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[发明专利]大热场环境下的扩肩工艺方法、装置、设备及存储介质-CN202111448052.1在审
发明人：张文霞;郭谦;周彦杰 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种大热场环境下的扩肩工艺方法、装置、设备及计算机可读存储介质，在扩肩过程中，监测放肩角的大小，并根据放肩角的大小调节扩肩功率，控制扩肩温度。本发明的有益效果是减少人为干预，自动进行扩肩过程中扩肩功率的调节，改善扩肩过程中界面稳定性，提高扩肩成活率，提高生产效率。
大热场环境工艺方法装置设备存储介质

[发明专利]大热场环境下单晶硅棒扩肩工艺、装置、设备及存储介质-CN202111449740.X在审
发明人：张文霞;郭谦;周彦杰 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种大热场环境下大尺寸单晶硅棒成晶的扩肩工艺方法、装置、设备及计算机可读存储介质，包括，设定标准肩型；在扩肩过程中，依次获取不同时间点的扩肩长度，并获取与各个时间点的扩肩长度相对应的扩肩的实际直径，以及获取与实际直径相对应的标准肩型的预设直径；根据实际直径和预设直径计算直径偏差；根据直径偏差进行实际拉速的调节，控制扩肩肩型。本发明的有益效果是实现扩肩过程自动化，减少人为干预，提升劳动效率，保证调节的标准及成活率。
大热场环境单晶硅棒扩肩工艺装置设备存储介质

[发明专利]直拉单晶硅的温度控制方法、电子设备和直拉单晶炉-CN202111333834.0在审
发明人：张伟建;杨正华;王正远;郭力;杜婷婷 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本公开涉及一种直拉单晶硅的温度控制方法、电子设备和直拉单晶炉，该方法包括：在确定坩埚中硅液的液面温度位于预设的温度区间的情况下，按照硅液的引晶加热功率控制加热装置对硅液进行加热，并控制坩埚以变化的转动速度进行转动。如此，通过控制硅液以变化的转动速度进行转动，可以破坏硅液在坩埚转动过程中形成的稳态，便于硅液内的换热，进而可以使硅液的温度快速稳定，减少硅液的温度波动。
单晶硅温度控制方法电子设备直拉单晶炉

[发明专利]一种直拉法硅单晶新型扩肩方法-CN202111152823.2在审
发明人：景吉祥;李雪峰;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，包括：实时检测单晶长度和单晶直径，计算所述单晶实际斜率；将所述单晶实际斜率与所述单晶最优斜率范围进行对比，若所述单晶实际斜率在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速为设定拉速；若所述单晶实际斜率不在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速发生变化，为拉速系数z×所述设定拉速，直至所述单晶扩肩完成。本发明的有益效果是在现有逻辑基础上增加扩肩斜率判断，将设定斜率与实时斜率进行范围的比对，能够快速准确的显示出炉内单晶扩肩的真实情况，并且根据实际情况进行拉速的调整，提高整体单晶的成活率，解决目前进行扩肩工艺时存在滞后性，导致单晶扩肩成活率低的问题。
一种直拉法硅单晶新型方法

[发明专利]一种直拉法硅单晶扩肩过程中计算埚升速度方法-CN202111155178.X在审
发明人：景吉祥;李雪峰;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法硅单晶扩肩过程中计算埚升速度方法，包括：测量坩埚的内径；实时测量所述单晶的直径值以及所述单晶的拉速；通过所述单晶实时拉速、所述单晶的实际直径值以及所述坩埚的内径得到所述坩埚的实时提升速度。本发明的有益效果是在扩肩过程中通过实时测量单晶的实际直径值和实际石英坩埚的内径，再配合单晶实时拉速的变化，来计算坩埚的提升速度，使坩埚提升的速度等于实际晶体提出而造成液面和热屏下降的速度，保证液面距的一致，实现在放肩过程中，减小坩埚提升速度的滞后性，实现坩埚位置的及时匹配，同时减小温度的波动，稳定提升成晶率。
一种直拉法硅单晶扩肩过程计算升速方法

[发明专利]一种单晶炉拉晶控制的方法及装置-CN202211162885.6在审
发明人：劳海兵;王新强;万军军 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶炉拉晶控制方法及装置，可以应用于晶体生长技术领域。该方法中，根据等径长度计算晶棒的预估长度；判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度；若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差大于保护长度，则，控制单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度，并返回执行根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作；若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度，则，控制单晶炉执行收尾操作。如此，通过判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度，保证制备合理长度的晶棒，使得晶棒提升至副炉室后能够关闭隔离阀，达到晶棒可以安全地从副炉室中取出的目的。
一种单晶炉拉晶控制方法装置

[发明专利]一种单晶拉制方法-CN202110672615.9在审
发明人：沈瑞川;高润飞;李雪峰;董恩惠;景吉祥;王静;郭谦 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明揭露了一种单晶拉制方法，包括以下步骤：S1、建立拉单晶数据库；S2、在拉单晶进入放肩工序时，根据单晶目标规格、单晶炉的型号以及热场尺寸、单晶炉内的辅料数据、坩埚内装的原料的数据在所述数据库内整合出一最优存活肩形；S3、结合单晶目标规格、单晶炉的基本参数、单晶炉坩埚内装的原辅料的数据以及所述最优存活肩形在所述数据内整合出一最优放肩方案；S4、根据所述最优放肩方案进行放肩。根据上述方式放肩，相当于给不同炉台定制不同的放肩方案，从而各个单晶炉的放肩成活率都很高，进而提升单晶的生长效率。
一种拉制方法

[发明专利]单晶直拉生长方法、装置、设备及计算机可读存储介质-CN202110597419.X在审
发明人：王正远;李侨;豆菲菲 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶直拉生长方法以及装置，涉及太阳能光伏技术领域。其中，通过在单晶直拉生长的放肩过程中，获取单晶生长对应的第一参数，并将第一参数输入目标模型，由于目标模型由历史放肩过程中单晶生长对应的第二参数，以及历史转肩操作时的历史转肩直径构建得到，因此，可以获取目标模型根据第一参数输出的转肩直径，再根据第一参数、转肩直径进行转肩操作，此时，目标模型充分学习了历史放肩过程、转肩过程的经验，因此通过目标模型能够自动根据第一参数确定对应的转肩直径，并能够根据转肩直径自动控制转肩操作的执行，从而降低了单晶直拉生长的时间、人工成本，同时也避免了人工判断不够标准化，导致转肩的成功率较低的问题。
单晶直拉生长方法装置设备计算机可读存储介质

[发明专利]硅单晶生长方法以及设备-CN201980008970.7有效
发明人：姜钟珉;崔日洙 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一实施方式提供了硅单晶生长方法，所述方法包括如下步骤：(a)使单晶的肩部垂直生长；(b)在垂直生长后，使肩部水平生长；以及(c)在肩部水平生长后，使肩部以向下凸出的形状生长，其中，根据基于步骤(b)和(c)的肩部最终直径和肩部生长高度，肩部以预设速率生长。
硅单晶生长方法以及设备

[发明专利]单晶制造系统及单晶制造方法-CN202080087775.0在审
发明人：西岗研一;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统（1）具备：单晶提拉装置（10），在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值，使用直径校正系数来校正直径测量值，由此，求出单晶的第1直径，根据第1直径控制单晶的直径；直径测量装置（50），在室温下测量单晶提拉装置（10）提拉的单晶的直径，求出单晶的第2直径；及数据库服务器（60），从单晶提拉装置（10）及直径测量装置（50）分别获取第1直径及第2直径并管理。数据库服务器（60）根据在室温下一致的直径测量位置的第1直径及第2直径算出直径校正系数的校正量，使用所述校正量来校正直径校正系数。
制造系统方法

[发明专利]一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备-CN202011611957.1在审
发明人：徐战军;周锐;李侨 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备，涉及晶体拉制技术领域，以提供一种在提拉生长晶体的过程中，形成电池端所需形状晶体的技术方案。包括：在提拉生长晶体的过程中，实时获取晶体的生长图像，并从生长图像中提取晶体在生长界面处的形状信息。其中，生长界面为晶体与原料熔体液面相交处；将晶体在生长界面处的形状信息，与预设形状的形状信息进行对比，获得对比结果。基于对比结果，利用激光器调整晶体在生长界面处的形状。
一种晶体生长控制方法以及装置设备

[发明专利]一种区熔单晶硅的制备方法-CN202210222706.7在审
发明人：关文涛;张遵;刘强强;常青;王春静;王祥祥 -专利权人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种区熔单晶硅的制备方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：控制线圈的功率，以使样芯被所述线圈加热，从而形成熔体；将籽晶上端垂直地浸入所述熔体中，使得所述籽晶被加热；当所述籽晶的颜色呈红色且熔融状态时，降低所述线圈的功率；控制上轴和下轴同时下拉，以形成细颈；其中，所述上轴的下拉速度为1‑1.5mm/min，所述下轴的下拉速度逐渐提升至10‑15mm/min，以使所述细颈的直径小于等于3mm、长度大于等于40‑60mm；对所述样芯进行放肩，以形成肩部和硅单晶棒；控制所述上轴上拉、所述下轴下拉，同时将所述线圈的功率降低至零，直至所述熔体与所述硅单晶棒分离，取出所述硅单晶棒。该实施方式能够解决难以实现无位错晶体的技术问题。
一种单晶硅制备方法

[发明专利]一种基于提拉法的晶体生长界面形状的探测方法和装置-CN202110584164.3有效
发明人：朱允中;王彪;王文佳 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于提拉法的晶体生长界面形状的探测方法，所述探测方法在晶体生长过程中，同时采集籽晶温度T和界面电动势U，获取界面电动势U随籽晶温度T变化的T‑U曲线，通过观测所述T‑U曲线与基准线的偏差实时判断晶体生长界面形状的变化趋势；所述基准线是经过所述T‑U曲线的起始点、斜率为所述晶体的塞贝克系数的直线。本发明还涉及所述方法使用的装置。本发明所述的探测方法能在晶体生长过程中实时探测晶体生长界面形状的变化趋势，可以应用于铌酸锂、钽酸锂、蓝宝石、钇铝石榴石等多种单晶的提拉法生长设备。
一种基于提拉法晶体生长界面形状探测方法装置

[发明专利]用于制造无缺陷单晶硅晶体的方法和设备-CN202111152966.3在审
发明人：高梨启一;下崎一平 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造无缺陷单晶硅晶体的方法和设备。一种晶体提拉机设备包括提拉组件，其用以以提拉速度从硅熔体提拉晶体；坩埚，其装纳硅熔体；在硅熔体的表面上方的热屏蔽件；升降器，其用以改变热屏蔽件和硅熔体的表面之间的间隙；以及一个或多个计算装置，其用以响应于提拉速度的变化在晶体的给定长度下使用Pv‑Pi容限来确定对间隙的调节。由计算装置进行的计算机实施的方法包括确定提拉速度命令信号以控制晶体的直径；确定升降器命令信号以控制热屏蔽件和从其生长晶体的硅熔体的表面之间的间隙；以及响应于不同的提拉速度使用Pv‑Pi容限来确定对间隙的调节。
用于制造缺陷单晶硅晶体方法设备

[发明专利]一种快速控制直拉单晶硅直径的方法-CN202111471742.9在审
发明人：秦瑞锋;李洋 -专利权人：山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速控制直拉单晶硅直径的方法。该方法包括在单晶硅与石英坩埚之间增设可上下移动的挡板；在单晶等径生长过程中，当单晶硅直径较目标直径减小时，向下移动挡板至遮挡直径减小部位的位置，单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射减少，单晶硅直径增加；当单晶硅直径较目标直径增大时，向上移动挡板离开直径增大部位的位置，单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射增加，单晶硅直径减小。本发明通过在传统热场结构中增设可上下移动的挡板实现对热辐射量的直接控制，从而快速改变相变界面周围的温度，以达到辅助拉速控制单晶直径的目的，减小甚至消除拉速的变化。
一种快速控制单晶硅直径方法