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[发明专利]一种等离子体源以及镀膜机-CN201710054054.X有效
发明人：张诚;陈亮 -专利权人：北京丹华科技发展有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体源，该等离子体源包括：壳体；等离子体生成室，设置在壳体内，用于提供等离子体的生成区域；气体供给装置，与等离子体生成室连接，用于向等离子体生成室中供给工艺气体；电极，设置在等离子体生成室外靠近等离子体生成室的位置，用于电离工艺气体以生成等离子体；第一磁体和第二磁体，用于在等离子体生成室内生成磁场，第一磁体和第二磁体分别设置在等离子体生成室外靠近其侧壁和底面；栅网结构，设置在等离子体生成室的开口处，用于拉出离子以及对离子加速；射频电源，与电极连接，用于向电极提供射频电。本发明还提供了一种镀膜机。实施本发明可以有效提高等离子体的离化效率以及对离子能量进行控制。
一种等离子体以及镀膜

[实用新型]引出阳离子束的灯丝气体离子源装置-CN201721873529.X有效
发明人：苏东艺;彭继华 -专利权人：广州今泰科技股份有限公司;华南理工大学
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及离子源设备技术领域，具体涉及了一种引出阳离子束的灯丝气体离子源装置，包括第一离化筒、第二离化筒和电源装置，第一离化筒的一端设有第一进气口且第一离化筒的另一端设有第一逸出口，第一离化筒的外侧壁上缠绕有第一线圈，第二离化筒的一端与第一逸出口连通，第二离化筒的另一端设有第二逸出口，第一离化筒内设有灯丝组件，第二离化筒的外侧壁上缠绕有第二线圈；第二离化筒的侧壁与电源装置的正极电连接，第一离化筒和第二离化筒绝缘。本实用新型能够提高气体离化效率并避免杂质原子污染被加工工件，还能引出更纯的阳离子束。
离化阳离子气体离子源装置本实用新型电源装置外侧壁灯丝缠绕进气口出口被加工工件离子源设备灯丝组件杂质原子正极电侧壁绝缘连通污染

[实用新型]等离子体灯丝气体离子源装置-CN201721875136.2有效
发明人：苏东艺;彭继华 -专利权人：广州今泰科技股份有限公司;华南理工大学
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及离子源设备技术领域，具体涉及了一种等离子体灯丝气体离子源装置，包括第一离化筒和第二离化筒，第一离化筒的一端设有第一进气口且第一离化筒的另一端设有第一逸出口，第一离化筒的外侧壁上缠绕有第一线圈，第一离化筒内设有灯丝组件；第二离化筒的一端与第一逸出口连通，第二离化筒的另一端设有第二逸出口，第二离化筒的外侧壁上缠绕有第二线圈。本实用新型通过缠绕在第一离化筒外的第一线圈以及缠绕在第二离化筒外的第二线圈，提高了气体离化效率，同时从灯丝发射出来的杂质原子会被第一离化筒内侧壁捕获，避免杂质原子污染被加工工件。
离化缠绕灯丝气体离子源装置等离子体本实用新型杂质原子外侧壁进气口出口被加工工件离子源设备灯丝组件内侧壁捕获连通发射污染

[发明专利]具有束流自动反馈控制的考夫曼离子源-CN201710234464.2在审
发明人：刘杰 -专利权人：上海伟钊光学科技股份有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：现有考夫曼离子源，在真空镀膜时输出的离子束流受到阴极灯丝变化、工作气体扰动、真空室真空度变化等影响，比如随着阴极灯丝的热蒸发，阴极灯丝越烧越细导致输出离子束流逐渐减小，这时就需要人为调大阴极灯丝电压以保持束流的稳定。本发明设计了一种针对于离子束流变化的自动反馈调节电路，该电路采集输出束流的变化，将负反馈信号传递给阴极灯丝控制电路，当离子束流减弱时，适当增大阴极灯丝功率，而在离子束流增强时，适当减小阴极灯丝功率，从而使输出束流始终维持稳定。本发明的有益之处是，用自动反馈电路实时跟踪调整，使离子源输出束流保持稳定，从而使离子源辅助镀膜的光学薄膜结构稳定，改善光学薄膜的一致性和牢固度，也减少了镀膜过程中对离子源设备的人工干预。
阴极灯丝离子束流束流输出考夫曼离子源自动反馈电路光学薄膜结构自动反馈电路负反馈信号离子源辅助离子源设备真空室真空镀膜过程工作气体光学薄膜控制电路人工干预实时跟踪维持稳定真空镀膜逐渐减小牢固度离子源热蒸发扰动镀膜减小采集传递

[发明专利]离子布植方法与离子布植机-CN201510493080.3有效
发明人：苏科缙;张国忠;吴铭伟;黄伟铨;杨学人;陈智谦 -专利权人：汉辰科技股份有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提出离子布植方法与离子布植机。布植气体与稀释气体被传输至离子源的流量的比例被控制在3:1到20:1之间。布植气体可以是磷化氢、三氟化硼、二氧化碳、四氟化锗、砷化氢、一氧化碳、四氟化碳、氮、四氟化硅或其组合，而稀释气体可以是氢、氦或其组合。当稀释气体同时有氦与氢时，氦与氢的体积比例被控制在1:99到3:17之间。藉由使用这样特定的程序，离子源的使用期限得以延长。
离子方法布植机

[发明专利]离子源温度控制装置-CN201580043549.1有效
发明人：奎格·R·钱尼;威廉·戴维斯·李;奈尔·J·巴森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于控制离子源的温度的离子源温度控制装置。离子源包含多个壁，所述多个壁界定离子在其中生成的腔室。为了控制离子源的温度，一个或多个可移动挡热板安置到腔室外部。可移动挡热板由设计为将热量反射回到离子源的高温和/或耐火材料制成。在第一位置时，这些可移动挡热板经安置以将第一量的热量反射回到离子源。在第二位置时，这些可移动挡热板经安置以将较少的第二量的热量反射回到离子源。在一些实施例中，可移动挡热板可以安置在位于第一位置与第二位置之间的一个或多个中间位置中。
离子源动态温度控制装置

[发明专利]用于改善注入束和源寿命性能的碳掺杂剂气体和协流-CN201810453542.2在审
发明人： O·比尔;E·A·斯特姆;唐瀛;S·N·耶德卫;J·D·斯威尼;S·G·瑟吉;B·L·钱伯斯 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2013-02-13 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请涉及用于改善注入束和源寿命性能的碳掺杂剂气体和协流。具体讲，本申请描述了离子注入的方法和系统，其中使用碳掺杂剂源材料实施碳掺杂。描述了各种气体混合物，包括碳掺杂剂源材料，以及用于所述碳掺杂剂的协流气体结合物。描述了在碳掺杂剂源材料中提供原位清洗，以及描述了具体的碳掺杂剂源气体、氢化物气体、氟化物气体、惰性气体、氧化物气体和其他气体的结合物。
碳掺杂剂源材料结合物氟化物气体气体混合物氢化物气体氧化物气体惰性气体原位清洗碳掺杂源气体离子申请

[实用新型]一种离子源弧光室发射面板的固定结构-CN201820292350.3有效
发明人：王玉泉 -专利权人：丹东英普朗特科技有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种离子源弧光室发射面板的固定结构，圆形基座上方设置源体腔，源体腔内设置加热坩埚，源体腔的上方设置弧光室，弧光室的最上方为发射面板；所述源体腔的上方设置定位凸台，所述定位凸台上设置通孔，固定杆穿过所述通孔，固定杆的上方挂钩压在发射面板的上方，固定杆的下方与拉簧连接，拉簧固定在圆形基座上；所述固定杆为多个，沿发射面板的纵向轴线对称设置。本实用新型的优点是：由于增加了定位凸台，固定杆的径向移动受到限制，因此，保证了发生面板的位置稳定。
固定杆弧光室体腔发射本实用新型定位凸台固定结构圆形基座离子源拉簧通孔对称设置加热坩埚径向移动位置稳定纵向轴线定位凸穿过挂钩保证

[实用新型]一种离子源灯丝导电支架-CN201820292361.1有效
发明人：王玉泉 -专利权人：丹东英普朗特科技有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种离子源灯丝导电支架，包括连接杆、连接带、导电杆，所述连接杆上部设置电极孔，灯丝的电极插入所述电极孔内；连接杆的下部与连接带的上部固定，连接带的下部与导电杆的上部固定，导电杆的下部固定在圆形基座上；所述连接杆通过固定座固定在源体腔上；连接杆的下部设置圆柱形腔体，导柱嵌入所述圆柱形腔体内，导柱的下端插入导电杆上部的滑动腔内；连接带的长度大于连接杆与导电杆间的距离。本实用新型的优点是：由于采用了分体式的结构，连接杆固定在源体腔的侧壁上减小了温度带来的尺寸变化；而导柱的设置保证了连接杆与导电杆的同轴，由于连接杆固定在源体腔上，导电杆固定在圆形基座上，因此保证了源体腔的径向位置固定。
连接杆导电杆连接带体腔导柱本实用新型离子源灯丝导电支架圆形基座电极孔圆柱形腔体尺寸变化径向位置圆柱形腔分体式固定座滑动腔电极侧壁灯丝减小同轴下端嵌入保证体内

[发明专利]一种激光离子源装置-CN201810523820.7在审
发明人：卢亮;卢治国 -专利权人：河南太粒科技有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光离子源装置，它包括外靶室和内靶室，外靶室为真空密封状态，内靶室通过绝缘柱固定连接在外靶室内部的底面上，内靶室内设置有光学镜片，内靶室的左侧面上连接有离子引出内管道，离子引出内管道的外部设置有离子引出外管道，离子引出外管道的右端与外靶室相连，内靶室的顶面上设置有安装孔，安装孔内设置有安装架，安装架上与光学镜片相对应的位置设置有靶，安装架的顶端设置在靶移动平台上，靶移动平台通过支撑装置固定在外靶室的外侧面上，外靶室的底面上连接有真空管道，真空管道的另一端通过匹配管道与真空泵相连，内靶室通过金属高压线与高压接口相连；总的，本发明具有结构小巧、使用安全方便的优点。
靶室离子安装架光学镜片激光离子移动平台真空管道安装孔内管道外管道源装置真空密封状态顶端设置高压接口外部设置支撑装置高压线绝缘柱室内部真空泵匹配金属室内

[发明专利]气体团簇离子束喷嘴组件-CN201580049124.1有效
发明人：马修·C·格温;阿夫鲁姆·弗赖特西斯;罗伯特·K·贝克尔 -专利权人： TEL艾派恩有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的喷嘴组件。具体地，喷嘴组件包括两个或更多个圆锥形喷嘴，这些圆锥形喷嘴对准成使得它们都用于产生同一GCIB。第一圆锥形喷嘴可以包括最初形成GCIB的喉部，并且第二喷嘴可以形成可附加至第一圆锥形喷嘴的较大圆锥形腔。可以在两个圆锥形喷嘴之间设置过渡区域，该过渡区域可以是大致圆柱形的并且略大于第一圆锥形喷嘴的最大直径。
气体离子束喷嘴组件

[发明专利]一种宽束流的条形离子源-CN201610931250.6有效
发明人：龚俊;彭立波;佘鹏程 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽束流的条形离子源，包括安装法兰、放电室、磁场部件、阳极、放电灯丝以及栅网部件，所述放电室固定在安装法兰上，所述放电室包括上法兰、下法兰和中间矩形腔体，所述磁场部件安装在放电室的四周，所述阳极安装在放电室的下法兰上，所述磁场部件为放电室提供竖直方向平行对称磁场，所述放电灯丝包括三段灯丝，并通过灯丝夹和真空电极固定在放电室的垂直中心面上，与灯丝安装法兰连接。本发明具有结构更加合理、能够大大降低维护保养难度等优点。
一种宽束流条形离子源

[发明专利]针对离子注入系统的降低轨迹金属污染的离子源-CN201480068636.8有效
发明人：谢泽仁;奈尔·卡尔文 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。
阴极离子注入系统离子化区域离子源室内部表面外壳内部阴极屏蔽碳化硅源孔排斥非化学计量操作期间高能电子金属污染气体分子烧结材料插入件离子化离子源相分离界定内壁离子穿过释放暴露移动

[发明专利]采用固态掺杂剂的离子源装置-CN201410682208.6有效
发明人：洪俊华;杨勇;张劲;陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供一种采用固态掺杂剂的离子源装置，其包括电弧腔体，以及气化装置和输送保持装置，该气化装置用于使固态掺杂剂气化成原料气体，该输送保持装置用于输送该原料气体至该电弧腔体中，并将该电弧腔体的温度控制在一第一范围内以避免该原料气体凝华，该输送保持装置由绝缘材料制成，该原料气体用于通过电离产生第一等离子体，其中，该电弧腔体被抬高至一预设电位，该气化装置和该输送保持装置均位于大地电位上。该气化装置并未被置于高压端，而是在大地电位上工作的，由此提高了操作的安全性。另外，通过输送保持装置对原料气体气相的保持，即使气化装置并未被置于电弧腔体中也不会发生原料气体凝华的现象。
原料气体保持装置气化装置电弧腔固态掺杂剂离子源装置大地电位凝华等离子体绝缘材料预设电位电离高压端气化体被抬高

[发明专利]延长离子源寿命的方法-CN201180054242.3有效
发明人： A.辛哈;L.A.布朗 -专利权人：普莱克斯技术有限公司
申请日： 2011-09-12 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明部分地涉及防止或减少在半导体及微电子制造中使用的离子注入机的离子源组件中形成及/或积聚沉积物的方法。所述离子源组件包括电离室及一个或一个以上含于所述电离室内的组件。所述方法涉及将掺杂剂气体引入所述电离室中，其中，所述掺杂剂气体具有足以防止或减少在电离期间形成氟离子/氟自由基的组成。随后在足以防止或减少在所述电离室的内部及/或在所述一个或一个以上含于所述电离室内的组件上形成及/或积聚沉积物的条件下使所述掺杂剂气体电离。所述沉积物不利地影响所述离子注入机的正常操作，从而造成频繁停工时间且减少工具利用。
沉积物掺杂剂电离室电离离子源组件离子注入机积聚室内离子源寿命微电子制造氟自由基气体电离氟离子半导体停工引入