“H01L21/3213”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果431个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法-CN201980028945.5在审
发明人：张闻宇;杨逸雄;马里奥·D·桑切斯;蹇国强;唐薇;伯·F·马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-01 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：处理方法包括以蚀刻剂蚀刻金属氮化物层。蚀刻剂可例如为WCl5、WOCl4或TaCl5。也公开了改善蚀刻工艺选择性的方法。
选择性蚀刻工艺提高方法

[发明专利]蚀刻剂组合物-CN201980045966.8在审
发明人：安吉拉·海克;王洪志;大卫·罗 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻剂组合物，尤其是涉及一种水性掩模层蚀刻剂组合物，其用于从衬底(例如半导体晶片)的表面将钨掺杂的碳掩模层移除。该组合物包含：(a)基于该组合物的总重量，10到40wt.％的过氧化氢；以及(b)基于该组合物的总重量，0.1到2.0wt.％的一或多种腐蚀抑制剂。
蚀刻组合

[发明专利]一种半导体台面金属剥离方法-CN202010566213.6有效
发明人：王秋建;刘智;王颖 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体台面金属剥离方法，包括如下步骤：S1采用高黏度光刻胶对晶圆台面和外围涂胶，之后依次曝光、显影，保留外围的高黏度光刻胶；S2加热烘烤经过S1步骤得到的晶圆，固化高黏度光刻胶；S3采用低黏度负性光刻胶对经过S2步骤得到的晶圆台面和外围涂胶，之后依次曝光、显影、坚膜、蒸发金属和去胶，得到电极。本发明使用高黏度光刻胶对晶圆台面和外围涂胶，曝光显影保留外围的涂胶，高黏度光刻胶固化形成衬底；采用低黏度负性光刻胶直接在衬底上涂敷，低黏度负性光刻胶和固化的高黏度光刻胶配合对晶圆侧壁进行完整包裹，能够避免蒸发金属环节污染晶圆侧壁，保证胶层平整均匀，有助于后续的金属剥离。
一种半导体台面金属剥离方法

[发明专利]天然氧化物穿通后的硅芯轴刻蚀-CN201980044826.9在审
发明人： C·闫;宋采文;羅紹安;仲華;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：提供了用于在工件上进行含硅材料去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，方法可包括使用感应耦合元件在第一腔室中由工艺气体生成物质。方法可包括引入含氟气体与物质以形成混合物。混合物可包括将工件的硅结构暴露于混合物以去除至少一部分的硅结构。
天然氧化物穿通后硅芯轴刻蚀

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201711086262.4有效
发明人：张海洋;纪世良 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，在第一金属硬掩膜层的上方先旋涂一层主要由金属氧化物形成的第二金属硬掩膜层，并在第二金属硬掩膜层上再覆盖一层盖硬掩膜层，通过盖硬掩膜层来形成多个第一开口，由此可以获得较大且形貌较好的工艺窗口，避免光刻图形直接向第二金属硬掩膜和/或第一金属硬掩膜层转移时产生的工艺窗口小、开口形貌欠佳、堆叠对准偏差、开口坍塌以及开口中有大量聚合物残留等问题，且以具有第一开口的盖硬掩膜层为掩膜来刻蚀下方相应叠层形成目标开口时，第二金属硬掩膜层的耐刻蚀性能够改善形成的目标开口的侧壁形貌，而且在目标开口形成后第二金属硬掩膜层又易于去除，能够减小所述目标开口中的刻蚀残留物的产生。
半导体器件制造方法

[发明专利]图案形成方法以及使用其的半导体器件制造方法-CN201610974299.X有效
发明人：千宰协;林庭燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种用于形成图案的方法包括：形成刻蚀目标层；刻蚀刻蚀目标层，以形成具有线形成部分和多个焊盘部分的预图案；形成穿过焊盘部分和线形成部分延伸的多个间隔件；在间隔件之上形成阻挡层，阻挡层具有阻挡焊盘部分并且暴露出线形成部分的开口；以及通过将阻挡层和间隔件用作阻障来刻蚀线形成部分，以形成多个线。
图案形成方法以及使用半导体器件制造

[发明专利]晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统-CN201910688718.7在审
发明人：芦冬云;张琼 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统，所述控制方法包括：获取晶圆片对应的第一区域；获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域；其中，所述第二区域中排布若干个管芯；根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域；在对所述TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯对所述目标区域进行填充。本发明使得整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无Ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。
晶圆片上 tiniag 腐蚀均匀控制方法系统

[发明专利]刻蚀方法、低温多晶硅薄膜晶体管及AMOLED面板-CN201810068807.7有效
发明人：卢朋;祝汉泉;谢志生;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开一种刻蚀方法、低温多晶硅薄膜晶体管及AMOLED面板。该刻蚀方法包括：向工艺腔室通入六氟化硫SF6和氧气O2对金属钼Mo层进行刻蚀，得到氟化钼MoFx；通入氯气Cl2和氧气O2对金属钼Mo层进行刻蚀，得到氯化钼MoClx；通入氟基刻蚀气体和氧气O2与所述MoClx反应，得到易挥发的氟氧化钼MoFxOy。本发明提供的方案，能减少干法刻蚀生成物的残留，解决AMOLED面板显示屏的显示异常现象。
刻蚀方法低温多晶薄膜晶体管 amoled 面板

[发明专利]一种超微型芯片嵌样研磨的方法-CN201810939039.8有效
发明人：王亮 -专利权人：苏州芯联成软件有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种超微型芯片嵌样研磨的方法，所述的超微型芯片包括基板以及制备于所述基板上的金属层，所述的金属层包括第一层金属层、第二层金属层、第三层金属层、第四层金属层和第五层金属层，采用研磨嵌样的方法自上而下依次去除所述第五层金属层、第四层金属层、第三层金属层、第二层金属层和第一层金属层的阻挡层。通过上述，本发明的超微型芯片嵌样研磨的方法，对芯片的边缘增强了保护，并增加了与研磨布的接触面积，从而保证了芯片结构在研磨时的完整，并大幅降低了由于上压力不均匀对芯片表面带来的不平整的影响，可以有利于后续样品的分析。
一种微型芯片研磨方法

[发明专利]一种改善钝化层表面金属腐蚀残留的腐蚀工艺-CN202011117109.5在审
发明人：陈荣华;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种改善钝化层表面金属腐蚀残留的腐蚀工艺。涉及一种半导体制造—湿法腐蚀工艺技术领域，尤其涉及一种改善钝化层表面金属腐蚀残留的腐蚀工艺。提供了一种提高产品线条美观、降低产品过腐蚀导致报废的高风险的一种改善钝化层表面金属腐蚀残留的腐蚀工艺。本发明中用NIAG腐蚀液取代AL腐蚀液：NIAG腐蚀液的腐蚀速率比AL腐蚀液慢，在保证了产品线条美观的同时也降低了产品过腐蚀导致报废的高风险。用NIAG腐蚀液取代AL腐蚀液的前提为保证NIAG腐蚀的过程中，金属层表面不存在NIO和NI是极易被氧化的金属，本案在第一次经过PBE腐蚀液后不过水槽，直接进行NIAG腐蚀就避免了NI被氧化的问题。本发明具有提高产品线条美观、降低产品过腐蚀导致报废的高风险等特点。
一种改善钝化表面金属腐蚀残留腐蚀工艺

[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台-CN202011136319.9在审
发明人：佐佐木芳彦;南雅人;藤永元毅;神户乔史;山涌纯;宇贺神肇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
等离子体蚀刻方法装置基板载置台

[发明专利]一种改善关键尺寸均匀性的方法-CN201811082512.1有效
发明人：何发梅 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种改善关键尺寸均匀性的方法，属于半导体制造技术领域，包括：采用一第一光罩刻蚀隔离层，以去除位于金属格区域和连续区域的隔离层，并保留位于分立区域的隔离层，位于金属格区域的金属布线层构成金属格，位于分立区域的外围金属结构和隔离层构成台阶，第一光罩具有对应金属格区域和连续区域的第一刻蚀窗口；依次进行光刻处理和后续处理得到具有预设的关键尺寸的目标晶圆。本发明的有益效果：改善提高晶圆中心金属格边沿关键尺寸的均匀性，增大蚀刻的控制范围，提高产线的稳定性。
一种改善关键尺寸均匀方法

[发明专利]微图案、电容器、半导体器件和电子系统及其制造方法-CN201711374869.2有效
发明人：河淳穆;金载熙;黄灿;金钟赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种形成微图案的方法包括：在基板上形成模层和支撑材料层；图案化模层和支撑材料层以形成凹槽图案；在凹槽图案中形成导体图案；去除支撑材料层的上部分以使得导体图案的上部分突出；在支撑材料层上形成嵌段共聚物层；处理嵌段共聚物层以将嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；选择性地去除相分离的所述多个嵌段部分中的一些；以及去除支撑材料层以在与已去除的嵌段部分中的每个对应的位置处暴露模层。
图案电容器半导体器件电子系统及其制造方法

[发明专利]用于集成电路制造的方法-CN202010166851.9在审
发明人：瑞英;刘彤;李宜芳;D·科隆博;S·博尔萨里;A·约翰逊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种用于集成电路制造的方法包括在衬底的外部形成金属材料。至少大部分(即高达并且包括100％)的所述金属材料含有元素形式、金属化合物形式或合金形式中的至少一种形式的钌。在所述含钌金属材料的外部形成掩模材料。所述掩模材料包括九种具体列举的材料或材料类别中的至少一种。当蚀刻穿过所述含钌金属材料的暴露部分以形成包括所述含钌金属材料的集成电路的特征件时，将所述掩模材料用作掩模。
用于集成电路制造方法

[发明专利]多重图案化方法-CN201810271979.4有效
发明人：范振豊;陈志壕;陈文彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：描述了半导体工艺中用于图案化的方法。形成其中具有切口的伪层。在伪层上方形成第一牺牲层，并且第一牺牲层的至少部分设置在切口中。在第一牺牲层上方形成第二牺牲层。将第二牺牲层图案化为具有第一图案。使用第二牺牲层的第一图案，将第一牺牲层图案化为具有第一图案。去除第二牺牲层。之后，包括改变第一牺牲层的第一图案的尺寸来在第一牺牲层中形成第二图案。使用第一牺牲层的第二图案，图案化伪层。沿着图案化的伪层的相应的侧壁形成掩模部分。使用掩模部分形成掩模。本发明的实施例还涉及多重图案化方法。
多重图案方法