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- [发明专利]CMOS存储电路的泄漏电流减少-CN200480009091.X有效
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陈楠;钟成;迈赫迪·哈米迪·萨尼
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高通股份有限公司
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2004-04-02
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2006-05-03
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G11C11/412
- 本发明提供一种CMOS集成电路(例如，SRAM或DRAM)，其被分成一核心块、一外围块和一保留块。所述核心块包括在所有时刻都被通电的电路(例如，存储单元)且直接耦接到电源和电路接地端。所述外围块包括可被通电或断电且通过一个头开关(head switch)耦接到电源和/或通过一个脚开关(foot switch)耦接到电路接地端的电路。可用高阈电压(高Vt)FET装置建构所述开关和所述核心块以减少泄漏电流。可用低Vt FET装置建构所述外围块以进行高速操作。所述保留块包括将信号线(例如，字线)保持在一预定的电平上的电路(例如上拉装置(pull－up device))，以便当所述外围块断电时可保持所述核心块的内部状态。
- cmos存储电路泄漏电流减少
- [发明专利]具有位线泄漏控制的双阈值电压SRAM单元-CN00807119.5有效
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A·克沙瓦兹;K·张;Y·叶;V·德
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英特尔公司
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2000-02-17
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2002-07-03
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G11C11/412
- 在某些实施例中,本发明包括一个集成电路,该集成电路包括一条位线和一条位线#,多条字线,以及多个存储单元。该存储单元的每一个相应于字线之一条并且每一个包括分别连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二通路晶体管,和位线及位线#,分别地相应的字线连接到第一和第二通路晶体管的栅极。存储单元包括交叉连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二反相器,其中第一和第二通路晶体管每个具有比第一和第二反相器的晶体管更低的阈值电压。连接到字线的字线电压控制电路有选择性地控制该字线上的字线信号。在某些实施例中,字线电压控制电路认定用于相应于选择为读的一个存储器单元的一个所选择的字线的字线信号并欠驱动用于不相应于所选存储单元的字线的字线信号。
- 具有泄漏控制阈值电压sram单元
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