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- [发明专利]包括低折射率涂层和辐射改性层的器件-CN202180077289.5在审
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M·海兰德;Z·王;Y-L·常;王琦;张英杰
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OTI照明公司
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2021-10-11
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2023-06-23
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B82Y30/00
- 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸，该半导体器件包括：设置在第一层表面上的至少一个(较)低折射率涂层，以及嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内并且包括至少一种颗粒结构的至少一个EM辐射改性层，该至少一种颗粒结构包括沉积材料。将该至少一个EM辐射改性层的该至少一种颗粒结构嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内修改了该至少一个EM辐射改性层的针对EM辐射的吸收光谱，该EM辐射在EM光谱的至少一部分中以相对于该至少一个EM辐射改性层中的侧向朝向的非零角度至少部分地穿过该至少一个EM辐射改性层。包括第一至少一个(较)低折射率涂层的下部可设置在该第一层表面与该至少一个EM辐射改性层之间，并且包括第二至少一个(较)低折射率涂层的第二部分可设置在该至少一个EM辐射改性层上。
- 包括折射率涂层辐射改性器件
- [发明专利]纳米压印压模-CN202180066177.X在审
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伊恩·马修·麦克马克;卢多维克•戈代
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应用材料公司
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2021-06-17
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2023-06-23
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B82Y40/00
- 一种用于从主模板压模(stamp)制造纳米压印平版印刷术压模的设备，包括经配置成选择性地将压模背衬材料固定到其上的压模夹盘、经配置为支撑主模板压模的主夹盘，主模板压模包括在其上主图案，主夹盘经配置成支撑主模板压模，主模板压模与选择性地固定到压模夹盘上时的压模背衬材料呈面对关系，其中主模板压模包括在主图案上和中的电磁能量可固化材料，且压模夹盘经配置成及经布置成将其上的背衬材料的一部分定位成与其间隔开并与电磁能量可固化材料接触，且压模夹盘进一步经配置成将与能量可固化材料接触的背衬材料的该部分定位成，在能量可固化材料固化后，与压模夹盘接触。
- 纳米压印
- [发明专利]由金属结构限定的硅量子装置结构-CN202180047774.8在审
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索非亚·帕托马基;约翰·莫顿
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量子运动科技有限公司
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2021-08-05
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2023-06-02
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B82Y10/00
- 提供了一种硅基量子装置。该装置包括：第一金属结构(501)；与第一金属结构横向间隔开的第二金属结构(502)；以及由第一金属结构与第二金属结构之间的间隔限定的L形长形通道(520)；其中该长形通道具有连接该长形通道的两个长形部分的顶点(505)。该装置进一步包括：位于长形通道中的第三金属结构(518)，即介体栅；第四金属结构(531)，第四金属结构(531)形成布置在第三金属结构的第一端的第一势垒栅；以及第五金属结构(532)，第五金属结构(532)形成布置在所述第三金属结构的第二端处的第二势垒栅。第一金属结构、第二金属结构、第三金属结构、第四金属结构和第五金属结构被配置为分别连接至第一电势、第二电势、第三电势、第四电势和第五电势。第一电势、第二电势、第三电势、第四电势和第五电势是可控制的以限定电势阱，从而将量子电荷载流子限制在长形通道下方的长形量子点内。第四电势和第五电势以及第四金属结构和第五金属结构的位置分别限定长形通道的第一端和第二端。该势阱的宽度是由该第一金属结构和第二金属结构的位置及其对应的电势来限定的；并且该势阱的长度是由第四金属结构和第五金属结构的位置及其对应的电势来限定的。第三电势是可控制的以调整电势阱中的量子电荷载流子能级。
- 金属结构限定量子装置结构
- [发明专利]导电性二维粒子及其制造方法-CN202180053101.3在审
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坂本宙树;小柳雅史;柳町章麿
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株式会社村田制作所
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2021-08-27
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2023-05-09
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B82Y30/00
- 提供一种导电性二维粒子及其制造方法，氯与溴的含有率在一定以下，适合于无卤素用途，此外不使用粘合剂就能够形成高导电性薄膜。上述导电性二维粒子，是包含1个层、或包含1个层和多个层的层状材料的导电性二维粒子，其中，所述层包括：由下式：MmXn(式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或其组合，n为1以上且4以下，m大于n并在5以下)表示的层主体；存在于该层主体的表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种)，所述层的M与从PO43‑、I和SO42‑所构成的群中选择的至少一种结合，氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下，所述二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上。
- 导电性二维粒子及其制造方法
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