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- [发明专利]具有焊接裂缝抑制环的半导体封装构造-CN200710142006.2无效
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范文正
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力成科技股份有限公司
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2007-08-13
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2009-02-18
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H01L23/00
- 本发明是有关于一种半导体封装构造，其包含：一晶片载体，其具有一上表面与一下表面，其中该下表面设有复数个第一导接垫；一晶片，其设置并电性连接至该晶片载体；以及复数个塔形凸块，其对应设置于该些第一导接垫，用以对外焊接，每一塔形凸块具有至少一第一裂缝抑制环，其是概与该些第一导接垫为平行，用以抑制焊接裂缝的扩散。本发明借由设置在晶片载体的外接端子是为塔形凸块，并具有至少一裂缝抑制环，而可有效的防止焊料焊接界面的裂缝扩散，避免电性断路的问题。此外，本发明还能够增加焊接固着强度，而可达成较高的产品耐用度。本发明由于能够有效的抑制微接触焊接点的裂缝扩散，特别适用于封装堆叠结构，非常适于实用。
- 具有焊接裂缝抑制半导体封装构造
- [发明专利]半导体器件-CN200810144562.8有效
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中柴康隆
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恩益禧电子股份有限公司
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2005-11-16
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2009-01-28
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H01L23/00
- 本发明涉及一种半导体芯片(100)，包括逻辑单元和模拟单元(153)。而且，该半导体芯片(100)包括硅衬底(101)；在硅衬底(101)上形成的第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)；以及由在第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)中掩埋的第一导电环(125)至第六导电环(145)构成的环形密封环(105)，环形密封环(105)包围逻辑单元和模拟单元(153)的周边。在密封环区(106)中，形成用作非导电部件(104)的pn结，其阻挡从逻辑单元通过密封环(105)到模拟单元(153)的路径中的导电。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN200810144954.4无效
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佐甲隆
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恩益禧电子股份有限公司
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2005-01-18
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2009-01-07
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H01L23/00
- 本发明提供半导体装置及其制造方法，在覆盖熔丝而将SiON膜、SiN膜、SiO2膜以该顺序形成后，通过蚀刻至作为蚀刻阻止膜的SiN膜，在熔丝上均一地形成所需的膜厚的SiON膜。另外，通过设置被嵌入熔丝下部的绝缘膜并且包围熔丝的外周部而形成的保护环，就可以防止水分从外部穿过熔丝切断部而浸入的情况。利用本发明可以防止在与电路连接的熔丝上的绝缘膜厚在晶片面内不均一的情况下，因激光照射强度不足而切断不充分，或因激光过度照射而产生切断至相邻的熔丝部分的问题。另外，还可以在熔丝切断后，防止水分从外部穿过切断部而浸入，对配置于下层部的膜质造成不良影响的问题。
- 半导体装置
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