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[发明专利]用于先进等离子体离子能量处理系统的晶圆吸附系统-CN201280047162.X有效
发明人： V·布劳克;D·J·霍夫曼 -专利权人：先进能源工业公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：公开了用于调节等离子腔室中的离子能量并将基板吸附到基板的支座的系统、方法和装置。示例性方法包括，将基板设置在等离子腔室中，在等离子腔室中形成等离子体，向基板可控地通断功率以将周期电压函数施加到基板，以及响应于在基板表面的期望的离子能量分布而在周期电压函数的多个周期上调节周期电压函数，从而在时间平均的基础上实现期望的离子能量分布。
用于先进等离子体能量处理系统离子控制系统

[发明专利]反应腔与石英管的隔离装置及其控制方法-CN201410087105.5有效
发明人：巴文林;包中诚 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔与石英管的隔离装置及其操作方法，在石英管末端管道中接入第一隔离阀，设置连通该末端管道与排气管道的连接通道，及在该连接通道中接入第二隔离阀；正常工作时第一隔离阀常开而第二隔离阀常闭；如若更换石英管的维护工作时，通过第一隔离阀将反应腔的气体入口封闭，不再需要对反应腔进行通气操作；只有在维护工作完成后才将第二隔离阀打开将石英管通过连接通道、排气管道与外部的排气泵连通，对换上的石英管进行抽真空操作。而在查漏时，将第一隔离阀关闭，可以更快速地分辨泄漏源位置。因此，本发明可以有效简化维护工作，节省维护和查漏时间。
反应石英管隔离装置及其控制方法

[发明专利]具有对准传感器和射束测量传感器的带电粒子光刻系统-CN201380022770.X有效
发明人： P.I.谢弗斯;J.A.梅杰;E.斯洛特;V.S.凯珀;N.弗奇尔 -专利权人：迈普尔平版印刷IP有限公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：一种多细射束带电粒子细射束光刻系统，用于将图案转移至基板的表面。该系统包括投射系统(311)，用于将多个带电粒子细射束(7)投射至该基板的表面上；卡盘(313)，可相对于该投射系统移动；细射束测量传感器(505、511)，用于确定一个或多个带电粒子细射束的一个或多个特征，该细射束测量传感器具有表面(501)，用于接收一个或多个带电粒子细射束；以及位置标记测量系统，用于测量位置标记的位置(610、620、635)，该位置标记测量系统包括对准传感器(361、362)。该卡盘包括基板支持部分，用于支持该基板；细射束测量传感器部分(460)，用于容纳该细射束测量传感器的表面；以及位置标记部分(470)，用于容纳该位置标记。
具有对准传感器测量带电粒子光刻系统

[发明专利]离子注入工具以及离子注入方法-CN201610683472.0在审
发明人：李圣伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：一种离子注入工具包括工艺室、压板、离子源、以及多个控制单元。压板存在于工艺室中并且被配置成保持晶圆。离子源被配置成将离子束提供至晶圆上。控制单元存在于压板上并且被配置成施加多个物理场，该物理场能够影响离子束的离子至晶圆上的运动。
离子注入工具以及方法

[发明专利]真空装置和阀控制方法-CN201410150372.2有效
发明人：户田聪;齐藤英树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够应用以大流量使用处理气体的处理的真空装置和阀控制方法。在等离子体处理装置中，与处理容器连接的排气管中，在4个第一排气管中，将APC阀设定为开度300（30%），在剩下的4个第二排气管中，将APC阀设定为开度1000（100%）。由此，如曲线（C）所示，能够在将APC阀的开度设定为300时的曲线（A）与将APC阀的开度设定为1000的曲线（B）之间，进行处理容器内的压力控制和处理气体的流量控制。曲线（C）与曲线（A）相比，在相同的压力（P1）下，能够排出更大流量的处理气体（Q1＜Q2）。此外，曲线（C）与曲线（A）相比，在相同流量（例如Q1）时，能够进行更低压力的处理（P1＜P2）。
真空装置控制方法

[发明专利]离子照射装置、离子照射方法-CN201580000348.3有效
发明人：汤濑琢巳;寺泽寿浩 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：从离子源向离子加速装置16入射并且在离子加速管24内飞行的正离子被在离子加速管24的内部配置的多个加速电极2a~2h加速而向照射对象物照射。在离子加速管24内配置有多个磁铁装置5，使各磁铁装置5分别形成的磁力线的方向在相邻的磁铁装置5中以比0度大且90度以下的角度不同，使各磁力线在离子加速管24内沿一个方向旋转。使在离子加速管24内逆行的电子与磁力线交叉，使电子一边逆行一边增加离飞行轴的距离。电子与离子加速管24内的构件冲撞，在变为高能量之前停止，因此，不产生高能量X射线。
离子照射装置方法

[实用新型]用于离子植入机中的静电透镜的接地电极-CN201621046977.8有效
发明人： W·戴维斯·李 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于离子植入机中的静电透镜的接地电极。接地电极具有第一和第二表面及接地电极开口以用于接收穿过其中沿着z轴行进的离子束，第一和第二表面中的至少一个在y‑z平面中是弯曲的，接地电极开口具有顶端、底端和中心部分，接地电极开口在顶端和底端处的宽度大于接地电极开口在中心部分处的宽度，接地电极开口在顶部处的宽度等于接地电极开口在底端处的宽度；接地电极开口具有沿着y轴测量的开口高度；接地电极的第一表面具有第一曲率半径，接地电极的第二表面是平坦的，第一曲率半径是从沿着负z轴的点测量的，负z轴是从接地电极的中心在离子束行进的相反方向上测量的。静电透镜通过调节接地电极可以获得多种不同射束形状。
用于离子植入中的静电透镜接地电极

[发明专利]离子植入机与控制其中离子束的系统-CN201480032406.6有效
发明人：斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫;乔治·M·葛梅尔;理查·艾伦·斯普林克;诺曼·E·赫西;法兰克·辛克莱;常胜武;约瑟·C·欧尔森;大卫·罗杰·汀布莱克;库尔·T·岱可-路克 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明公开一种离子植入机与控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测器以沿着垂直于离子束的传播方向的第一方向，进行所述离子束的多个束电流量测。所述系统也包括分析组件与调整组件。所述分析组件用以基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓，所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化。当束电流轮廓指示束高度低于阀时，所述调整组件沿着所述第一方向调整所述离子束的高度。
离子植入控制其中离子束系统

[发明专利]具备多层载物能力的离子束刻蚀系统及其刻蚀方法-CN201510284879.1有效
发明人：戴秀海;余海春;龙汝磊 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明涉及微细加工技术领域，尤其是具备多层载物能力的离子束刻蚀系统及其刻蚀方法，其特征在于所述系统包括若干载物台和旋转轴，所述载物台沿所述旋转轴的轴向间隔设置在所述旋转轴上，所述载物台可随所述旋转轴转动，所述载物台上开设有离子束窗口，所述离子束窗口的开设位置与所述离子源所发射的离子束构成位置对应，满足于所述离子源所产生的离子束可穿过的要求。本发明的优点是提高了离子束刻蚀系统单次开机所能刻蚀的基片总数量，降低了批量作业时离子束刻蚀系统的开停机次数，提高了离子束刻蚀系统利用率，减少了工时，满足刻蚀工作需要。
具备多层能力离子束刻蚀系统及其方法

[发明专利]一种剥离原子核外电子的方法及其装置-CN201010586363.X有效
发明人：潘庆智 -专利权人：潘庆智
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种剥离原子核外电子的方法及装置，该方法是使用介质电极和导体电极对电能进行高压释放，介质电极和导体电极之间产生一个电子剥离的空间，其空间内释放出的电子束打断气态分子的分子链，使气态分子裂解为原子状态，电子束继续对原子进行剥离，得到自由电子，本发明技术可以广泛应用于工业加工、预防治疗疾病、科学研究等领域。
一种剥离原子核外电子方法及其装置

[发明专利]用于等离子体蚀刻室中的离子铣削的系统、方法和设备-CN201410055842.7有效
发明人：乔迪普·古哈;神内佛霖;韩俊熙;亚伦·埃普勒 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明提供了用于等离子体蚀刻室中的离子铣削的系统、方法和设备。具体而言，提供了一种在等离子体蚀刻系统中执行离子铣削的系统和方法，该等离子体蚀刻系统包含等离子体蚀刻室、耦接至等离子体蚀刻室的多个处理气体源、射频偏置源和控制器。等离子体蚀刻室包含衬底支持件。衬底支持件是非枢转且非旋转的衬底支持件。衬底支持件能够支持在衬底支持件的顶面上处理的衬底，而不使用机械夹持器件。等离子体蚀刻室还包含设置成与衬底支持件的顶面相对的上电极。射频偏置源耦接至衬底支持件。控制器耦接至等离子体蚀刻室、多个处理气体源和射频偏置源。控制器包含存储在计算机可读介质上的用于执行等离子体蚀刻室中的离子铣削处理的逻辑。
用于等离子体蚀刻中的离子铣削系统方法设备

[发明专利]加工物体的方法-CN201110230743.4有效
发明人： J·比伯杰;R·普尔维;J·帕卢斯金斯基;D·多尼茨;H·马蒂;M·斯泰格沃尔德 -专利权人：卡尔蔡司显微镜有限责任公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种加工物体的方法。该方法包括在物体的表面上扫描粒子束并且探测由于扫描而从物体逸出的电子；基于探测的电子，对物体的表面上的多个位置中的每一个，确定物体的表面与预定表面的高度差；基于确定的高度差，对物体的表面上的多个位置中的每一个，确定加工强度；以及基于确定的加工强度，将离子束引导到多个位置，从而在多个位置从物体移除材料或者在物体上沉积材料。
加工物体方法

[发明专利]一种电子束快速成型制造设备聚焦系统及控制方法-CN201410383392.4有效
发明人：黄小东;韦寿祺;费翔;陆思恒;郭华艳;陆苇 -专利权人：桂林狮达机电技术工程有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子束快速成型制造设备聚焦系统及控制方法，其方法为试验确定主绕组励磁电流，贮存主励磁电流指令；电子束扫描区域按扇形或矩形规律进行分区；试验确定各小区特征点的副聚焦电流，贮存副励磁电流指令；根据电子束扫描轨迹依次计算各扫描点的副聚焦电流指令；运行时，将主励磁电流指令经D/A转换后送至主聚焦电源，将副励磁电流指令经D/A转换后送至副聚焦电源。相对现有技术，本发明具有降低磁场的动态损耗，引入动态补偿功能抑制全磁路动态附加损耗对聚焦精度的影响等优点。
一种电子束快速成型制造设备聚焦系统控制方法

[发明专利]离子注入即时制造控制系统及离子注入即时制造控制方法-CN201611028746.9在审
发明人：李赟佳;赖朝荣;王智 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入即时制造控制系统及离子注入即时制造控制方法。本发明的离子注入即时制造控制系统包括晶圆装载区传送部分、注入区部分、热波量测区域部分、以及数据反馈计算部分；其中，晶圆装载区传送部分用于将晶圆传递至注入区部分，注入区部分用于执行离子束调整并对晶圆执行离子注入处理；热波量测区域部分在经离子注入处理后的晶圆传递回晶圆装载区传送部分之前对经离子注入处理后的晶圆进行热波量测，并且将热波量测数据传递给数据反馈计算部分；数据反馈计算部分用于根据热波量测数据判断当前离子束是否需要调整，并且根据判断结果控制注入区部分的离子束调整。
离子注入即时制造控制系统控制方法

[实用新型]等离子加工装置-CN201620673427.2有效
发明人：岑尔聪 -专利权人：广东东纳包装开发有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子加工装置，包括等离子喷射柱，等离子喷射柱的上端延伸有喷射嘴，且等离子喷射柱内设有用于供等离子流动的通道，该通道一端与喷射嘴连通，通道的另外一端连接有管道，通过在等离子喷射柱的上端设置喷射嘴，内部设置通道，等离子流入等离子喷射柱内，从喷射嘴流出，等离子喷射柱安装在纸盒生产线上，在纸盒生产输送过程中，利用输送时的空间和时间节点，在覆盖了塑料膜的纸盒需要粘结的地方，利用等离子去掉部分塑料膜，提高粘结强度，工作效率高。
等离子加工装置