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[发明专利]清洗装置和化学机械研磨设备-CN202310813451.6在审
发明人：李磊磊;胡俊杰;肖畅;张明堂;吕新强;桂辉辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供一种清洗装置和化学机械研磨设备，清洗装置包括喷淋件、两个供气件和两个清洗件，两个清洗件和两个供气件均分别设置于待清洗件的厚度方向的两侧；喷淋件和各供气件均与待清洗件间隔设置，喷淋件朝向待清洗件的一侧设置有喷淋口，各供气件朝向待清洗件的一侧均设置有多个供气口，在同一供气件上，多个供气口沿供气件的延伸方向间隔设置，供气件提供的气体的温度大于待清洗件的清洗前的温度。气体通过供气口吹至待清洗件的表面，以加热待清洗件的表面，提高待清洗件的表面和位于该表面上的清洗液的温度，从而提高清洗液的清洗能力，以提升清洗装置的清洗效果。因此，本公开提供的清洗装置和化学机械研磨设备，可提升清洗装置的清洗效果。
清洗装置化学机械研磨设备

[发明专利]平坦度控制方法、装置、设备及介质-CN202210706556.7有效
发明人：常潇;桂辉辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本公开涉及一种平坦度控制方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取目标晶圆的当前厚度值集合，当前厚度值集合包括所述目标晶圆的多个不同研磨区的当前厚度值；根据当前厚度值集合计算所述目标晶圆的厚度变化振幅，若厚度变化振幅大于或等于预设厚度变化阈值，则根据目标晶圆的参考研磨区的当前厚度值、多个不同研磨区的目标厚度值计算不同研磨区的当前厚度偏差；根据目标晶圆相邻前一次被所述机台研磨的压力值、当前厚度偏差及重研磨去除厚度值计算研磨区的目标研磨压力值，并根据研磨压力值控制所述机台执行预设化学机械研磨工艺，提高化学机械研磨工艺后晶圆不同研磨区域的厚度均一性。
平坦控制方法装置设备介质

[发明专利]半导体基底的清洗方法及半导体清洗装置-CN202111121466.3在审
发明人：宋受壮;桂辉辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体基底的清洗方法及半导体清洗装置。该半导体基底的清洗方法包括：提供半导体基底；在半导体基底表面喷洒第一碱性清洗液，利用清洗刷刷洗半导体基底的表面；将半导体基底置于第二碱性清洗液中，利用超声清洗工艺对半导体基底清洗；向半导体基底表面喷洒强酸溶液，对半导体基底冲洗。本公开实施例的清洗方法，能够避免特殊图案缺陷的形成，且对半导体基底的清洗更加彻底。
半导体基底清洗方法装置

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202210968812.X在审
发明人：吕新强;桂辉辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体结构；其中，所述半导体结构包括衬底、第一介质层和第二介质层，所述衬底中形成有沟槽，所述第一介质层覆盖所述衬底表面以及所述沟槽的侧壁和底部，所述第二介质层覆盖所述第一介质层并填满所述沟槽；研磨所述第二介质层，至所述第二介质层的顶部与所述第一介质层的顶部之间的距离等于指定距离；其中，所述第二介质层的顶部高于第一介质层的顶部；对研磨后的所述第二介质层进行刻蚀，至剩余的所述第二介质层的顶部与所述衬底表面平齐；在刻蚀所述第二介质层后，去除覆盖所述衬底表面的所述第一介质层。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202210827231.4在审
发明人：周鹏;桂辉辉;胡福临 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个沿第一方向相互分立的隔离结构，隔离结构包括支撑层以及位线侧墙，位线侧墙位于支撑层在第一方向上的相对两侧，且相邻的隔离结构之间形成第一凹槽；在第一凹槽中形成位线，位线侧墙覆盖位线相对的两个侧壁。本公开实施例有利于改善形成的位线容易发生歪曲或者倾斜的问题。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210760481.0在审
发明人：宋受壮;桂辉辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法，该制造方法包括：提供包括阵列区和边缘区的衬底，衬底上形成有器件层；在衬底上形成覆盖器件层的第一绝缘层，在第一绝缘层背离衬底的一侧形成支撑层；在位于阵列区的支撑层与第一绝缘层中形成多个下电极孔，并在多个下电极孔中形成多个下电极；在阵列区的支撑层中形成多个第一刻蚀孔，通过多个第一刻蚀孔去除位于相邻的下电极之间的第一绝缘层，形成第二刻蚀孔；在第二刻蚀孔中形成覆盖多个下电极表面与支撑层表面的介电层；在第二刻蚀孔中形成覆盖介电层的上电极；在上电极背离衬底的一侧形成覆盖阵列区与边缘区的第二绝缘材料层，并对第二绝缘材料层进行平坦化处理，以形成在阵列区与边缘区上表面平齐的第二绝缘层。
半导体结构制造方法

[实用新型]一种抛光垫-CN202120177695.6有效
发明人：黄学良;蔡长益;罗乙杰;桂辉辉;刘敏;杨佳佳;邱瑞英;张季平 -专利权人：湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本实用新型抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。
一种抛光

[发明专利]一种抛光垫-CN202110087557.3在审
发明人：黄学良;蔡长益;刘敏;桂辉辉;罗乙杰;杨佳佳;邱瑞英;张季平 -专利权人：湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。
一种抛光

[发明专利]一种抛光垫及半导体器件的制造方法-CN202110086051.0有效
发明人：黄学良;蔡长益;邱瑞英;桂辉辉;刘敏;罗乙杰;杨佳佳;张季平 -专利权人：湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明公开一种抛光垫及半导体器件的制造方法，该方法包括使用具有特定图案及物性参数的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；本发明还公开了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层硬度为40‑70D，密度为0.6‑0.9g/cm3，并且抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，抛光单元的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一个方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一个方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫限定的抛光单元面积比，有效面积比等参数与限定的抛光层物性参数相结合时，具有优异的综合性能。
一种抛光半导体器件制造方法

[发明专利]铜结构的热处理方法及三维存储器的形成方法-CN201710772556.6有效
发明人：马亮;潘杰;桂辉辉;郁赛华;宋长庚;吕术亮;李远;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜结构热处理方法及三维存储器形成方法，该热处理方法包括：提供加热结构，加热结构具有一密封腔，密封腔的腔壁上设置有加热元件，且加热结构的密封腔中具有支架；将至少一个晶圆放置在支架上，在预设气体环境中，利用加热结构对晶圆进行加热，直至加热结构密封腔内的温度达到预设温度，停止对晶圆进行加热，晶圆表面具有铜结构；将晶圆在密封腔中保温预设时间；对晶圆进行冷却。相较于现有热处理方法，该热处理方法对铜结构电阻率影响不大，但明显降低了缺陷颗粒数和缺陷密度，提高了铜结构的质量，从而提高了后续化学机械研磨的稳定性；还降低了应力值，从而减弱了铜结构在后续的化学机械研磨时变形或开裂的倾向。
结构热处理方法三维存储器形成

[发明专利]一种研磨方法-CN201710775066.1在审
发明人：万先进;周小云;桂辉辉;杨俊铖 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种研磨方法，该方法包括，提供待研磨的半导体结构，该半导体结构至少具有研磨层和研磨终点检测层，采用研磨液对研磨层进行主研磨，获取用于表征研磨层表面物理性能的性能参数，根据该性能参数判断是否到达主研磨的研磨终点，若到达主研磨的研磨终点，则对研磨液进行稀释，以使稀释后的研磨液的研磨层对研磨终点检测层的选择比达到预设选择比，以稀释后的研磨液对研磨层进行过研磨。该研磨方法通过在过研磨阶段降低研磨液浓度，使研磨液对研磨层和研磨终点检测层的选择比达到预设选择比，保证了半导体结构的形貌的同时，由于单位研磨液中固体颗粒含量降低，固体颗粒与研磨层表面接触减少，细微刮伤缺陷也相应减少。
一种研磨方法

[发明专利]化学机械研磨的方法-CN201610996811.0在审
发明人： 桂辉辉;周小红;李大鹏;周小云;万先进 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械研磨的方法，包括提供待研磨晶圆，所述晶圆包括半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的层间介质层、形成在所述层间介质层内的凹槽、以及形成在所述层间介质层上及所述凹槽内的金属互连层；对所述金属互联层进行第一化学机械研磨，去除部分所述金属互联层；对所述金属互联层进行第二化学机械研磨，完全去除所述层间介质层上的所述金属互连层；对所述层间介质层进行第三化学机械研磨；所述第三化学机械研磨包括一冲洗步骤采用缓蚀剂对所述晶圆进行冲洗，防止在等待时间内暴露出的金属被氧化，从而降低了发生树突缺陷的风险，提高了半导体器件的性能；同时减少了晶圆在第三次化学机械研磨过程中的等待时间。
化学机械研磨方法

[发明专利]化学机械研磨装置及其研磨方法-CN201610996724.5在审
发明人： 桂辉辉;周小红;万先进 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械研磨装置及其研磨方法，所述方法包括对待研磨晶圆依次进行多次化学机械研磨，所述多次化学机械研磨分别由同一化学机械研磨装置的不同子装置进行，所述多次化学机械研磨均采用自动探测终点的方法进行化学机械研磨，从而降低不同晶圆批次之间以及晶圆与晶圆之间的厚度差异，减少工作人员的工作量，减少人力成本，并且还可以避免不同工作人员之间存在的误差，提高化学机械研磨的效率。
化学机械研磨装置及其方法

[发明专利]一种晶圆研磨系统以及晶圆研磨终点的控制方法-CN201611170706.8在审
发明人： 桂辉辉;周小红;闵源;杨俊铖;万先进 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆研磨系统以及晶圆研磨终点的控制方法，将一研磨垫与一晶圆的表面接触，以通过研磨垫的旋转研磨晶圆，将一直流电机的输出轴与研磨垫连接，以驱动研磨垫旋转，将一控制器与直流电机连接，用于向直流电机输出驱动电流以控制直流电机的工作，于输出轴上的扭矩在一预设的置信时间区间内低于一预设值时，控制器停止输出驱动电流；上述技术方案能够缩小同一批次的晶圆的研磨厚度的差异，以及降低技术人员的工作量，以提高晶圆产品的合格率。
一种研磨系统以及终点控制方法

[发明专利]一种化学机械研磨的方法-CN201410158666.X在审
发明人：李强;闫大鹏;张志杰;桂辉辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有沟槽，在所述层间介电层表面和所述沟槽中形成有铜互连层；进行第一化学机械研磨，以去除所述层间介电层表面的大部分铜互连层；进行第二化学机械研磨，以完全去除所述层间介电层表面的铜互连层；采用含有酸性化学物质的溶液清洗所述半导体衬底的表面，以去除铜残留。根据本发明的方法可有效去除化学机械研磨过程中的铜残留，进而提高器件的性能和良率。
一种化学机械研磨方法

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