环区包括多个互连层和多个通孔层，互连层包括互连线，多个通孔层包括彼此层叠的多个隙缝通孔，以及至少一个通孔层(下或中间层)中的隙缝通孔之间的间距不同于其他通孔层(上层)中的隙缝通孔之间的间距。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200510138044.1无效
发明人：古泽健志;松本雅弘;森本升;松浦正纯 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-11-15 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：在内部形成了铜布线(19)的低介电常数膜(5a～5c)；配置在低介电常数膜(5c)的上侧的氧化硅膜(6，7a)；配置在氧化硅膜(6，7a)的上侧的表面保护膜(43)；围绕电路形成区域的周围而形成的密封环(23)；平视时形成在密封环(23)的外侧的槽部(22)。槽部(22)形成为其底部位于比低介电常数膜(5c)更上侧的位置，其底部为比铜布线(19)的上端更低。
半导体器件

[发明专利]半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN200610005974.4无效
发明人：隈川隆博;内海胜喜;松岛芳宏;松浦正美 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件，在半导体基板上具有多个半导体元件及分割区域，在所述半导体基板的内部具有改质区域，在分割区域的至少一部分具有分割引导图形，利用所述分割引导图形对以所述改质区域为起点所产生的裂口进行引导。
半导体晶片半导体器件制造方法以及

[发明专利]具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法-CN200510109275.X有效
发明人：吴振诚;卢永诚;柯忠祁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法，具体为在一半导体基底上形成一种紫外光保护层，用来保护底部材料及电子元件，避免与紫外光反应或因照射而造成损害。紫外光保护层包括一杂质掺杂硅层，其中掺杂物包括氧、碳、氢及氮或上述元素的组合。紫外光保护层包括SiOC∶H、SiON、SiN及SiCO∶H或上述组合或以上述材料所形成的多层结构。本发明所述具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法，可保护下层的电子元件免于暴露在紫外光下而造成损害。
具有紫外光保护层半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体复合装置及其制造方法、LED头以及成像装置-CN200510119444.8有效
发明人：荻原光彦;藤原博之;铃木贵人;佐久田昌明;安孙子一松 -专利权人：冲数据株式会社
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体复合装置，它包括半导体薄膜层(105，501，806)以及基板(101，503，801)。半导体薄膜层(105，501，806)和基板被形成在半导体薄膜层与基板之间的高熔点金属和低熔点金属的合金层(121+122，511+512，911+912)彼此键合。此合金的熔点高于低熔点金属(104，404，804)的熔点。合金层(121+122，511+512，911+912)包含低熔点金属(104，404，804)与所述半导体薄膜层(105，501，806)的材料反应产生的产物(122，511，912)。
半导体复合装置及其制造方法 led 以及成像

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510125400.6无效
发明人：北原明直 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的半导体装置在与在三阱上形成的第三N型阱(18)的外围连接的区域上，将与第三阱的导电型相反的杂质导入形成第四P型阱(20)。此时，使导入的杂质浓度，比在形成第三N型阱(18)时所导入的杂质浓度低。这样通过形成第四P型阱(20)，由于提高了第三N型阱(18)和第四P型阱(20)之间的接点耐压，因此能够降低给半导体基板施加的基准电位。并且通过控制使基准电位变低从而能够抑制闩锁现象的产生。从而提供一种具有抑制闩锁现象产生的三阱构造的半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种电力电子功率器件模块-CN200520024073.0无效
发明人：宋希振;宋晓飞 -专利权人：河北华整实业有限公司
申请日： 2005-05-14 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型属于电力设备用半导体功率器件技术领域，具体地讲涉及一种电力电子功率器件模块。其主要技术特征为：包括有作为散热片的底板、与之相贴的工作芯片、通过若干个螺杆用于固定工作芯片的压块、套筒、碟形弹簧和压板，底板上开有螺栓孔，该螺栓孔的底部开有与螺栓的螺帽相匹配的栓孔，带有螺帽的螺栓从底板的底部插入并穿过所述的压块、套筒、碟形弹簧和压板由螺母固定；其中底板为金属铝质材料。在底板上开有螺栓孔，该螺栓孔的底部开有与螺栓的螺帽相匹配的栓孔，固定工作芯片时，螺栓倒装。克服了模块因螺栓掳扣而报废的缺陷。采用铝板做底板，使得模块重量降低，成本下降。
一种电力电子功率器件模块

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