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[发明专利]一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法-CN201510536030.9有效
发明人：陈卫宾;刘学超;卓世异;施尔畏;孔海宽 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法，以一定剂量的质子H+对ZnO基稀磁半导体薄膜进行辐照。本发明采用质子H+对ZnO基稀磁半导体薄膜进行辐照，以此实现对ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的增强。通过本方法处理后的ZnO基稀磁半导体薄膜的室温铁磁性的饱和磁化强度有相对于未经质子辐照的薄膜有40%的提高。
一种增强 zno 基稀磁半导体薄膜室温铁磁性方法

[发明专利]岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法-CN201210105253.6无效
发明人：张明喆;赵瑞;姚彬彬;邱明泽 -专利权人：吉林大学
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C01G11/02 文献下载
摘要：本发明的岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。以闪锌矿结构的Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒为初始原料，在压力5.0～7.0GPa，温度600～800℃下，保压30～50分钟，冷却卸压得到岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒。本发明利用高温高压方法合成了岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒；岩盐矿CdS稀磁半导体的禁带宽度为1.5～1.7eV，并且是一种间接带隙半导体，通过岩盐矿和闪锌矿结构结合，带隙可以由近紫外到远红外整个光谱区内连续变化，同时因为它具有室温铁磁性，将是各种光电子和磁光器件的理想材料。
岩盐结构 co 掺杂 cds 半导体纳米颗粒制备方法

[发明专利]NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法-CN201310254373.7有效
发明人：林元华;罗屹东;张玉骏;南策 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： D01F9/08 文献下载
摘要：本发明提出了NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法，NiO基稀磁半导体纳米纤维掺杂有铁和锂。制备NiO基稀磁半导体纳米纤维的方法包括：配制前驱体溶液，利用前驱体溶液进行静电纺丝，以便得到原丝；以及将原丝进行烧结处理，以便得到NiO基稀磁半导体纳米纤维；其中，前驱体溶液为包含镍元素、铁元素、锂元素和聚乙烯吡咯烷酮的有机溶液利用该方法可以制备得到一维结构的NiO基稀磁半导体纳米纤维，并且通过掺入铁元素和锂元素可以提高该纳米纤维的室温磁性。
nio 基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法

[发明专利]一种N型块材稀磁半导体及其制备方法-CN201910151453.7在审
发明人：宁凡龙;郭胜利;顾轶伦 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型块材稀磁半导体及其制备方法。本发明采用固相反应法，并使用淬火的方法制得N型块材稀磁半导体，该样品具有与ThCr₂Si₂相同的四方的晶体结构，居里温度最高可达到45K。获得N型块材稀磁半导体，对稀磁半导体的物理研究以及潜在的应用都有着重要的意义。
稀磁半导体块材淬火制备固相反应法晶体结构物理研究正交结构潜在的应用

[发明专利]一种室温稀磁半导体的制备方法-CN201610368119.3在审
发明人：刘天府;谢玉玉;杜睿智;魏晨燕 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温稀磁半导体的制备方法，属于稀磁半导体制备技术领域。该方法将金属盐和丙二酸溶解到醇溶液中，调节pH值至中性，反应后过滤，洗涤，干燥，得到丙二酸配合物；将丙二酸配合物在高温煅烧一段时间，得到该室温稀磁半导体。该方法利用配合物为前驱体合成的氧化锌半导体中，均匀掺杂不同浓度的过渡金属锰，在不同温度下煅烧后得到锰掺杂的具有室温铁磁性的室温稀磁半导体材料。
一种室温半导体制备方法

[发明专利]一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料及其制备方法-CN201210475152.8有效
发明人：许祝安;杨小军;曹光旱 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料，化学式组成为：La1-xSrxCu1-yMnySO。本发明还公开了该镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料的制备方法，将原料混合，在氩气保护下充分研磨，然后在一定的压强下冲压；将得到的压片密封在真空容器内，放在管式炉中升温，再恒温煅烧，即得到镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料本发明采用Mn2+替代Cu+的方法引入磁矩，然后用Sr部分替代La引入空穴型载流子，通过以上掺杂可以很好的控制该半导体的导电性和磁性，获得了居里温度更高的ZrCuSiAs型结构的稀磁半导体，该稀磁半导体材料具有很高铁磁转变温度
一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料及其制备方法

[发明专利]镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法-CN200810023936.0无效
发明人：袁岂凡;万建国;王广厚 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-04-22 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法，该纳米材料由CdO基质构成，特征是CdO基质中掺杂的镍离子的摩尔比范围在1.0％～20.0％。该镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料存在形态为纳米粉末和纳米薄膜。所述的镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料中掺杂的镍离子取代基体CdO中Cd²⁺的晶格位置，从而形成替位掺杂。本发明还提供了该磁半导体纳米材料的制备方法。本发明的稀磁半导体纳米材料结晶良好，掺杂的镍离子取代了CdO晶格中的Cd²⁺的位置，从而形成了替位掺杂。所制备的稀磁半导体纳米材料具有室温铁磁性。
离子掺杂氧化室温半导体纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法-CN201510965170.8有效
发明人：郭永权;解娜娜 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于稀磁半导体材料制备技术领域的一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法。该稀磁半导体材料的化学式为CuS1‑xTxTe2；其中，S为Ga或In，T为Co、Mn、或Fe，x＝0‑0.4。‑xTxTe2的化学计量比配置Cu、S、T、Te四种单质元素；将Cu、S、T熔炼成Cu‑S‑T前驱合金后与Te混合研磨成粉并压制成片，对其热处理后冷却，然后真空研磨成粉并烘干后得到粗品，经抽滤后得到该稀磁半导体材料制成稀磁半导体材料更好地控制了非挥发性元素与挥发性元素之间的化学比例，并通过控制热处理时的温度，获得了杂相较少、成分均匀且具有室温铁磁性的黄铜矿结构的稀磁半导体材料。
一种黄铜矿结构半导体材料及其制备方法

[发明专利]采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法-CN201010201505.6有效
发明人：孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义，本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。
采用 mocvd 制备极性 gan 基稀磁半导体材料方法

[发明专利]具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法-CN201711192940.5有效
发明人：靳常青;于爽;邓正 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法，以及利用该稀磁半导体材料制成的半导体电子器件和包括该半导体电子器件的电子设备。根据一实施例，提供一种具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料，其化学式为Na1+x(Zn1‑yMny
具有磁阻效应半导体材料及其制备方法

[发明专利]包括具有自旋灵敏度的稀磁半导体的隧道结势垒层-CN200580017054.8无效
发明人：弗雷德里克·古斯塔夫森 -专利权人： NM斯平特罗尼克公司
申请日： 2005-05-23 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供一种具有隧穿势垒层的磁隧道结，其中所述隧穿势垒层包括具有自旋灵敏度的稀磁半导体。根据本发明该磁隧道结可包括耦合到底电极的底引线，该底电极耦合到稀磁半导体，该稀磁半导体耦合到顶电极，该顶电极耦合到顶引线，其中所述底电极是非磁的。本发明还提供采用根据本发明的磁隧道结的各种部件和计算机。
包括具有自旋灵敏度半导体隧道结势垒层

[发明专利]利用Al掺杂调节稀磁半导体磁学性能的方法及其制品-CN201911115345.0在审
发明人：袁冶;王新强;王琦;康俊杰;王维昀;李永德;王后锦;周生强 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用Al掺杂调节稀磁半导体磁学性能的方法及其制品，本发明提供的制备方法简单，易于实现，科学利用离子注入结合脉冲激光退火成功实现了Al对(In,Mn)As稀磁半导体的替位掺杂，且保证了掺杂薄膜的单晶外延结构，通过逐渐变化掺杂Al的浓度，实现了对(In,Mn)As稀磁半导体居里温度、磁性强度与矫顽场的精确调控。本方法所调节的(In,Mn)As稀磁半导体外延薄膜制品，可保持良好的单晶外延结构，并且其居里温度、磁性强弱与矫顽场可被连续精确控制。
利用 al 掺杂调节半导体磁学性能方法及其制品

[发明专利]调节稀磁半导体磁性能的方法及其制品-CN201910803368.4在审
发明人：袁冶;王新强;康俊杰;李永德;王后锦;周生强 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节稀磁半导体磁性能的方法及其制品，本发明的调节方法简单，易于实现，通过He离子束轰击稀磁半导体材料，通过离子束在稀磁半导体材料内部产生电子缺陷而调控材料的费米能级，进而改变材料的磁矩强弱及其居里温度采用本发明调节稀磁半导体磁性能的方法获得的稀磁半导体制品，可保持良好的单晶外延结构，无条幅分解产生的第二相及其非晶结构出现，并且其居里温度与磁性强度可被连续控制，综合性能好，利于广泛推广应用。
稀磁半导体稀磁半导体材料电子缺陷磁性能离子束磁矩离子束轰击材料内部产业应用单晶外延非晶结构费米能级改变材料连续调控连续控制预期目标自由控制综合性能第二相通量条幅强弱分解调控

[发明专利]稀土掺杂Sn-Te基稀磁半导体高致密度块体材料的制备方法-CN200810073890.3无效
发明人：湛永钟;马建波;张广华 -专利权人：广西大学
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：一种制备稀土掺杂Sn-Te基高致密度块体稀磁半导体材料的方法，采用的原料组分及用量(重量份)为：稀土元素1～10，金属Sn 40～47，金属Te 50～52，按所述原料组分及用量制备所述稀磁半导体材料的方法是：依据稀土-Sn-Te三元合金相图，计算出要制备的稀磁半导体材料的原料配比，然后将所述原料混合均匀；将混匀料真空封装进石英管中，放进高温箱式电阻炉中于500～600℃保温1～3个小时，再用高频炉熔炼，然后把熔炼好的材料研磨成粉末，经高温烧结即得高致密块体稀磁半导体材料。采用本发明制备得的稀磁半导体材料晶粒均匀、纯度高，可用于制作各种功能材料以及功能薄膜的靶材，便于工业化生产。
稀土掺杂 sn te 基稀磁半导体致密块体材料制备方法

[发明专利]气雾冷凝化学沉积合成CuS：Ho稀磁半导体的方法-CN202210285059.4在审
发明人：张明喆;张洪鹏;张可为;陈茜;佟宇;曾皓群;凌剑宇 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本发明的气雾冷凝化学沉积合成CuS：Ho稀磁半导体的方法属于稀磁半导体材料制备的技术领域，有以下步骤：将Cu离子与Ho离子混合溶液在超声波雾化机的作用下产生Cu离子与Ho离子混合气雾，然后与硫化氢气体在循环水的环境中在气体驱动装置的驱动下进行反应，在收集瓶内沉淀得到Ho掺杂CuS基稀磁半导体纳米颗粒CuS：Ho。本发明制备方法简单，成本低，能够满足批量生产的要求，得到的Ho掺杂CuS基稀磁半导体具有室温铁磁性。
冷凝化学沉积合成 cus ho 半导体方法

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