[发明专利]一种图像传感器及其制作方法

说明书

本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体制造技术领域。所述图像传感器至少包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；浅沟槽隔离结构，由所述第二表面延伸至所述衬底中；底部隔离层，设置在所述衬底中，且位于所述浅沟槽隔离结构靠近所述第一表面的一侧；多个光电感应区，设置在所述衬底中，且位于所述底部隔离层靠近所述第一表面的一侧；深沟槽隔离结构，由所述第一表面延伸至所述衬底中，所述深沟槽隔离结构与所述浅沟槽隔离结构对应设置，且所述深沟槽隔离结构位于相邻的所述光电感应区之间；以及侧壁隔离层，位于所述光电感应区和所述深沟槽隔离结构之间。通过本发明提供的一种图像传感器，可防止相邻像素单元之间的串扰。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种图像传感器及其制作方法。

背景技术

图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，被广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话、传真机、扫描器以及医疗电子等领域。

随着集成电路的不断发展，对图像传感器的像素性能的要求越来越高。为避免相邻的像素单元之间发生串扰，在相邻的像素单元之间设置有沟槽隔离结构。但相邻的像素单元之间仍然存在串扰的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种图像传感器及其制作方法，通过本发明提供的图像传感器，可解决相邻像素单元之间串扰的问题，形成高质量的图像传感器。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种图像传感器，至少包括：

衬底，具有相对的第一表面和第二表面；

浅沟槽隔离结构，由所述第二表面延伸至所述衬底中；

底部隔离层，设置在所述衬底中，所述底部隔离层位于所述浅沟槽隔离结构靠近所述第一表面的一侧；

多个光电感应区，设置在所述衬底中，所述光电感应区位于所述底部隔离层靠近所述第一表面的一侧；

深沟槽隔离结构，由所述第一表面延伸至所述衬底中，且所述底部隔离层位于所述深沟槽隔离结构与所述浅沟槽隔离结构之间，所述深沟槽隔离结构与所述浅沟槽隔离结构对应设置，且所述深沟槽隔离结构位于相邻的所述光电感应区之间；以及

侧壁隔离层，位于所述光电感应区和所述深沟槽隔离结构之间。

在本发明一些实施例中，所述图像传感器还包括底部隔离氧化层，所述底部隔离氧化层设置在所述衬底中，且位于所述浅沟槽隔离结构和所述底部隔离层之间。

在本发明一些实施例中，所述图像传感器还包括侧壁隔离氧化层，所述侧壁隔离氧化层位于所述光电感应区和所述侧壁隔离层之间。

在本发明一些实施例中，所述图像传感器还包括垫氧化层，所述垫氧化层设置在所述衬底的所述第一表面。

在本发明一些实施例中，所述图像传感器还包括多层氧化层，所述多层氧化层设置在所述垫氧化层上。

在本发明一些实施例中，所述图像传感器还包括：

格栅，设置在所述多层氧化层上；

彩色滤光结构，设置在所述多层氧化层上，且所述彩色滤光结构位于相邻的所述格栅之间；以及

微透镜结构，设置在所述彩色滤光结构上。

在本发明一些实施例中，所述多层氧化层包括：

氧化铝层，设置在所述垫氧化层上；

氧化钽层，设置在所述氧化铝层上；以及

氧化硅层，设置在所述氧化钽层上。

本发明还提供一种图像传感器的制作方法，包括以下步骤：