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[发明专利]基于单片三维异质集成的三态内容寻址存储器-CN202110153819.1有效
发明人：唐建石;李怡均;高滨;吴华强;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于单片三维异质集成的三态内容寻址存储器，包括全局外围电路和堆叠于所述全局外围电路之上的多层三态内容寻址存储器阵列；全局外围电路包括灵敏放大电路和存储器控制电路；各层三态内容寻址存储器阵列均分别包括集成在单个芯片上的晶体管阵列外围电路、限流晶体管阵列和存储器阵列，且为2T2R阵列。本发采用单片三维异质集成技术，通过在单个芯片上异质集成多层不同材料的晶体管，充分发挥不同材料的优势，制造出在容量、功耗、速度等性能上远超传统工艺的三态内容寻址存储器。
基于单片三维集成三态内容寻址存储器

[发明专利]感测放大器和使用感测放大器的半导体存储装置-CN201811555987.8有效
发明人：玉承翰;具尚铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种感测放大器包括锁存型感测单元，锁存型感测单元检测位线与取反位线之间的电压差以及在第一锁存输出节点与第二锁存输出节点之间引起电压差。感测放大器还包括第一锁存连接单元，第一锁存连接单元将所述位线电连接到所述第一锁存输出节点，以及将所述位线与所述第一锁存输出节点断开。
放大器使用半导体存储装置

[发明专利]用于单端感测放大器的设备及方法-CN202210952295.7在审
发明人： T·H·金;C·J·卡瓦姆拉;李继云 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：用于单端感测放大器的设备、系统及方法。存储器装置可包含用于沿着数字线读取存储器单元的电压的多个感测放大器。双端感测放大器耦合到两个数字线。单端感测放大器耦合到单个数字线。存储器阵列的边缘字线的所述存储器单元可交替地耦合到单端感测放大器或双端感测放大器。单端感测放大器的使用可减少用于所述阵列中的给定数目个存储器单元的占用面积。
用于单端感测放大器设备方法

[发明专利]读出放大器和包括该读出放大器的存储器装置-CN202211109070.1在审
发明人：宋秉圭;赵席振;金大贤;裴元一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：公开了一种读出放大器和存储器装置。所述读出放大器包括：预放大器，其连接在接收输入信号的输入节点与第一节点之间；第二开关，其连接在第一节点与输出输出信号的第一输出节点之间；放大器，其连接在第一输出节点和与输出反相输出信号的第二输出节点之间；以及第一开关，其连接在输入节点和第二输出节点之间。预放大器包括连接在输入节点和第一节点之间的反相器、以及连接在输入节点和第一节点之间的第三开关。
读出放大器包括存储器装置

[发明专利]存储电路、具有BCAM寻址和逻辑运算功能的存内计算电路-CN202211499158.9在审
发明人：李鑫;王瑞璇;戴成虎;彭春雨;蔺智挺;吴秀龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及静态随机存储器技术领域，特别是涉及存储电路、具有BCAM寻址和逻辑运算功能的存内计算电路。该存储电路包括NMOS管N1～N5以及PMOS管P0～P1；其中，N1～N4和P0～P1构成6T‑SRAM单元，N5连接在6T‑SRAM单元任意一个存储节点对应的两个MOS管之间，且N5的栅极受控制信号线EN控制。本发明设计的存储电路和传统的6T‑SRAM相比，增加了一个晶体管，用于将读端口与存储节点隔离，进而改善了6T结构的读破坏问题。同时相较于传统的读写分离的8T‑SRAM，少了一个晶体管，在面积上占有更大优势。
存储电路具有 bcam 寻址逻辑运算功能计算

[发明专利]灵敏放大器及存储芯片-CN202211524376.3在审
发明人：管小进 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种灵敏放大器及存储芯片，该灵敏放大器包括第一钳位单元、第二钳位单元第一电流单元以及反馈单元，通过反馈单元耦接总位线、第一钳位单元的控制端，可以使得总位线的电位变化形成闭环控制，即总位线的电位升高，会降低流经第一电流单元、反馈单元的电流，并增加流经第二钳位单元的电流，第一钳位单元的控制端电位下降，流经第一钳位单元的电流也降低，总位线的电位下降至预设电位而得以保持稳定；反之，总位线的电位会升高至预设电位而得以保持稳定。
灵敏放大器存储芯片

[发明专利]读出电路架构-CN202111082961.8在审
发明人：杨桂芬;池性洙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体版图设计领域，特别涉及一种读出电路架构，包括：第一NMOS版图，包括第一N型有源层以及设置在第一N型有源层上分立排布的第一栅极层；第二NMOS版图，包括第二N型有源层以及设置在第二N型有源层上分立排布的第二栅极层；第一PMOS版图，包括第一P型有源层以及设置在第一P型有源层上分立排布的第三栅极层；第二PMOS版图，包括第二P型有源层以及设置在第二P型有源层上分立排布的第四栅极层；第一处理结构版图，第一有源层以及第一隔离栅极；第二处理结构版图，第二有源层以及第二隔离栅极，本申请实施例在不多引入偏移消除MOS管的前提下，以消除读出电路中的偏移噪声，有利于DRAM集成度的提高。
读出电路架构

[发明专利]具有动态交叉耦合再生级的高速感测放大器-CN202180049207.6在审
发明人： T·M·拉斯姆斯;孙立;D·任 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：在某些方面，感测放大器的再生级包括具有输入和输出的第一反相器，以及具有输入和输出的第二反相器。再生级还包括第三反相器，该第三反相器具有输入，耦合到第二反相器的输入的输出，耦合到电源轨的第一电源端子，以及耦合到第一反相器的输出的第二电源端子。再生级还包括第四反相器，该第四反相器具有输入，耦合到第一反相器的输入的输出，耦合到电源轨的第一电源端子，以及耦合到第二反相器的输出的第二电源端子。
具有动态交叉耦合再生高速放大器

[发明专利]感测放大器电路-CN201810972174.2有效
发明人：王立中 -专利权人：芯立嘉集成电路（杭州）有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明揭露一种非差动感测放大器电路，用以读取非易失性内存的信息，该电路包含一半闩锁器、一P型金属氧化物半导体场效应晶体管装置、一开关装置以及一重置装置。该P型金属氧化物半导体场效应晶体管装置具有一源极电极连接至一数字电压轨、一漏极电极连接至该半闩锁器的一输出节点以及一栅极电极连接至耦接一被选择非易失性内存单元的一位线路径。在预充电该位线路径以及关闭该重置晶体管之后，施加一读取电压至与该被选择非易失性内存单元有关的一字线，根据该被选择非易失性内存单元的一电导状态，导致该P型金属氧化物半导体场效应晶体管装置的栅极电极上的电压下降程度不同。本发明可达到超低功率消耗以及高感测速度。
放大器电路

[发明专利]半导体存储器件-CN201811300277.0有效
发明人：元炯植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器件，其包括感测放大器、电压供应电路和电压供应控制电路。感测放大器可以通过从第一至第三电压供应线接收驱动电压而被激活，以检测和放大数据线和取反数据线的电压电平。电压供应电路可以响应于第一至第三电压供应信号和偏置控制信号而将驱动电压施加到第一至第三电压供应线。电压供应控制电路可以响应于激活信号来产生第一至第三电压供应信号和偏置控制信号。
半导体存储器件

[发明专利]灵敏放大器结构以及存储器结构-CN202211379741.6在审
发明人：黄金荣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种灵敏放大器结构以及存储器结构，灵敏放大器结构包括：位于基底上的沿第一方向间隔排布的多个有源区组，每个有源区组包括多个沿第二方向间隔排布的有源区；位于有源区上的间隔排布的第一栅极以及第二栅极，位于同一有源区上的第一栅极以及第二栅极均沿同一方向延伸，延伸的方向为栅极延伸方向；其中，栅极延伸方向与第一方向以及第二方向均不相同，且对于同一有源区，在栅极延伸方向上，第一栅极的长度和第二栅极的长度均大于有源区在第一方向上的最大长度，并且均大于有源区在第二方向上的最大长度。本公开实施例至少有利于改善灵敏放大器的电学性能。
灵敏放大器结构以及存储器

[发明专利]一种用于磁性随机存储器的动态时序调节灵敏放大电路-CN202211375042.4在审
发明人：边中鉴;田晓昀;郭亚楠;蔡浩 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于磁性随机存储器的动态时序调节灵敏放大电路，该结构包括接收到预充信号后动态生成控制信号的时序产生电路、用于灵敏放大数据单元与参考单元间电压差的预充放大电路、检测到压差变化稳定后保存数据并输出的锁存电路。时序产生电路包括四个晶体管和三个反相器，两个异或门，一个与非门，与预充信号和预充放大电路的输出信号一起工作生成动态的时序控制信号。由于时序信号根据输出动态调整，可以克服随机磁存储器(MRAM)因工艺原因造成的个体化差异，有效缩短数据读取时间，提升宽温度下读取准确率，降低读取单元面积。此外，本结构在位线上加入的放电管设计也可以避免在连续读写中位线上积累高电压对读出造成干扰。
一种用于磁性随机存储器动态时序调节灵敏放大电路

[发明专利]存储器以及其感测放大装置-CN202110921875.5在审
发明人：姜彦宁;杨尚辑 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器以及其感测放大装置，感测放大装置包括位线偏压调整器以及感测放大电路。位线偏压调整器接收电源电压以作为操作电压。位线偏压调整器包括第一放大器、第一晶体管以及第一电流源。第一放大器，基于电源电压，根据参考位线电压以及反馈电压以产生调整后参考位线电压。第一晶体管接收调整后参考位线电压，并产生反馈电压。感测放大电路接收电源电压以作为操作电压，用以根据调整后参考位线电压以产生感测结果。
存储器及其放大装置

[发明专利]用于非易失性存储器系统的自定时感测架构-CN202080100997.1在审
发明人： M·弗卢里欧 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：公开了用于读取非易失性单元阵列中所选单元的自定时感测架构。感测电路在已经从所选单元获得稳定的感测值时生成信号，其中稳定的感测值指示存储在所选单元中的值。所述信号指示感测操作的结束，导致稳定的感测值被输出，作为读取操作的结果。
用于非易失性存储器系统定时架构

[发明专利]灵敏放大器、存储器及其操作方法-CN202211293458.1在审
发明人：罗怡菲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种灵敏放大器、存储器及其操作方法，所述灵敏放大器包括：放大模块及电源模块；所述放大模块用于在所述电源模块提供的电压驱动下放大位线和互补位线之间的电压差；所述电源模块包括上拉驱动单元，所述上拉驱动单元与所述放大模块的第一电压端连接，用于在感测阶段分时向所述放大模块提供第一上拉电压和第二上拉电压，所述第一上拉电压小于第二上拉电压。
灵敏放大器存储器及其操作方法