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[发明专利]单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质-CN201811465277.6有效
发明人：王正远;李侨;徐战军 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本公开提供一种单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质，涉及晶体制造技术领域，能够自动调整晶体等径生长的控制力度，进而更好的控制晶体直径。具体技术方案为：获取第i个循环周期的PID初始值；对第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到第i个循环周期的PID修正值；根据第i个循环周期的PID修正值控制第i个循环周期的晶体生长直径。本发明用于控制单晶硅的等径生长。
单晶硅生长控制方法设备存储介质

[发明专利]超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒-CN202011433010.6在审
发明人：夏秋良;刘坤 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒，涉及单晶硅加工技术领域，本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，包括以下步骤：加热单晶硅原料的底部，待单晶硅原料的底部熔化时向上拉制熔化的单晶硅原料；随着单晶硅原料被拉升，减小对熔化的单晶硅原料的拉升速度。本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，可以在单晶硅棒的放肩部位形成弧形曲面，且可降低产生断线的几率。
超大尺寸半导体单晶硅生长方法

[实用新型]可自动调节放肩工艺参数的单晶炉-CN202021804973.8有效
发明人：逯占文;王学卫;邢治国;徐永胜;王胜军;张靖 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种可自动调节放肩工艺参数的单晶炉，包括：晶体提拉模块、机器视觉直径测量模块和温度控制模块；所述提拉系统包括：转轴、连接在转轴上的绕线轮和一端连接在绕线轮上的软轴；所述软轴的另一端与晶体连接，在拉制单晶的工作过程中，转轴带动绕线轮旋转，使所述软轴与绕线轮相连的一端缠绕在绕线轮上，进而使软轴与晶体相连的一端对晶体进行提拉；所述提拉系统通过驱动电机穿过减速器，进而通过有齿轮齿条机构带动。本发明能使晶体放肩生长过程在整个生长过程中始终保持放肩形状一致，在不同单晶炉内部生长环境下，有效调整放肩生长的工艺参数。
自动调节工艺参数单晶炉

[发明专利]由单晶硅制成的半导体晶片及其生产方法-CN201680072509.4有效
发明人： T·米勒;W·霍维泽尔;M·什克罗鲍奈克;G·基辛格 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及由单晶硅制成的半导体晶片，其包含一定浓度的氧、氮和氢；所述半导体晶片进一步包含：BMD晶种，其具有在所述半径上取平均值的不小于1×105cm‑3且不大于1×107cm‑3的密度；表面缺陷，其具有在所述半径上取平均值的不小于1100cm‑2的密度；和BMD，其密度不低于5×108/cm3的下限。本发明同样涉及用于生产由单晶硅制成的半导体晶片的方法。
单晶硅制成半导体晶片及其生产方法

[发明专利]熔体本征对流波动的原位探测方法、控制方法及控制系统-CN201810149828.1有效
发明人：朱允中;王彪;林少鹏 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种熔体本征对流波动的原位探测方法，通过实时采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电信号，对所述界面相电信号进行傅里叶变换处理，提取其中的长周期信号作为熔体本征对流波动信号，根据所述熔体本征对流波动信号的波动规律获得熔体本征对流数据，以反馈晶体生长界面的对流状态。本发明还涉及一种熔体本征对流波动的控制方法，根据本发明反馈的对流状态调整晶体生长条件，以控制晶体生长界面的对流波动。本发明还涉及一种熔体本征对流波动的控制系统，包括电信号采集系统、电信号处理系统和对流调控系统。通过本发明可实时、精确的反馈晶体生长界面的熔体对流波动情况，并实现闭环控制。
对流波动原位探测方法控制控制系统

[实用新型]锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置-CN202021617463.X有效
发明人：于凯;马林;李强;王健;霍晓青 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本实用新型利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。
锑化铟晶体生长过程中放肩形貌调节装置

[发明专利]单晶生长设备及生长方法-CN202011044024.9在审
发明人：赵言;张楠;沈伟民;黄瀚艺 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶生长设备及单晶生长方法。设备包括炉体、坩埚、加热器及导流组件，导流组件包括导流筒及导流筒提拉装置，坩埚、加热器及导流筒均位于炉体内；坩埚用于承载熔融硅；加热器位于坩埚的外围，用于对坩埚进行加热；导流筒与导流筒提拉装置相连接，并自坩埚的外侧延伸到熔融硅的上方；导流筒提拉装置包括控制器，导流筒在控制器的控制下上下移动，以改变所述导流筒与所述熔融硅液面的间距。本发明无需改变晶体提拉速度和坩埚上升速度，因而不会改变液面和热场的相对位置，有利于稳定单晶生长调节，有利于生长出高品质的单晶，且调整操作简单，调整精度高。
生长设备方法

[发明专利]一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法-CN202010910881.6在审
发明人：李翔;李慧芳 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，包括：将CeF3单晶切割成长棒并滚圆分别作为籽晶和料棒；将料棒固定于下进给装置上，将籽晶固定于上部提拉装置上，并控制料棒顶部截面中心置于激光加热中心使得第一料棒顶部熔融成半球状熔体；将籽晶接触料棒顶部的半球状熔体，保温5～10分钟后，开始提拉籽晶和馈送料棒，直至籽晶直径收缩至0.8mm后进行等径生长，得到直径为0.8mm的CeF3单晶光纤所述的单晶光纤由CeF3体块单晶制成。本发明所制备的CeF3单晶光纤直径为0.8mm，长度可达115mm。根据本发明，激光加热基座法(LHPG)生长CeF3单晶光纤，其熔点为1640℃，所生长的CeF3单晶光纤直径均匀，结晶度较好，具备较高的结晶质量。
一种激光加热基座法制 cef3 光纤方法

[发明专利]一种对半导体硅材料晶体长晶放肩形状的控制方法-CN202010717177.9在审
发明人：吴春生;郑锴;穆童;王程平 -专利权人：南京晶能半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种对半导体硅材料晶体长晶放肩形状的控制方法，通过在放肩阶段增加一项斜率‑SLOP控制，并伴有直径‑拉速和拉速‑温度两个闭环控制体系，完成对放肩阶段晶体形状一致性的控制，可以生长出与配方中的斜率设置相同的晶体。由于放肩过程的严格控制，晶体进入等径后的温度环境更加稳定可控，便于生长出高品质的半导体单晶棒。
一种对半导体材料晶体长晶放肩形状控制方法

[发明专利]可自动调节放肩工艺参数的单晶炉及控制方法-CN202010865550.5在审
发明人：逯占文;邢治国;徐永胜;王学卫;王胜军;张靖 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种可自动调节放肩工艺参数的单晶炉，包括：晶体提拉模块、机器视觉直径测量模块和温度控制模块；所述提拉系统包括：转轴、连接在转轴上的绕线轮和一端连接在绕线轮上的软轴；所述软轴的另一端与晶体连接，在拉制单晶的工作过程中，转轴带动绕线轮旋转，使所述软轴与绕线轮相连的一端缠绕在绕线轮上，进而使软轴与晶体相连的一端对晶体进行提拉；所述提拉系统通过驱动电机穿过减速器，进而通过有齿轮齿条机构带动。本发明能使晶体放肩生长过程在整个生长过程中始终保持放肩形状一致，在不同单晶炉内部生长环境下，有效调整放肩生长的工艺参数。
自动调节工艺参数单晶炉控制方法

[发明专利]锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法-CN202010783261.0在审
发明人：于凯;王健;马林;李强;霍晓青 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种液相提拉晶体生长过程中的放肩过程的晶体形貌调节方法，特别涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本发明利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。
锑化铟晶体生长过程中放肩形貌调节装置方法

[发明专利]晶体旋转温度波动的原位探测方法、控制方法及控制系统-CN201810149831.3有效
发明人：朱允中;王彪;马德才 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体旋转温度波动的原位探测方法，通过实时采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电信号，对所述界面相电信号进行傅里叶变换处理，提取其中的与设定的晶转周期一致的信号作为晶体旋转信号，根据所述晶体旋转信号的波动规律获得晶体旋转温度数据，以反馈晶体生长界面的温场对称性。本发明还涉及一种晶体旋转温度波动的控制方法，根据本发明反馈的温场状态调整晶体生长条件，以控制晶体生长界面的温度稳定性。本发明还涉及一种晶体旋转温度波动的控制系统，包括电信号采集系统、电信号处理系统和温场调控系统。通过本发明可实时、精确的反馈晶体生长界面的晶体旋转温度波动情况，并实现闭环控制。
晶体旋转温度波动原位探测方法控制控制系统

[发明专利]一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质-CN201910181545.X在审
发明人：邓先亮 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质，所述方法包括：预先设置放肩过程不同阶段的晶体生长角度设定值和所述放肩过程不同阶段的晶体生长工艺参数的设定值；获得所述放肩过程不同阶段的晶体直径，并计算获得晶体直径的变化值和晶体长度的变化值，并利用所述晶体直径的变化值与所述晶体长度的变化值之间的比值计算晶体生长角度值；将所述晶体生长角度值与所述晶体生长角度设定值进行比较，得到差值，并将所述差值作为PID算法的输入变量；通过PID算法计算晶体生长工艺参数的调节值，作为PID算法的输出变量；将所述晶体生长工艺参数的调节值和所述晶体生长工艺参数的设定值相加，得到实际长晶过程的工艺参数。
一种用于过程晶体生长控制方法装置系统计算机存储介质

[发明专利]用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法-CN201910274689.X有效
发明人：高宇;胡建荣;傅林坚;曹建伟;夏泽杰;王小飞;倪军夫;叶钢飞;谭庆 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2019-04-07 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶体制造技术，旨在提供一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法。该方法包括：在直拉法生产硅单晶时使晶体进入等径生长过程，达到稳定状态；将晶体实际提拉速度设定为当前平均提拉速度，按照预定的变化率使实际提拉速度向设定提拉速度靠拢，直至晶体提拉速度恒定不随晶体直径波动变化；在晶体等径生长过程通过调整加热器功率控制晶体直径，具体是在当前加热平均功率基础上附加可变周期脉冲式功率输出。本发明通过对晶体直径变化速度、加速度的计算和临界值控制，使功率输出时间的关键点判断更为合理和准确；可以缩短直径变化对功率调节的响应时间滞后；不会对晶体直径造成较大扰动，不易造成晶体直径大幅度波动。
用于直拉法硅单晶生长过程晶体直径控制方法

[发明专利]晶体生长界面电信号采集系统-CN201810149832.8有效
发明人：朱允中;王彪;刘洋 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长界面电信号采集系统，包括坩埚、籽晶杆、晶转机构和电信号采集单元；所述晶转机构与外部的炉体绝缘，且包括晶转杆、联轴器、双轴电机和电气滑环；所述晶转杆与籽晶杆电气连接，为空心结构，内部设有导电芯；所述联轴器的下端与导电芯相连；所述双轴电机包括电机支架、电机主轴和电机副轴，所述电机主轴与联轴器的上端相连；所述电气滑环的固定端固定在电机支架上，自由端与电机副轴电气连接；所述电信号采集单元的两端分别与坩埚和电气滑环的固定端电气连接。通过本发明可实现界面相电信号的高速采集和稳定传输。
晶体生长界面电信号采集系统