[其他]制备半导体化合物薄膜的射频溅射法无效
| 申请号： | 85100504 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100504A | 公开（公告）日： | 1986-08-13 |
| 发明（设计）人： | 黎锡强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 化合物 薄膜 射频 溅射 | ||
【权利要求书】：
1、一种制备有高蒸汽压组分的Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物薄膜的射频溅射方法，其特征是使用所要制造的半导体化合物碎料或大块锭和少量高蒸气压组分的五族元素材料一起作为溅射靶。
2、按权利要求1所述的射频溅射方法，其特征是溅射靶置于溅射室的下方，衬底置于溅射靶上方。
3、按权利要求1或2所述的射频溅射方法，其特征是用合成磷化铟和少量红磷作为溅射靶，衬底使用定向的GaA3单晶片，磷化铟单晶片，兰宝石或光学玻璃等。
4、按权利要求3所述的在磷化铟、砷化镓单晶片上溅射沉积磷化铟单晶薄膜的方法，其特征在于对<100>晶向的磷化铟与砷化镓衬底及<311>晶向的砷化镓衬底，衬底温度为280～350℃范围，对<111>晶向的磷化铟及砷化镓衬底及<110>晶向的砷化镓衬底则维持衬底温度在290～335℃范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
