专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种Cr二维孔洞式纳米环阵列结构可控尺寸的方法-CN201510603749.X在审
  • 吴泓均;王怿宁 - 宁波工程学院
  • 2015-09-22 - 2015-12-16 - B82Y40/00
  • 一种Cr二维孔洞式纳米环阵列结构可控尺寸的方法,属于材料制备技术领域,包括以下步骤:将基板置于氨水与过氧化氢的混合溶液中,进行亲水性处理;通过旋转涂布法在基板上制备周期性排列的高分子纳米球的单层模板;通过反应性离子蚀刻的方法控制纳米球尺寸,获得蚀刻后的单层模板;通过三轴卫星旋转支架技术及闭合场非平衡磁控溅射离子镀系统对蚀刻后的单层模板进行Cr的溅射沉积;对沉积后的模板进行纳米球剥除处理。与现有技术相比,本发明采用三轴卫星旋转支架技术及闭合场非平衡磁控溅射离子镀系统的关键工艺参数即可获得具有不同光学透射率尺寸的Cr二维孔洞式纳米阵列结构,制备工艺简单,可控性强,工艺过程具有很高的可重复性。
  • 一种cr二维孔洞纳米阵列结构可控尺寸方法
  • [发明专利]用于制造和对准纳米线的方法和这种方法的应用-CN201280051913.5在审
  • 约尔格·阿布席斯 - 约尔格·阿布席斯
  • 2012-08-20 - 2014-07-30 - B82Y10/00
  • 本发明尤其描述一种用于制造导体结构的方法,所述导体结构具有至少一个硅纳米线(4),所述硅纳米线具有小于50nm的直径并且经由电极(11,13,30)经由至少两个部位接触,并且其中至少一个纳米线(4)和电极(11,13,30)设置在衬底(1,5)上的一个平面中,其特征在于,a)将直径在0.5nm至50nm的范围中的催化活性的金属纳米颗粒放置在绝缘衬底(1)的表面(2)上,b)当温度在300℃至1100℃的范围中、同时持续时间在10min至200min的范围中时,表面和放置在其上的金属纳米颗粒经受包含至少一种气态的硅组分的气流,其中形成至少一个长度在5μm至200μm的范围中的从衬底(1)伸出的纳米线(4);c)将所述至少一个从衬底(1)的表面伸出的纳米线(4)通过安放具有与绝缘衬底(1)的表面(2)相配合的接触面(6)的次级衬底(5)而放置到一个平面中;d)放置在绝缘衬底(1)上的至少一个纳米线(4)在两个不同的部位上与电极(11,13,30)接触,或者至少一个附着在次级衬底(5)上的纳米线在两个不同的部位上与电极(11,13,30)接触。
  • 用于制造对准纳米方法这种方法应用

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