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[发明专利]具有维持存储架构的动态随机存取存储器-CN201911258424.7有效
发明人：卢超群;戎博斗;夏浚 -专利权人：钰创科技股份有限公司;发明创新暨合作实验室有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器包含一动态随机存取存储器单元和一字线。所述动态随机存取存储器单元包含一存取晶体管和一储存电容，及所述字线耦接于所述存取晶体管的栅极。在所述字线被选择以开启所述存取晶体管以及不被选择以关闭所述存取晶体管之间，一第一电压或一第二电压被储存在所述动态随机存取存储器单元。所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中一高电平信号的电压，以及所述第二电压低于应用在所述动态随机存取存储器中一低电平信号的电压。因此，在所述存取晶体管关闭后，即使漏电流通过所述存取晶体管，但所述储存电容内的电荷可比现有的动态随机存取存储器的架构维持更长的一段时间。
具有维持存储架构动态随机存取存储器

[发明专利]灵敏放大器和半导体存储器-CN202210760139.0在审
发明人：苏信政;李中和 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本公开提供一种灵敏放大器和半导体存储器，包括：控制模块，其设有输入端和输出端，用于获取放大模块的温度数据，根据放大模块的温度数据对其输入端接收到的第一控制信号进行脉冲宽度调节，生成并输出第二控制信号；放大模块，其第一控制端与控制模块的输出端连接，其用于在第二控制信号的控制下连通第一电源端，在第一电源端控制下放大位线和互补位线之间的电压差。通过如此设置，实现基于放大模块的温度数据调节放大模块与第一电源端的接通时长，以补偿放大模块内晶体管的电压驱动能力随温度变化而变化的情况，使位线和互补位线上电压差在预期时间达到目标电压差值，降低功耗，并提高感测准确性。
灵敏放大器半导体存储器

[发明专利]灵敏放大器及存储装置-CN202111027660.5有效
发明人：聂虹;朱泽宇;孙英;沈一鹤 -专利权人：中天弘宇集成电路有限责任公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种灵敏放大器及存储装置，包括：电压钳位电路，为存储单元提供稳定的读电压；电源开关电路，在电压钳位电路不工作时切断电压钳位电路的供电通路；放电电路，在电压钳位电路工作前对电压钳位电路进行放电；预充电电路，在电压钳位电路开始工作时为电压钳位电路预充电；电流比较电路，连接于电压钳位电路的输出端，将读出电流与参考电流进行比较，并输出比较结果。本发明通过电源开关电路减小灵敏放大器的静态功耗；通过预充电电路提高灵敏放大器钳位电压预充的速度；通过放电电路防止灵敏放大器内部处于不稳定状态。
灵敏放大器存储装置

[发明专利]一种灵敏放大器-CN202110499651.X有效
发明人：窦春萌;叶望;王琳方;刘琦;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本公开提供的一种灵敏放大器，包括参考电流电路、比较电流电路、电流镜电路、反相器电路、第一使能管以及钳位晶体管。参考电流电路的第一端与电流镜电路的第一端连接，参考电流电路的第二端与反相器电路的第一端连接，反相器电路的第二端与电流镜电路的第二端连接，电流镜电路的第三端与比较电流电路连接，电流镜电路的第四端与钳位晶体管的第一端连接，钳位晶体管的第二端与第一使能管的第一端连接，第一使能管的第二端为位线电流输入端；参考电流电路在接收到的参考电流控制电路发送的第一控制信号的情况下输出参考电流；比较电流电路在接收到比较电流控制电路发送的第二控制信号的情况下产生比较电流。该灵敏放大器电路结构简单、功耗更低。
一种灵敏放大器

[发明专利]一种基于1T1R阵列的MRAM灵敏放大器读校准电路-CN202210434973.0在审
发明人：陆楠楠;王超 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及磁隧道结技术领域，具体涉及一种基于1T1R阵列的MRAM灵敏放大器读校准电路。包括：交叉耦合电路：用于感应输入电压大小，进行放大；逻辑控制电路：产生各种控制信号；Vclamp电压产生电路：用于产生Vclamp_R和Vclamp_L电压；1T1R阵列：存储数据信息；参考阵列：产生读所需要的参考电平；行列译码：以保证选中需要读取的信息位；预放大电路：对小的读电压进行预放大；电压校准模块：左边的电压校准模块由晶体管MN2，MN4和MN7构成，开关S0_0和S0_1控制导通MN7管，S2_0开关控制导通MN4晶体管；右边的电压校准模块由MN3、NM5和MN8构成，开关S1_0和S1_1控制导通MN8管，S2_1控制导通MN8晶体管，保证读取的结果的正确性，进一步的加快读出的速度。
一种基于 t1r 阵列 mram 灵敏放大器校准电路

[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的列路径控制电路-CN202111156712.9在审
发明人：金智恩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体存储器装置，可以包括：内核电路，包括电连接在多条行线和多条列线之间的多个存储器单元阵列；以及列路径控制电路，被配置成根据与列地址信号无关的命令信号生成预备列脉冲，响应于列地址信号的使能时间点和预备列脉冲的使能时间点生成主列脉冲，并且启用多条列线之中的访问目标列线。
半导体存储器装置路径控制电路

[发明专利]低电压敏感放大器的钳位电路-CN202010465027.3有效
发明人：黄明永;肖军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压敏感放大器的钳位电路，给Flash存储器在读数据时提供位线的读取电压，所述钳位电路包含有两个电源端、两个接地端、一个参考电流输入端以及钳位电压输出端；所述的钳位电路包含有PMOS管以及第一～第三NMOS管，所述第一PMOS管的栅极接地，其源极接电源；所述第一NMOS与第二NMOS管进行串联，第一NMOS管的栅极接电源，第二NMOS管的源极接地；所述第三NMOS管的漏极接参考电流输入端，第三NMOS管的源极为钳位电路的钳位电压输出端；第三NMOS管的栅极与PMOS管的漏极连接，该处形成第一节点电压；所述第二NMOS管的栅极接钳位电路输出端，所述钳位电路输出端为第二节点电压；所述第二NMOS管形成第二节点到第一节点电位的负反馈电路。
电压敏感放大器电路

[发明专利]一种灵敏放大器-CN202110962459.X有效
发明人：肖世周 -专利权人：山东芯慧微电子科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种灵敏放大器，包括：失调检测电路和灵敏放大电路；所述灵敏放大电路将SRAM存储阵列的位线上的压差信号放大并进行输出；所述失调检测电路的输入端连接第一预充电压、第一使能电压、输入信号控制电压；所述失调检测电路的失调检测输入端和失调检测输出端与所述灵敏放大电路相连；所述放大电路的输入端连接第二预充电压、第二使能电压、位线输入控制电压。本发明提供的灵敏放大器，在原来两条电流支路的基础上额外增加了两条失调补偿支路，灵敏放大电路内部节点的压差经失调检测电路进行放大后，将放大后的信号传输至补偿支路的栅端，从而减少或消除输入失调电压。
一种灵敏放大器

[实用新型]监控数据用存储器-CN202220058054.3有效
发明人：张卫东;李银文 -专利权人：河南上生中周科技有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本实用新型的监控数据用存储器，存储分配转换电路采用光电耦合器U1接收监控数据，并经缓冲后，再经受控的开关U3、U4进行服务器内置的单个的存储器A存储或存储器A和备用的存储器B的交叉存储，实现监控服务器接收数据量大时，缓解服务器存储负荷过大的问题，速率差电路用于判断服务器内置的存储器A存储是否过负荷，具体的采用差动放大器计算接收速率信号、存储速率信号的差值，差值为正值时，三极管Q1导通，输出触发信号+24V到控制脉冲产生电路，+24V经运算放大器AR2为核心的振荡器产生方波脉冲，并经触发器U1和U2进行1/2分频，分频后脉冲加到开关U3、U4的控制端的控制端，开关U3、U4的触点动作，控制进行存储器A和外置的存储器B的交叉存储。
监控数据存储器

[发明专利]灵敏放大器、存储器以及控制方法-CN202210499308.X在审
发明人：杨宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本申请提供一种灵敏放大器、存储器以及控制方法，包括控制模块，其设有输入端和输出端，用于根据晶体管的工艺角信息对输入端接收到的第一驱动控制信号进行脉冲宽度调节，生成并输出第一驱动控制调节信号；放大模块，其第一控制端与控制模块的输出端连接，其用于响应第一驱动控制调节信号连通第一驱动电源，在第一驱动电源驱动下放大位线和互补位线之间的电压差，以实现在位线和互补位线上形成大小合适的电压差，相较于在位线和互补位线上形成过大或者过小的电压差，本申请驱动位线和互补位线之间电压差至目标电压差值，可以提高灵敏放大器的感测准确性，从而提高数据读写准确性，还可以降低灵敏放大器的功率损耗。
灵敏放大器存储器以及控制方法

[发明专利]灵敏放大器、存储器以及控制方法-CN202110314347.3有效
发明人：苏信政 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本申请提供一种灵敏放大器、存储器以及控制方法，灵敏放大器包括：放大模块，用于在灵敏放大器处于放大阶段时，放大位线和基准位线之间的电压差；可控电源模块，与放大模块连接，用于在灵敏放大器处于写入阶段时停止向放大模块提供电源，使放大模块停止工作；写入模块，与位线和基准位线连接，用于在灵敏放大器处于写入阶段时，根据待写入数据拉动位线和基准位线之间电压差。本方案可保证在写入电路的驱动能力较弱的情况也能成功向存储单元中写入数据。
灵敏放大器存储器以及控制方法

[发明专利]非易失性存储器及其相关存储器区块-CN202010237893.7有效
发明人：黄玉萍;林俊宏;黄正达 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种非易失性存储器，包括：一存储单元阵列、一放大电路与一第一多路复用器。存储单元阵列具有m×n个存储单元。存储器阵列连接至一控制线、m条字线以及n条本地位线，且m与n为正整数。放大电路包括n个感应组件。n个感应组件对应地连接至n条本地位线以及n条读取位线之间。第一多路复用器连接至n条本地位线与n条读取位线。根据一第一选择信号，第一多路复用器将n条本地位线其中之一连接至一第一主位线，并将n条读取位线其中之一连接至一第一主读取位线。
非易失性存储器及其相关存储器区块

[发明专利]用于数据复制的设备及方法-CN201810570114.8有效
发明人： J·J·威尔科克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明包含用于数据复制的设备及方法。实例设备包含：多个感测电路，其包括相应感测放大器及计算组件；及控制器。所述控制器可经配置以导致复制存储于第一计算组件中的数据值使得所述数据值被传播到第二计算组件。
用于数据复制设备方法

[发明专利]灵敏放大器-CN202210499913.7在审
发明人：杨宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本申请提供一种灵敏放大器，包括控制模块，其设有输入端和输出端，用于根据晶体管工艺角对输入端接收到的第一偏移消除信号进行脉冲宽度调整，生成并输出第二偏移消除信号，放大模块，与控制模块的输出端连接，其用于在第二偏移消除信号的控制下消除放大模块的偏移噪声。上述方案可以在读出位线和互补读出位线上形成大小合适的补偿电压，准确消除晶体管的制造差异引起噪声，提高灵敏放大器的准确性。
灵敏放大器

[发明专利]灵敏放大器、存储器以及存储器的工作方法-CN202110065296.5在审
发明人：周永亮;刘明月;张梦迪;王韬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种灵敏放大器，包括：第一晶体管，第一晶体管的栅极与存储单元的第一位线连接；第二晶体管，第二晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，第二晶体管的源极与第一晶体管的源极连接；第三晶体管，第三晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，第三晶体管的源极与第二晶体管的源极连接，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的阈值电压不同；镜像单元，包括被镜像端、第一镜像端和第二镜像端，被镜像端与第一晶体管的漏极连接，第一镜像端与第二晶体管的漏极连接，第二镜像端与第三晶体管的漏极连接；检测单元，检测单元与镜像单元的第一镜像端以及镜像单元的第二镜像端连接。所述灵敏放大器电路提升了存储器的整体读写速度。
灵敏放大器存储器以及工作方法