[发明专利]一种增强散热的盖板封装结构及其制备方法

说明书

本发明提供了一种增强散热的盖板封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，封装结构包括引线框架，引线框架上设置基岛与若干管脚，基岛上表面通过第一结合层与管芯下表面的下电极连接，管芯与管脚之间设置侧壁连接板，侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板另一端通过折弯与管脚连接，管芯上方设置封装盖板，管芯上表面的上电极通过第二结合层与封装盖板下表面连接，封装盖板上端外周设置凸缘，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板上表面连接。本发明中，封装盖板与若干侧壁连接板形成密闭空间封装管芯，封装盖板采用导热材料制成，管芯热量通过封装盖板传递至外界环境中，提高了封装结构的散热效果。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种增强散热的盖板封装结构及其制备方法。

背景技术

随着半导体制造技术的进步,微电子组件的尺寸越来越小,其中的电路也越来越密集。为了进一步缩小尺寸,安装在电路板的微电子组件封装结构也必须更加紧密。

传统半导体封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到基板的相应引脚,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试。例如，授权公告号为“CN112117242B”的申请公开了一种芯片封装结构及其制造方法。所述芯片封装结构包括基岛、封装料、贴装在基岛上表面的第一芯片以及相较于第一芯片远离基岛上表面布设的第二芯片，还包括设于第二芯片下表面的基底膜层和多个连接柱，所述连接柱的上端植设于基底膜层且其下端焊接于基岛上表面，封装料包封第一芯片和第二芯片并填充于基岛和第二芯片之间。通过设置基底膜层和植设连接柱，使得在封装料能够沿连接柱包饶并充盈至第二芯片和基岛之间的空隙中，利于包封过程中气体的顺利排出，避免空洞现象；并且，连接柱的上端植设于基底膜层且其下端焊接至基岛上，使得连接柱稳固性强，避免连接柱脱落或移位。

但是，上述封装结构通过封装料直接包封第一芯片与第二芯片，封装料导热性较差，导致该封装结构散热性能较低，芯片工作过程产生的热量不易传递至外界，影响了芯片的工作性能。

发明内容

本发明提供一种增强散热的盖板封装结构及其制备方法，用以解决目前封装结构采用封装料直接封装时导热性较差，导致该封装结构散热性能较低，芯片工作过程产生的热量不易传递至外界，影响了芯片的工作性能的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明公开了一种增强散热的盖板封装结构，包括：引线框架，引线框架上设置基岛与若干管脚，若干管脚围设于基岛外围，基岛上表面通过第一结合层与管芯下表面的下电极连接，管芯与管脚之间设置侧壁连接板，侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板另一端通过折弯与管脚连接，管芯上方设置封装盖板，管芯上表面的上电极通过第二结合层与封装盖板下表面连接，封装盖板上端外周设置凸缘，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板上表面连接。

优选地，引线框架上设置塑封层，塑封层包覆在管脚、侧壁连接板及封装盖板外侧，封装盖板上表面延伸至塑封层外部。

优选地，封装盖板的凸缘靠下位置设置凸起。

优选地，管芯设置有若干个，封装盖板靠近管芯一侧中心开设凹槽，凹槽两侧形成与管芯相对应的盖板柱体，盖板柱体下端通过第二结合层与管芯上表面连接，凹槽内设置内部连接板，内部连接板两端分别与相邻两个管芯连接。

优选地，第一结合层、第二结合层、第三结合层均采用导热结合材料制成。

一种增强散热的盖板封装结构制备方法，用于制备上述的一种增强散热的盖板封装结构，包括以下步骤：

步骤1：取一铜片，通过蚀刻、冲压等工艺设置基岛及围设于基岛外围的若干管脚；