[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片的分割方法

说明书

本发明提供了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，包括：使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；从所述切割槽切割所述碲锌镉层。本发明在切割碲锌镉层之前，将碲镉汞层腐蚀掉，再切割碲锌镉层，减少了切割时的应力，从而减少了碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法。

背景技术

碲镉汞红外探测器(MCT Infrared Detector)作为目前国内外红外探测器领域的发展主流之一，在军用红外热成像、航天和卫星红外遥感等方面有着广泛应用。碲镉汞红外探测器芯片需要从基片上通过切割分离得来，如图1，图1是基片的横截面图，芯片区域110具有多个像元111，芯片区域110的周围是切割道120，基片上有多个芯片区域110，每个芯片区域110的周围均具有切割道120。通过切割切割道120就可以将基片分割成多个芯片。碲镉汞红外探测器芯片的切割工艺对切割设备的精度及稳定性具有很高的要求，因为切割刀片的横向波动及切割中的机械应力将极大地增加碲镉汞红外探测器芯片边缘裂纹，最终可能导致碲镉汞红外探测器芯片失效。

现有技术的碲镉汞红外探测器芯片切割方法为，基片与贴膜片粘接后放于划片台内，刀片通过设备主轴高速旋转再通过去离子水冷却刀片，刀片在高速旋转的作用下沿基片边缘按设定的速率进行切割。如图2，切割道120的组成从下到上依次为碲锌镉层121、碲镉汞层122和钝化层123。因此，切割的时候会从最上层的钝化层123开始，依次切割钝化层123、碲镉汞层122和碲锌镉层121，以将所有芯片分割开。

然而，切割刀片切割碲镉汞层122时，应力较大，且碲镉汞红外探测器芯片主要为平面结构，随着像元间距的缩小，基片尺寸的不断减少。所以，切割机切割过程中带来的应力不可避免的会影响芯片结构，最后导致碲镉汞红外探测器芯片失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，可以减少切割应力，从而可以减少碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，包括：

使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；

从所述切割槽切割所述碲锌镉层。

可选的，在所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法中，采用腐蚀液腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层。

可选的，在所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法中，所述腐蚀液包括HBr和Br的混合液。

可选的，在所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法中，使用刀片切割从所述切割槽切割碲锌镉层。

可选的，在所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法中，所述切割槽的宽度小于或等于所述切割道的宽度。

可选的，在所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法中，所述切割槽的深度为所述钝化层的厚度和所述碲镉汞层的厚度之和。

可选的，在所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法中，使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面之后，还包括：去除所述保护层。

可选的，在所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法中，所述保护层包括图案化的光刻胶。

可选的，在所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法中，形成图案化的光刻胶的方法包括：

形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖芯片区域和切割道区域；

烘烤所述光刻胶层；