“臼井友辉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于细胞的选择性分离或用于细胞培养的经聚合物被覆的基体-CN201880046103.8有效
发明人：北野博巳;中路正;臼井友辉;西野泰斗;岸冈高广 -专利权人：国立大学法人富山大学;日产化学株式会社
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C07K17/08 文献下载
摘要：本发明提供在表面的至少一部分被覆有包含下述式(1a)及式(1b)表示的结构单元的聚合物(P1)的带配体的基体及其原材料、以及其制造方法。式中，R1、R2、X、Y、L、Q1、Q2、Q3、m1、m2及n如权利要求书及说明书中记载。#imgabs0#
用于细胞选择性分离细胞培养聚合物被覆基体

[发明专利]用于异物除去的涂膜形成用组合物-CN201880014924.3有效
发明人：岸冈高广;田村护;臼井友辉;绪方裕斗 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。
用于异物除去形成组合

[发明专利]异物除去用涂膜形成用组合物-CN202180049745.5在审
发明人：岸冈高广;臼井友辉;森谷俊介 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供在半导体装置制造工序中用于将形成在基板上的异物除去的简便的方法，并提供那样的方法所使用的异物除去用涂膜形成用组合物。一种组合物，是包含聚合物和溶剂、能够形成溶解于显影液的涂膜的异物除去用涂膜形成用组合物，上述聚合物选自苯酚酚醛清漆、聚羟基苯乙烯衍生物和含有羧酸的聚合物，所述组合物包含相对于组合物中的固体成分整体为50质量％以上的上述聚合物。
异物除去用涂膜形成组合

[发明专利]层叠体及剥离剂组合物-CN202180052586.4在审
发明人：奥野贵久;臼井友辉;绪方裕斗;森谷俊介;柳井昌树;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板；设为与上述半导体基板相接的剥离层；以及设于上述支承基板与上述剥离层之间的粘接层，上述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，上述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×103Pa·s～0.75×103Pa·s，上述膜的厚度为0.01μm～4.90μm。
层叠剥离组合

[发明专利]包含特定交联剂的保护膜形成用组合物及使用了该组合物的图案形成方法-CN201780026762.0有效
发明人：大桥智也;绪方裕斗;桥本雄人;臼井友辉;境田康志;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。作为解决手段是一种对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：1分子中具有2个以上选自缩水甘油基、末端环氧基、环氧环戊基、环氧环己基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基、异氰酸酯基和封闭异氰酸酯基中的至少1种基团的交联剂，侧链或末端具有下述式(1)所示的基团且重均分子量为800以上的化合物，以及有机溶剂。(式中，X1表示与上述交联剂反应的取代基，R0表示直接结合或碳原子数1或2的亚烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数，c表示0～4的整数，b与c满足1≤(b+c)≤5的关系式。)。
包含特定交联剂保护膜形成组合使用图案方法

[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法-CN201780015920.2有效
发明人：绪方裕斗;臼井友辉;田村护;岸冈高广 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供具有大的干蚀刻速度、在曝光时作为防反射膜起作用、并且能够将窄间隙和高长宽比的凹部埋入的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的结构单元的共聚物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，Z表示‑O‑基、‑S‑基或‑S‑S‑基，Ar表示亚芳基。)
抗蚀剂下层形成组合使用图案方法

[发明专利]阳离子聚合性抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201680018426.7有效
发明人：绪方裕斗;木村茂雄;臼井友辉;大桥智也;岸冈高广 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本申请的课题在于提供一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜在半导体装置制造的光刻工艺中，不仅能够作为减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂层的曝光照射光从基板的反射的下层防反射膜来使用，而且特别适合作为用于将具有凹凸的半导体基板平坦地埋入的平坦化膜来使用。作为解决本发明课题的手段为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)分子内具有环状脂肪族骨架、1个以上环氧基以及光吸收部位的脂环式环氧化合物，(B)热产酸剂以及(C)溶剂。
阳离子聚合性抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]绝缘膜用树脂组合物-CN201980007733.9在审
发明人：大桥拓矢;饭沼洋介;服部隼人;臼井友辉;泽田和宏 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C08G73/12 文献下载
摘要：本发明提供作为树脂组合物的可获得介电常数、介质损耗角正切被进一步降低化了的固化体的绝缘膜用树脂组合物、感光性树脂组合物、使用该感光性树脂组合物来制造固化浮雕图案的方法、以及具备该固化浮雕图案的半导体装置。一种绝缘膜用树脂组合物，是含有聚酰亚胺前体、以及聚酰胺酸酯、热酰亚胺化促进剂和溶剂的聚酰亚胺前体组合物，热酰亚胺化促进剂包含：具有羧基和能够通过热被脱保护而显示碱性的氨基或亚氨基，且在保护基脱离前不促进聚酰亚胺前体的酰亚胺化的化合物。本发明还涉及进一步包含光聚合引发剂的感光性绝缘膜用树脂组合物。特别适合用于半导体装置制造中的再配线层形成用途。
绝缘树脂组合

[发明专利]包含具有甘脲骨架的化合物作为添加剂的抗蚀剂下层膜形成组合物-CN201780021847.X有效
发明人： 臼井友辉;岸冈高广;境田康志;绪方裕斗 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供抗蚀剂下层膜形成组合物以及使用该组合物的抗蚀剂下层膜和半导体装置的制造方法，在半导体装置制造的光刻工艺中，利用具有甘脲骨架的化合物添加剂增强防止形成在基板上的抗蚀剂图案的图案倒塌的功能。使用下面的式(1‑1)的抗蚀剂下层膜形成组合物用添加剂： (式(1‑1)中，R1～R4各自是由选自由有机基团组成的组中的至少一个基团取代氢原子后的C2～10烷基或C2～10烯基，所述有机基团包含羟基、硫醇基、羧基、C1～5烷氧基乙基、C1～5烷基磺酰基和酯键，能够全部相同也能够不同，R5和R6各自表示选自氢原子、C1～10烷基和苯基中的基团)。
包含具有骨架化合物作为添加剂抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201880045116.3在审
发明人：绪方裕斗;臼井友辉;远藤雅久;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的结构单元的共聚物和溶剂。(在上述式中，X表示碳原子数2～10的二价链状烃基，该二价链状烃基可以在主链具有至少1个硫原子或氧原子，此外可以具有至少1个羟基作为取代基，R表示碳原子数1～10的链状烃基，2个n分别表示0或1。)
抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]应用了抗蚀剂下层膜的图案形成方法-CN201480046626.4有效
发明人：大桥智也;木村茂雄;臼井友辉;绪方裕斗 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种使用了对碱性过氧化氢水溶液具有耐性的抗蚀剂下层膜的图案形成方法。作为解决本发明课题的方法为一种图案形成方法，其包括下述工序：第1工序，在表面可以形成无机膜的半导体基板上，涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含重均分子量1000～100000的具有环氧基的聚合物和溶剂；第2工序，在上述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案；第3工序，将上述抗蚀剂图案作为掩模对上述抗蚀剂下层膜进行干蚀刻，使上述无机膜或上述半导体基板的表面露出；以及第4工序，将干蚀刻后的上述抗蚀剂下层膜作为掩模，使用碱性过氧化氢水溶液对上述无机膜或上述半导体基板进行湿蚀刻。
应用抗蚀剂下层图案形成方法

[发明专利]含有主链具有三嗪环及硫原子的共聚物的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201480070299.6有效
发明人：绪方裕斗;岸冈高广;广井佳臣;大桥智也;臼井友辉 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的结构单元及下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联性化合物、交联催化剂以及溶剂。(式中，A表示含三嗪环的2价的有机基团，X¹表示‑S‑基或‑O‑基，Q表示碳原子数1～15的直链状、支链状或环状的烃基，该烃基可以在主链上具有至少1个硫原子或氧原子，也可以具有至少1个羟基作为取代基，n表示0或1，R¹及R²各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，Z表示具有至少1个硫原子或氧原子的2价的基团，X¹表示‑O‑基时，Z表示具有至少1个硫原子的2价的基团。)
含有具有三嗪环原子共聚物抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]包含含有酰胺基的聚酯的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201780062564.X在审
发明人：田村护;绪方裕斗;臼井友辉;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-10-03 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C07C233/43 文献下载
摘要：本发明提供能够获得特别是在KrF工艺中发挥充分的防反射功能、高耐溶剂性和干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、并可以形成良好的截面形状的光致抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含共聚物，所述共聚物包含：来源于二环氧化合物的结构单元(A)；以及来源于下述式(1)所示的化合物的结构单元(B)，(式中，A表示苯环、或环己烷环，X表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、或碳原子数2～11的烷氧基羰基，所述碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的烷氧基可以具有卤素取代基，Y表示‑COOH、或‑L‑NHCO‑Z‑COOH，Z表示可以被氧原子、硫原子或氮原子中断的碳原子数3～10的亚烷基，L表示单键、或间隔基)。
碳原子数抗蚀剂下层膜形成用组合物式( 1 )烷基烷氧基光致抗蚀剂图案二环氧化合物防反射功能共聚物包含卤素取代基烷氧基羰基环己烷环截面形状耐溶剂性氮原子干蚀刻共聚物间隔基硫原子氢原子亚烷基氧原子酰胺基苯环单键聚酯式中中断

[发明专利]包含具有乙内酰脲环的化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201780040019.0在审
发明人：绪方裕斗;后藤裕一;远藤雅久;臼井友辉;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供包含具有乙内酰脲环的化合物的、新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含1分子中具有至少2个下述式(1)所示的取代基的化合物、和溶剂。(式中，R₁和R₂各自独立地表示氢原子或甲基，X₁表示碳原子数1～3的羟基烷基、或主链具有1个或2个醚键的碳原子数2～6的烷基。)
抗蚀剂下层膜形成用组合物式( 1 )碳原子数乙内酰脲烷基羟基烷基氢原子溶剂醚键式中主链

1
共 14 条