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[发明专利]装置诊断装置、半导体制造装置系统以及半导体装置制造系统-CN202280005628.3在审
发明人：松仓圣;釜地义人;玉利南菜子;鹿子岛昭;角屋诚浩 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：进行半导体处理装置(等离子处理装置)的诊断的装置诊断装置通过使用从具有基准腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，作成基准腔室特征量映射数据(D107)。此外，装置诊断装置通过使用从具有修正对象腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，从而作成修正对象腔室特征量映射数据(D112)。装置诊断装置根据在基准腔室特征量映射数据和修正对象腔室特征量映射数据中出现的模式来鉴别不同的腔室间的性能差、或相同腔室的与随时间变化相伴的性能差、或相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差。
装置诊断半导体制造系统以及

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080004147.1在审
发明人： 玉利南菜子;广田侯然;角屋诚浩;长谷征洋 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子处理装置具备：在内部具备载置被处理基板的电极的等离子处理室；对等离子处理室提供等离子产生用的电力的电力提供部；和控制从该电力提供部对等离子处理室提供的电力的控制部，控制部执行：保温放电，在未将被处理基板载置于处理室的内部的电极的状态下，在第1条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第1等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到第1温度；急速温度调节放电，接下来在第2条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第2等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到比第1温度高的第2温度；和产品处理，在将被处理基板载置于电极的状态下，在第3条件下控制电力提供部来使等离子处理室的内部产生第3等离子，以对被处理基板进行处理。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]等离子体处理方法-CN201880010962.1在审
发明人：广田侯然;角屋诚浩;中宇祢功一;玉利南菜子;井上智己;中元茂 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的是提供等离子体处理方法，对半导体基板等的晶片进行等离子体蚀刻，能够通过晶片的蚀刻处理除去在处理室内堆积的金属与非金属的复合堆积物，并减少基于堆积物的异物的产生。本发明中，在处理室内对试料进行等离子体蚀刻并对所述处理室内进行等离子体清洗的等离子体处理方法的特征在于，具有如下工序：对预定个数的所述试料进行等离子体蚀刻的蚀刻工序；在所述蚀刻工序之后，使用等离子体来除去含有金属元素的堆积膜的金属除去工序；以及使用与所述金属除去工序的等离子体不同的等离子体，来除去含有非金属元素的堆积膜的非金属除去工序，其中将所述金属除去工序和所述非金属除去工序重复两次以上。
等离子体等离子体处理等离子体蚀刻金属除去堆积蚀刻堆积物室内晶片试料等离子体清洗半导体基板非金属元素金属元素蚀刻处理异物复合金属重复