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[发明专利]一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺-CN202310672745.1在审
发明人： 黎剑骑;汤安民;郭小勇;钟富强;杨文栋;唐旋 -专利权人：眉山琏升光伏科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅电池技术领域，具体涉及一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，对预清洗后的硅片进行一次吸杂和一次制绒后进行二次吸杂和二次制绒。针对在PECVD沉积非晶硅薄膜前工序，通过预处理联动整合优化，结合特定工艺参数的实施，在形成绒面前进行预清洗与吸杂，得到首次纯净的衬底硅，实现了传统工艺宏观上对衬底硅表面缺陷态的预处理，其次形成绒面后即形成金字塔绒面后再吸杂，实现微观上对硅片内部以及绒面坑洞上表面缺陷态的预处理，随后再进行去吸杂层与圆化预处理，大幅改善了衬底硅表面的纯净度，为非晶硅的沉积和钝化创造更有利的条件，从而提升了少数载流子的寿命，减少了复合损失，提高了HJT异质结电池的转换效率。
一种提升异质结电池转换效率衬底预处理工艺

[发明专利]一种提升可靠性及转换效率的银包铜异质结电池-CN202310618241.1在审
发明人： 黎剑骑;汤安民;郭小勇;王玉峰;杨文栋;唐旋 -专利权人：眉山琏升光伏科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升可靠性及转换效率的银包铜异质结电池，涉及HJT异质结电池技术领域，包括硅片衬底，硅片衬底正反两面均依次沉积有非晶硅层、透明导电膜层和金属电极组件，金属电极组件包括多个金属电极，各金属电极均包括依次层叠设置的第一金属电极层、第二金属电极层和第三金属电极层。本发明设计合理，通过复合电极的形式，大幅提升了金属电极的高宽比，增加受光面积，并且利用较低的纯银量作为薄膜层充当基底层和覆盖层，改善了银包铜接触电阻大以及体电阻大导致效率大幅降低的问题；解决了铜粉未完全包覆或铜粉暴露在电极表面导致易氧化从而可靠性受到影响的问题。
一种提升可靠性转换效率银包铜异质结电池

[发明专利]一种MWT太阳电池背电场结构及其制造方法-CN201911044386.5有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;许成德;王富强;楼诚侃 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种MWT太阳电池背电场结构，包括从上到下依次叠加的正面氮化硅膜、二氧化硅膜、PN结、硅片、三氧化二铝膜和背面氮化硅膜，硅片正面设有正电极银栅线和贯穿孔电极正面，背面设有全铝背场、贯穿孔电极背面和均匀分布的背电极，全铝背场上设有铝栅线背场，铝栅线背场与背面贯穿孔电极之间设有贯穿孔隔离槽。一种MWT太阳电池背电场制造方法，包括以下步骤：激光打孔；制绒；扩散；掩膜印刷；刻蚀；退火；镀膜；背面激光开槽；丝网印刷；烧结。在MWT电池背面开创了全铝背场与铝栅线相结合设计的方式，在不影响转换效率的同时，降低了Al金属浆料的消耗，极大避免Al金属粉末残留影响贯穿孔电极，保证了MWT太阳电池的安全高效地持续运行。
一种 mwt 太阳电池电场结构及其制造方法

[发明专利]一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺-CN201811565612.X有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;王富强;楼城侃 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅太阳电池制造技术领域，为解决双面电池背面小白点比例高的问题，提供了一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，包括以下步骤：(1)上料；(2)进舟；(3)升温；(4)吹扫；(5)抽真空；(6)氧化；(7)回压冷却；(8)出舟；(9)下料。本发明通过工艺设计，高温吹扫烘烤与低压快速排空相结合，使双面电池背面小白点比例不良率由20％下降至1％以内，大幅提高了双面电池的良率，提高了双面电池的可靠性，在低压高温快速排空环境下，为进行氧化时使硅片表面提供了更高的洁净度，使生长的SiO2更致密、更均匀，表面复合更少，从而为硅片提供了优良的钝化层。
一种改善双面电池白点变压氧化工艺

[发明专利]一种区域性分层沉积扩散工艺-CN201910339128.3有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;楼城侃;王富强 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，为解决现有PERC+LDSE电池片表面掺杂浓度过高、区域性扩散可控性弱、电池蓝光响应差、少子寿命低的问题，提供了一种区域性分层沉积扩散工艺，包括以下步骤：(1)硅片预处理；(2)预氧化；(3)低温低浓度磷源沉积；(4)高温中浓度磷源沉积；(5)形成PN结；(6)低温高浓度磷源沉积；(7)冷却，推出石英舟，将硅片取出。本发明采用区域性分层扩散控制，让硅片表面既有均匀的磷硅玻璃层，利于激光SE重掺杂，从而提高电池片的欧姆接触和良好的接触性能；又能使发射极区域有低的掺杂浓度和高质量的PN结，从而使电池片有优异的蓝光响应和高少子寿命的特点，最终提升电池片的转换效率。
一种区域性分层沉积扩散工艺

[发明专利]ALD方式PERC电池降低污染和提升转换效率的方法-CN201911274189.2有效
发明人：许成德;孙涌涛;黎剑骑 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏电池技术领域，为解决传统ALD方式PERC电池EL测试存在发黑现象和转换率低的问题，提供了一种ALD方式PERC电池降低污染和提升转换效率的方法，包括以下步骤：(1)将镀好氧化铝薄膜的电池片进镀正面减反射薄膜炉管中；(2)炉管升温，气体抽干净，充氮气，调节炉管内压力；(3)完成电离气体制作成等离子体；(4)完成多层减反射薄膜沉积；(5)完成电池片正面减反射薄膜沉积。本发明利用高能量的等离子体轰击去除电池片正表面的氧化铝薄膜，使后续烧结工序正银浆能够很好的穿透电池片正面的减反射薄膜层，从而与硅片形成良好的欧姆接触，降低接触电阻，有利于效率提升，和改善电池片测试EL发黑比例。
ald 方式 perc 电池降低污染提升转换效率方法

[实用新型]一种MWT太阳电池背电场结构-CN201921844807.8有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;许成德;王富强;楼诚侃 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MWT太阳电池背电场结构，包括硅片，所述硅片上表面设有PN结，硅片表面覆盖二氧化硅膜，硅片表面依次电镀三氧化二铝膜和氮化硅膜，硅片上设有贯穿孔电极，硅片正面设有正电极银栅线，背面设有背场，所述背场包括全铝背场和铝栅线背场。该结构开创了全铝背场与铝栅线相结合设计的方式，在不影响转换效率的同时，降低了Al金属浆料的消耗量，减少了贯穿孔电极区域隔离槽外的Al背场的面积，很大程度上避免Al金属粉末残留沾污贯穿孔电极，导致电池反向电流大、并联电阻低和漏电比例高的问题。
一种 mwt 太阳电池电场结构

[发明专利]一种晶硅太阳电池的热氧化方法-CN201810741742.8有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;彭兴;楼彩霞 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池领域，公开了一种晶硅太阳电池的热氧化方法，本发明方法对氮流量、氧流量、通气时间、压力和温度采用了特定的阶梯式控制，能够有效地在晶硅太阳电池表面生长一层均匀、高质量的SiO钝化膜，使硅片表面晶格缺陷和悬挂键缺陷能很好的修复，并能将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的转换效率。
一种太阳电池氧化方法

[发明专利]一种PERC工艺ALD铝材花篮的清洗方法-CN201810780979.7有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;楼彩霞 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种PERC工艺ALD铝材花篮的清洗方法，可针对PERC工艺ALD铝材花篮以及卡槽处的ALO进行清洗，具有优良的清洗效果，对铝材花篮损伤小、并能杜绝铝材花篮卡槽处EL发黑的效果。
一种 perc 工艺 ald 花篮清洗方法

[发明专利]一种PERC双面太阳电池湿法刻蚀工艺-CN201811038411.4有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;任良为;王富强;彭兴 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅太阳电池制造技术领域，为解决传统湿法刻蚀后刻蚀面绒面不均匀，导致背面SiN颜色离散性大和转换效率低的问题，提供了一种PERC双面太阳电池湿法刻蚀工艺，包括以下步骤：(1)滴水形成水膜；(2)一次刻蚀；(3)纯水清洗；(4)二次刻蚀；(5)纯水清洗；(6)酸洗；(7)纯水清洗；(8)烘干。本发明对硅片背面分别进行了初次刻蚀和再次刻蚀，不仅去除了硅片背面和边缘的PN结以及硅片背面的多孔硅，还使得硅片背面绒面均匀性好，出绒率高，对太阳光的吸收好，最终使背面转换效率达到0.2％的提升，双面率可提升10％；背面绒面更均匀，使得背面镀膜后SiN颜色一致性好，背面颜色合格率从97％提升到99.5％，效果显著。
一种 perc 双面太阳电池湿法刻蚀工艺

[实用新型]一种用于改善电池片EL污染的叠层皮带-CN201821283748.7有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B65G15/30 文献下载
摘要：本实用新型属于晶硅太阳电池生产技术领域，尤其涉及一种用于改善电池片EL污染的叠层皮带。包括基层皮带、隔离层皮带、接触皮带和皮带传动轮，基层皮带与皮带传动轮配合，隔离皮带设置在基层皮带上，接触皮带设置在隔离皮带上。基层皮带与接触层带存在一定高度差以及距边度，且隔离层皮带能隔离基层皮带与接触层皮带的粉末状物质，从而能够避免因单层皮带与皮带传动轮长期运行中出现磨损掉粉直接污染硅片，从而减少EL下不良片的产生，达到降低生产成本的目的。
皮带皮带传动轮基层电池片隔离层接触层隔离叠层污染晶硅太阳电池本实用新型粉末状物质长期运行生产技术高度差单层掉粉硅片磨损配合

[实用新型]低压扩散凝结器及真空装置-CN201820952360.5有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低压扩散凝结器及真空装置，包括壳体、高温气体缓冲镂空板、冷却机构和收集机构，所述壳体内具有冷却腔，壳体上设置有分别连通所述冷却腔的高温进气口和高温出气口，所述高温进气口连通高温进气管，所述高温出气口连通高温出气管；所述高温气体缓冲镂空板位于所述冷却腔内，且将高温进气口与高温出气口隔离；所述冷却机构位于所述壳体内，或者，所述冷却机构位于所述壳体外层；壳体的底部设置有排液孔，所述排液孔连通所述收集机构。
连通高温出气口高温进气口冷却机构冷却腔壳体高温气体收集机构真空装置凝结器排液孔镂空板缓冲体内本实用新型扩散壳体外层出气管进气管隔离

[发明专利]一种湿法刻蚀方法-CN201811080923.7在审
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;徐乐 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种湿法刻蚀方法，创新性的采用了链式与槽式相结合的湿法刻蚀方法，完美的解决了传统链式湿法刻蚀所导致的EL滚轮印、皮带印、黑点黑斑等问题，同时，除刻蚀槽外其他槽体滚轮不再使用，碱槽喷淋不再使用，从而减少了设备耗材的消耗与维护，极大的降低了设备的维护成本和极大的提高了生产效率。另外，本发明湿法刻蚀中碱槽不再使用喷淋，彻底解决了喷淋易堵塞而导致背面多孔硅去除不干净的隐患。
湿法刻蚀喷淋碱槽链式黑斑生产效率创新性多孔硅滚轮印刻蚀槽槽式槽体滚轮耗材黑点皮带去除背面堵塞维护消耗

[发明专利]一种PERC电池背场激光开槽图形-CN201810725876.0在审
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;楼彩霞;彭兴 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：PERC电池背场激光开槽图形，单硅晶片上设有背电极、直线开槽区、线段开槽区。在每个线段开槽区内，每个头尾相邻的两个线段开槽区间间均设有一个间隔区。线段开槽区和间隔区设在相应的相邻两个的直线开槽区之间的区域内，或者设在最边上的一个直线开槽区与相应的单硅晶片边缘之间。若干背电极均分成若干背电极组，同一个背电极组中两个相邻背电极间的前后间距相等，相邻两个背电极组件间的相邻两个背电极的左右间距相等。优点是：具有既能够有效的保留更多面积的钝化膜区域，减少对背钝化层的破坏作用，同时，又能够改善因线段开槽所带来铝硅接触电阻大的问题，从而提高太阳电池片开路电压、短路电流，进而最终提升太阳电池片的转换效率。
背电极线段开槽区开槽太阳电池片激光开槽间距相等间隔区背场单硅电池短路电流接触电阻晶片边缘开路电压转换效率钝化层钝化膜晶片铝硅保留

[实用新型]一种PERC电池背场激光开槽图形-CN201821056696.X有效
发明人： 黎剑骑;孙涌涛;楼彩霞;彭兴 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：PERC电池背场激光开槽图形，单硅晶片上设有背电极、直线开槽区、线段开槽区。在每个线段开槽区内，每个头尾相邻的两个线段开槽区间间均设有一个间隔区。线段开槽区和间隔区设在相应的相邻两个的直线开槽区之间的区域内，或者设在最边上的一个直线开槽区与相应的单硅晶片边缘之间。若干背电极均分成若干背电极组，同一个背电极组中两个相邻背电极间的前后间距相等，相邻两个背电极组件间的相邻两个背电极的左右间距相等。优点是：具有既能够有效的保留更多面积的钝化膜区域，减少对背钝化层的破坏作用，同时，又能够改善因线段开槽所带来铝硅接触电阻大的问题，从而提高太阳电池片开路电压、短路电流，进而最终提升太阳电池片的转换效率。
背电极线段开槽区开槽太阳电池片激光开槽间距相等间隔区背场单硅电池短路电流接触电阻晶片边缘开路电压转换效率钝化层钝化膜晶片铝硅保留

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