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[实用新型]一种窄束型线性离子源-CN201721242067.1有效
发明人：李齐雍;宋光耀;许晓雷;叶平 -专利权人：深圳市鼎力真空科技有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种窄束型线性离子源，包括阴极外环盖板、阴极内环盖板、阴极壳体、环形阳极、绝缘支柱、条形磁钢、气体电离室和环形离子束引出口；本实用新型整个环形区域都可以实现电离，离子线束较为集中，效率高；进气均匀，合理的气流布置和均布的气孔；磁场排布使用条形磁铁均匀布置，磁场均匀性好；电、磁场处于正交位置；气体电离室的高度较小，可防止气体电离室内部气体电离几率；充足的水冷条件，对阴极、阳极、磁场同时水冷，可防止温度升高导致退磁的功能；结构简易，拆装方便，易于维护。
一种窄束型线性离子源

[实用新型]离子源-CN201721103207.7有效
发明人：甲斐裕章;西村一平 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种离子源(IS)，能够调整等离子体生成室(6)内的阴极配置，提高与等离子体生成有关的离子化气体的利用效率。离子源(IS)在等离子体生成室(6)的周围具备永磁铁(10)，其中，具备：阴极(1)，向等离子体生成室(6)内供给电子；支承基体(B)，对阴极(1)进行支承，配置在等离子体生成室(6)的外侧；贯通孔(H)，形成在等离子体生成室(6)的壁面，供阴极(1)插通；以及伸缩部件(4)，覆盖贯通孔(H)的周围，将等离子体生成室(6)的外壁面与支承基体(B)之间的空间保持为气密，使支承基体(B)与等离子体生成室(6)的外壁之间的距离可变。
离子源

[发明专利]离子生成装置及离子生成方法-CN201410645296.2有效
发明人：佐藤正辉 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供一种离子生成装置及离子生成方法，其目的在于提供一种在注入离子时减少重金属离子的污染、且生成高生产率的离子的技术。所述离子生成装置(10)具备电弧室(12)，至少一部分由含有碳的材料构成；热电子放出部(14)，向电弧室(12)内放出热电子；及气体导入口(24)，将源气体及Cokes气体导入电弧室(12)内。导入电弧室的源气体中含有卤化物气体，导入电弧室的Cokes气体中含有具有碳原子及氢原子的化合物。
离子生成装置方法

[发明专利]用于在扫描束离子布植器中提高束利用率的方法-CN201580006793.0有效
发明人：舒·佐藤 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用以增加离子束利用率的剂量系统和方法，其中一个或多个侧法拉第杯沿着离子束路径而设置,并被用于感测其电流。一个或多个侧法拉第杯所分开的距离与工件直径有关。离子束跨越工件往返扫描，窄扫描和宽扫描交错着，其中窄扫描是由靠近工件边缘的逆转扫描方向来定，宽扫描是由位于侧法拉第杯的外部区域处的逆转扫描方向来定。
用于扫描离子布植器中提高利用率方法

[发明专利]离子发生装置及热电子放出部-CN201510256446.5有效
发明人：佐藤正辉 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减少阴极的维护频率的离子发生装置及热电子放出部。本发明的离子发生装置具备电弧室(12)；阴极(30)，从电弧室(12)的内部向外轴向延伸，且向电弧室内放出热电子；筒状热反射器(56)，设置于阴极(30)的径向外侧，且沿轴向延伸；及狭小结构(60)，在夹在阴极(30)与热反射器(56)之间的间隙(58)，径向宽度WB在轴向规定位置变小。
离子发生装置电子放出

[实用新型]具有双热电子源的离子源-CN201720756660.1有效
发明人：粘俊能 -专利权人：粘俊能
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有双热电子源的离子源，包含一电弧室及一电源供应装置；其中该电源供应装置的一低压电弧电源供应单元耦接并输出一电压至该电弧室的本体及其两侧的第一及第二热电子源；该电压落在20V至45V电压范围之间，令热电子及离子通过由此电压建立的加速电场后，其能量减弱；该低能量的离子对各该第一及第二热电子源造成的喷溅效应可较和缓，以延长了各该第一及第二热电子源的使用寿命，而低能量的热电子则可避免热电子多次撞击已离子化的离子，有效减少不必要的二价或三价带正电的离子，相对提高离子束(萃取电流)中所需要离子的比例。
具有电子离子源

[发明专利]离子注入装置的运转方法及清洗方法-CN201610200538.6有效
发明人：张豪峰;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及离子注入技术领域，特别是涉及离子注入装置的运转方法及清洗方法，其包括如下步骤引入步骤引入缓慢上升至预设流量的工艺气体；施加步骤施加缓慢上升至预设电压的引出电压；判断步骤判断预设流量和预设电压是否达到目标值，均是，则停止引入工艺气体及停止施加引出电压。上述离子注入装置的运转方法及清洗方法，使得离子源的引出电极系统受到较小的束流冲击，输出电压波动保持在可接受的范围内，同时使得离子源、电极板、工艺腔室等的温度回升至接近注入时的温度时，其所吸附的气体得到释放，重启后气压几乎不再有波动，所引出的离子束相对均匀，从而可以较快启动并稳定离子源。
离子注入装置运转方法清洗

[发明专利]用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备-CN201710706402.7在审
发明人：罗伯特·凯姆;约瑟夫·D·斯威尼;安东尼·M·阿维拉;理查德·S·雷 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2011-02-26 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请涉及用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备，并提供一种离子注入系统和方法，其中，通过利用富含同位素的掺杂剂材料，来提高离子注入系统的离子源的性能和寿命，或通过利用具有可有效地提供这种提高的补充气体的掺杂剂材料来实现。
用于提高离子注入系统中的离子源寿命性能方法设备

[发明专利]一种高磁场下微型潘宁离子源-CN201610615061.8有效
发明人：贾先禄;宋国芳;张天爵 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明属于超导回旋加速器技术领域，具体涉及一种高磁场下微型潘宁离子源，包括通过阳极支架设置在一对能够产生高磁场的电磁铁之间的中空的阳极筒，阳极筒两端设有一对阴极，阴极通过第一绝缘件、第二绝缘件设置在阳极支架上，阳极支架中设有氢气管道，氢气管道能够将氢气送入阳极筒中，阴极上能够加载高频电压，其中，阳极筒的长为50mm，内腔直径为2.3mm，筒壁厚度为0.75mm，筒体一侧设有长6‑10mm、宽0.5mm的引出缝；阴极、第一绝缘件、第二绝缘件、阳极支架的出气不影响离子源中的真空度；出气是指材料在真空中放出气体。该离子源结构紧凑，能够设置在微小狭窄的空间内。能够在很低的气压下发生放电，满足超导等时性回旋加速器的设计需求。
一种磁场微型离子源

[发明专利]铝掺杂剂组合物、其储存和递送方法、以及含有该组合物的低于大气压的储存和递送包装-CN201480030681.4有效
发明人： A.K.辛哈;L.A.布朗 -专利权人：普莱克斯技术有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：提供了用于使用铝掺杂剂组合物的方法和系统。选择铝掺杂剂组合物的组合物，其由式AlxRyLz代表，其中R是甲基，L是Cl、F、I或Br，x是1或2，由此若x=1，那么y=1或2且若x=2，那么y=2‑4，及对于x=1或x=2，z=3x–y。组合物具有足够的蒸汽压和最少的碳含量，从而使得能够容易地向离子注入过程递送并在Al离子注入期间显著减少碳沉积。源材料优选由低于大气压的储存和递送设备来储存和递送，以增强在Al离子注入过程期间的安全性和可靠性。
掺杂组合含有低于大气压储存递送包装以及方法

[发明专利]一种射频偏压供电的磁控溅射金属铝离子源-CN201510921731.4有效
发明人：孙雪平;袁卫华;彭立波;易文杰;张赛;钟新华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频偏压供电的磁控溅射金属铝离子源，包括弧室，作为等离子体生成弧室和阳极，弧室内导入含氟可电离气体；灯丝，作为热阴极灯丝并设置在弧室内，灯丝用来发射电子；氮化铝反射电极，设置在弧室内的一侧，作为铝离子生成源，在阳极与氮化铝反射极间施加来自于射频电源的电压；磁铁，安装在弧室内以产生磁场；引出电极，用来引出铝离子束流；偏压电源，设置在灯丝和弧室之间，电子在偏压电源生成的电场作用下飞向弧室，氟离子在电场作用下加速飞向灯丝。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、效率更高等优点。
一种射频偏压供电磁控溅射金属离子源

[发明专利]使用基于气体团簇离子束技术的中性射束处理的超浅蚀刻方法以及由此产生的物品-CN201680012562.5在审
发明人：肖恩·R·柯克帕特里克;理查德·C·什夫卢加 -专利权人：艾克索乔纳斯公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：一种用于浅蚀刻基板表面的方法，使用加速中性射束形成覆盖未改性的基板的浅改性基板层，并蚀刻改性层，在下方未改性的基板处停止以产生受控浅蚀刻基板表面。
使用基于气体离子束技术中性处理蚀刻方法以及由此产生物品

[发明专利]用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备-CN201710707294.5在审
发明人：罗伯特·凯姆;约瑟夫·D·斯威尼;安东尼·M·阿维拉;理查德·S·雷 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2011-02-26 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请涉及用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备，并提供一种离子注入系统和方法，其中，通过利用富含同位素的掺杂剂材料，来提高离子注入系统的离子源的性能和寿命，或通过利用具有可有效地提供这种提高的补充气体的掺杂剂材料来实现。
用于提高离子注入系统中的离子源寿命性能方法设备

[实用新型]具有预错位栅孔离子引出栅极板的离子源-CN201720336529.X有效
发明人：刘杰;杨树柏 -专利权人：上海伟钊光学科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：现有的离子源离子引出系统，如射频源中的屏极、加速极、抑制极三层栅孔板，沿轴向间隔排列，栅孔板通常做成凸曲面形状以获得希望的空间扩散形离子束流，通常几层栅孔板上的开孔位置是相同和均布的，不同栅孔板上开的孔一一对应，当栅孔板沿轴向分开放置后，外层栅网的栅孔远离轴线的一侧易被离子束流蚀刻。本实用新型的方案为，靠外侧的栅孔板，栅孔位置比内侧栅板的对应栅孔位置略远离轴线，形成沿着栅板径向逐渐离散的开孔分布。本实用新型的有益之处是，通过合理的栅孔分布设计，使外层栅板上的栅孔相对内层栅板上的栅孔具有预错位，减少外层栅孔被离子流蚀刻变形，延长栅板的使用寿命，节约成本，使用这种具有预错位栅孔离子引出栅极板的离子源可以长期以稳定的工况工作，输出的空间扩散形离子束流不因栅孔板使用寿命的变化而改变束流截面能量分布。
具有错位离子引出栅极离子源

[实用新型]具有束流自动反馈控制的考夫曼离子源-CN201720376160.5有效
发明人：刘杰 -专利权人：上海伟钊光学科技股份有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：现有考夫曼离子源，在真空镀膜时输出的离子束流受到阴极灯丝变化、工作气体扰动、真空室真空度变化等影响，比如随着阴极灯丝的热蒸发，阴极灯丝越烧越细导致输出离子束流逐渐减小，这时就需要人为调大阴极灯丝电压以保持束流的稳定。本实用新型设计了一种针对于离子束流变化的自动反馈调节电路，该电路采集输出束流的变化，将负反馈信号传递给阴极灯丝控制电路，当离子束流减弱时，适当增大阴极灯丝功率，而在离子束流增强时，适当减小阴极灯丝功率，从而使输出束流始终维持稳定。本实用新型的有益之处是，用自动反馈电路实时跟踪调整，使离子源输出束流保持稳定，从而使离子源辅助镀膜的光学薄膜结构稳定，改善光学薄膜的一致性和牢固度，也减少了镀膜过程中对离子源设备的人工干预。
具有自动反馈控制考夫曼离子源